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（ICS））（40280）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	i/o的数量	核心处理器	核心大小	速度	连接性	外围设备	程序内存大小	程序内存类型	EEPROM大小	ram大小	电压 -电源（ -vcc/vdd）	数据转换器	振荡器类型	协议	驱动程序/接收器的数量	双工	数据速率	界面	时钟频率	控制器系列	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
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CY7C1426JV18-300BZXC	-	RFQ	8167	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1426	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	102																			300 MHz		易挥发的	36mbit		SRAM	4m x 9	平行线	-
CY7C1470BV25-167BZIT	-	RFQ	3829	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1470	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000																			167 MHz		易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1470BV25-200BZI	-	RFQ	6642	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1470	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105																			200 MHz		易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1470BV33-200BZI	-	RFQ	3145	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1470	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105																			200 MHz		易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1472BV25-250BZC	-	RFQ	8331	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1472	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105																			250 MHz		易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1472BV33-200BZC	-	RFQ	4605	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1472	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105																			200 MHz		易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1472BV33-200BZCT	-	RFQ	3132	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1472	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000																			200 MHz		易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1474BV33-167BGCT	-	RFQ	6006	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	209-BGA		CY7C1474	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	209-fbga（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500																			167 MHz		易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 72	平行线	-
CY7C1474BV33-200BGIT	-	RFQ	2810	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	209-BGA		CY7C1474	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	209-fbga（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500																			200 MHz		易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	1m x 72	平行线	-
CY7C1513AV18-200BZI	-	RFQ	3748	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1513	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105																			200 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1545V18-375BZC	-	RFQ	4163	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1545	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105																			375 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1550V18-375BZC	-	RFQ	9326	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1550	Sram-同步，DDR II		1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136																			375 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1565V18-375BZC	-	RFQ	1013	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1565	Sram-同步，QDR II		1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105																			375 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C64345-32LQXCT	3.8610	RFQ	8634	Infineon技术	Encore™v	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C	USB微控制器	表面安装	32-UFQFN暴露垫		CY7C64345		未行业行业经验证	3v〜5.5V	32-qfn （5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991A3	8542.31.0001	2,500	25	M8C						Flash（（16KB）		1k x 8								I²C，Spi，USB		CY7C643XX
CY7C924ADX-AXI	-	RFQ	4312	Infineon技术	Hotlink™	托盘	过时的	-40°C〜85°C		表面安装	100-LQFP	收发器	CY7C924			4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C924ADX	5A991B1	8542.39.0001	90														光纤通道	-	满的	-
CY8C24423A-24LTXIT	4.3400	RFQ	4776	Infineon技术	PSOC®1CY8C24XXX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	32-UFQFN暴露垫		CY8C24423				32-qfn （5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,500	24	M8C	8位	24MHz	i²c，spi，uart/usart	Por，PWM，WDT	4KB （4k x 8）	闪光	-	256 x 8	2.4V〜5.25V	A/D 10x14b; D/A 2x9b	内部的
CY8CLED08-28PVXIT	-	RFQ	8027	Infineon技术	EZ-Color™cy8cled	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	HB LED控制器	表面安装	28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm）		CY8CLED08		未行业行业经验证	3v〜5.25V	28 sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	1,000	24	M8C						Flash（（16KB）		256 x 8								i²c，spi，uart/usart		cy8cled
CYD02S36V18-167BBC	-	RFQ	9330	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	256-LBGA		CYD02S36	sram-双端口，同步		1.7V〜1.9V	256-FBGA（17x17）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	90																			167 MHz		易挥发的	2Mbit	4 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
STK11C68-5K35M	-	RFQ	9883	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）		通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）		STK11C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	26																					非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns
STK11C68-5L45M	-	RFQ	5963	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）		表面安装	28-LCC		STK11C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-LCC （13.97x8.89）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	68																					非易失性	64kbit	45 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	45ns
STK11C68-L35I	-	RFQ	5750	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	28-LCC		STK11C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-LCC （13.97x8.89）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	68																					非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns
STK11C68-SF35	-	RFQ	4659	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）		STK11C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	50																					非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns
STK11C68-SF45I	-	RFQ	4748	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）		STK11C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25																					非易失性	64kbit	45 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	45ns
STK11C88-NF25	-	RFQ	3074	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		STK11C88	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	27																					非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns
STK11C88-NF45	-	RFQ	1442	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		STK11C88	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	54																					非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
STK11C88-SF45	-	RFQ	2446	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）		STK11C88	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	50																					非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
STK12C68-5K55M	-	RFQ	6765	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）		通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）		STK12C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	26																					非易失性	64kbit	55 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	55ns
STK12C68-555M	-	RFQ	9469	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）		表面安装	28-LCC		STK12C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-LCC （13.97x8.89）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	68																					非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns
STK12C68-C35I	-	RFQ	1440	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）		通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）		STK12C68	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2015-STK12C68-C35I	Ear99	8542.32.0041	26																					非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS））（40280）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²