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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电压 -输入(最大) | 输出类型 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 当前-iq(iq) | 访QT | 电流 -供应(最大) | 频道类型 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制功能 | 输出配置 | 电流 -输出 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | 电压 -输出(最小/固定) | 电压 -输出(最大) | 监管机构数量 | ((() | PSRR | 保护功能 |
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![]() | CY7C131E-55JXCT | - | ![]() | 6053 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | CY7C131 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 350 | 易挥发的 | 8kbit | 55 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S98WS512N0GFW0130G | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25HS02GTDPBHV153 | 30.7125 | ![]() | 7279 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 24-fbga(8x8) | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 6 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 1.7ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL256SDSBHV210 | 5.0050 | ![]() | 9821 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 80 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90F022CPF-GS-9063 | - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | - | - | MB90F022 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 66 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | XC2387A104F80LRABKFUMA1 | 14.9685 | ![]() | 6342 | 0.00000000 | Infineon技术 | XC23XXA | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 144-LQFP暴露垫 | XC2387 | PG-LQFP-144-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1,000 | 118 | C166SV2 | 16/32位 | 80MHz | CANBUS,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,SSC,UART/USART,USI | i²s,por,pwm,wdt | 832KB (832K x 8) | 闪光 | - | 50k x 8 | 3v〜5.5V | A/D 24x10b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS29GL01GS-11DHV010 | - | ![]() | 7056 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | IS29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 110 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1565KV18-500BZI | - | ![]() | 4012 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89635RPF-G-1394-BND | - | ![]() | 5813 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89630R | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-BQFP | MB89635 | 64-qfp (14x20) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 66 | 53 | F²MC-8L | 8位 | 10MHz | ebi/emi,串行i/o,uart/usart | Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 面具rom | - | 512 x 8 | 2.2v〜6V | A/D 8x10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S70KL1283GABHV023 | 7.8750 | ![]() | 3780 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KL | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 35 ns | PSRAM | 16m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB95F398HPMC-G-SNE2 | - | ![]() | 7851 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MCMB95390H | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP | MB95F398 | 48-LQFP (7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 44 | F²MC-8FX | 8位 | 16MHz | I²C,Linbus,Sio,UART/USART | Por,PWM,WDT | 60kb(60k x 8) | 闪光 | - | 1.98kx 8 | 2.4V〜5.5V | A/D 12x8/10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S27KL0643GABHI020 | 4.2525 | ![]() | 7973 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 3,380 | 200 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 35 ns | PSRAM | 8m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90483BPMC-G-233E1 | - | ![]() | 1563年 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16LX MB90485 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MB90483 | 100-LQFP(14x14) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 84 | F²MC-16LX | 16位 | 25MHz | i²c,串行i/o,uart/usart | DMA,POR,WDT | 256KB (256K x 8) | 面具rom | - | 16k x 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 8x8/10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B101L-SZ45XCT | - | ![]() | 1547年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1318BV18-200BZI | - | ![]() | 4706 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1318 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 119 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S27KS0641DPBHB020 | - | ![]() | 9335 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,HyperRAM™KS | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S27KS0641 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -S27KS0641DPBHB020 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,690 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 40 ns | PSRAM | 8m x 8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | XC836T2FRIABFXUMA1 | - | ![]() | 9424 | 0.00000000 | Infineon技术 | xc8xx | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm) | XC836 | PG-TSSOP-28-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP000843554 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 3,000 | 23 | XC800 | 8位 | 24MHz | I²C,SSC,UART/USART | 褐色检测/重置,LED,POR,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.5V〜5.5V | A/D 8x10b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S80KS2563GABHV023 | 11.1650 | ![]() | 6336 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜2V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 35 ns | PSRAM | 32m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4248LQI-BL593 | 7.5854 | ![]() | 5401 | 0.00000000 | Infineon技术 | PSOC®4CY8C4XX8BLE | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-UFQFN暴露垫 | CY8C4248 | 56-qfn (7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 260 | 36 | ARM®Cortex®-M0 | 32位单核 | 48MHz | I²C,Irda,Linbus,Microwire,SmartCard,Spi,SSP,UART/USART | 蓝牙,棕色 -外检测/重置,Capsense,DMA,LCD,LVD,POR,PWM,SmartCard,SmartSense,Smartsense,WDT | 256KB (256K x 8) | 闪光 | - | 32K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 16x12b; D/A 1x7b,1x8b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX3143HDMSM1385XTMA1 | - | ![]() | 9836 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 过时的 | PX3143 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | SP001128072 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2104STRPBF | 1.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9BF166RBGL-GK7E1 | 15.7675 | ![]() | 9237 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM4 MB9B160R | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 144-LFBGA | CY9BF166 | 144-fbga(7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 4,160 | 100 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 160MHz | CSIO,I²C,Linbus,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 544KB (544K x 8) | 闪光 | - | 64k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 24x12b; D/A 2x12b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62136VLL-70ZSXET | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62136 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY88155PFT-G-103-JN-EFE1 | - | ![]() | 2069 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | ((),传播频谱时钟发生器 | 是的旁路 | 水晶 | CMOS | 1 | 1:2 | 否/否 | 50MHz | 3v〜3.6V | 8-tssop | 下载 | 否/是 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1393BV18-250BZI | - | ![]() | 3087 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1393 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC336DA32F300SAAKXUMA1 | 86.7242 | ![]() | 5805 | 0.00000000 | Infineon技术 | Aurix™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 180-LFBGA | TC336DA32 | PG-LFBGA-180-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1,500 | Tricore™ | 32位单核 | 300MHz | ASC,CANBUS,以太网,flexray,I²C,Linbus,qspi,已发送 | DMA,I²S,LVD,PWM,WDT | 2MB (2m x 8) | 闪光 | - | 1.54kx 8 | 3.3V,5V | - | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL064LABMFA013 | 3.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,fl-l | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRU1208CS | - | ![]() | 7232 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRU1208CS | 12V | 可调节的 | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 3 ma | 50 mA | - | 积极的 | 1a | 1.24V | 11.35V | 1 | 0.65V @ 1A | - | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89635RPF-G-1360-BND | - | ![]() | 3630 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89630R | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-BQFP | MB89635 | 64-qfp (14x20) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 66 | 53 | F²MC-8L | 8位 | 10MHz | ebi/emi,串行i/o,uart/usart | Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 面具rom | - | 512 x 8 | 2.2v〜6V | A/D 8x10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S26HL01GTFPBHM030 | 27.2300 | ![]() | 2989 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(8x8) | 下载 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,300 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 6.5 ns | 闪光 | 128m x 8 | 超肥 | 1.7ms |
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