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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电流 -供应 | sic可编程 | 电路数 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 界面 | (W特) | 时钟频率 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 频道类型 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
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![]() | CY90F349CASPFR-GS-UJE1 | - | ![]() | 7141 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | CY90F349 | - | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1423TV18-267BZXC | - | ![]() | 5451 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1423 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 267 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C63413C-PVXCT | 6.1256 | ![]() | 5445 | 0.00000000 | Infineon技术 | M8™ | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 0°C〜70°C | USB微控制器 | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY7C63413 | 经过验证 | 4v〜5.5V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1,000 | 32 | M8B | OTP (8KB) | 256 x 8 | PS/2,USB | CY7C634XX | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1550KV18-450BZXI | - | ![]() | 2483 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1550 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1512AV18-167BZXC | - | ![]() | 8456 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1512 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR21844 | - | ![]() | 1239 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IR21844 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IR21844 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBL38621/2SHA | - | ![]() | 4866 | 0.00000000 | Infineon技术 | Flexislic™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) | PBL38621 | 2.8mA | 1 | 5V | PG-SSOP-24-1 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 1,000 | (切片) | - | 290兆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99-50244D | - | ![]() | 4102 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1650KV18-400BZC | - | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1650 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY15B256Q-SXAT | 8.0500 | ![]() | 6898 | 0.00000000 | Infineon技术 | F-RAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY15B256 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 框架 | 32K x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89191APF-G-XXX-ERE1 | - | ![]() | 5567 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89190A | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.342“,8.69mm宽度) | MB89191 | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 16 | F²MC-8L | 8位 | 4.2MHz | 串行i/o。 | por,wdt | 4KB (4k x 8) | 面具rom | - | 128 x 8 | 2.2v〜6V | A/D 8x8b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB95F118ASPMT-GE1 | - | ![]() | 4912 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 过时的 | MB95F118 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB91F526DWBPMC-GSE2 | - | ![]() | 4378 | 0.00000000 | Infineon技术 | MB91520 FR | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | MB91F526 | 80-LQFP(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 119 | 56 | FR81 | 32位单核 | 80MHz | Canbus,CSIO,I²C,Linbus,Spi,Uart/Usart | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 1.0625MB(1.0625MX 8) | 闪光 | 64k x 8 | 136K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 32x12b; D/A 1x8b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYDD18S72V18-167BBXI | - | ![]() | 9789 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | cydd | sram-双端口,同步 | 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V | 256-FBGA(17x17) | - | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 600 ps | SRAM | 256K x 36 x 2(DDR),256k x 72 sdr(SDR) | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9AF114NABGL-GE1 | - | ![]() | 1607年 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9A110A | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 112-LFBGA | CY9AF114 | 112-pfbga(10x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 198 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 256KB (256K x 8) | 闪光 | - | 32K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEB2050pv2.2pbc | 3.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB91243PFV-GS-119E1 | - | ![]() | 7318 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | 表面安装 | 144-LQFP | MB91243 | 144-LQFP(20x20) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 60 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB95008APMC-G-105-JNE1 | - | ![]() | 7267 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 过时的 | MB95008 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB95F118BWPMT-GE1 | - | ![]() | 4736 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MCMB95110B | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP | MB95F118 | 48-LQFP (7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2015-MB95F118BWPMT-GE1 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 39 | F²MC-8FX | 8位 | 16MHz | I²C,Linbus,Sio,UART/USART | LVD,POR,PWM,WDT | 60kb(60k x 8) | 闪光 | - | 2k x 8 | 1.8v〜3.6V | A/D 8x8/10b | 外部的 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21534-24PVXI | 7.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | PSOC®1CY8C21XXX | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | CY8C21534 | 28 sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 47 | 24 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 28x8b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90F347ESPMC3-GS-SPE2 | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16LX MB90340E | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MB90F347 | 100-LQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 90 | 82 | F²MC-16LX | 16位 | 24MHz | CANBUS,EBI/EMI,LINBUS,SCI,UART/USART | DMA,POR,WDT | 128KB (128K x 8) | 闪光 | - | 6k x 8 | 3.5V〜5.5V | A/D 16x8/10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB91F035PFT-G-EFE1 | - | ![]() | 6355 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | MB91F035 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199CNL-15VXCT | - | ![]() | 7485 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SAF-XC164S-32F20F BB | - | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Infineon技术 | XC16X | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | SAF-XC164 | PG-TQFP-100-5 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1,400 | 79 | C166SV2 | 16位 | 20MHz | EBI/EMI,SPI,UART/USART | PWM,WDT | 256KB (256K x 8) | 闪光 | - | 12k x 8 | 2.35v〜2.7V | A/D 14x8/10b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SAF-XE164H-48F66L AC | - | ![]() | 5852 | 0.00000000 | Infineon技术 | XE16X | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP暴露垫 | SAF-XE164 | PG-LQFP-100-3 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A001A3 | 8542.31.0001 | 540 | 75 | C166SV2 | 16位 | 66MHz | EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,SSC,UART/USART,USI | i²s,por,pwm,wdt | 384KB (384K x 8) | 闪光 | - | 34K x 8 | 3v〜5.5V | A/D 16x10b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG8431AAT | - | ![]() | 4103 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB91243PFV-GS-1110E1 | - | ![]() | 9441 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | 表面安装 | 144-LQFP | MB91243 | 144-LQFP(20x20) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 60 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90922NCSPMC-GS-127E1 | - | ![]() | 1607年 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16LX MB90920 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 120-LQFP | MB90922 | 120-LQFP(16x16) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 84 | 93 | F²MC-16LX | 16位 | 32MHz | CANBUS,LINBUS,UART/USART | LCD,LVD,POR,PWM,WDT | 256KB (256K x 8) | 面具rom | - | 10k x 8 | 4v〜5.5V | A/D 8x8/10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEB 20525 F V1.3 | - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | Infineon技术 | Serocco™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 100-LQFP | PEB 20525 | 50mA | 2 | 3v〜3.6V | PG-TQFP-100-3 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A991B4B | 8542.31.0001 | 90 | 串行优化通信控制器 | HDLC,PPP | 150兆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR1176 | - | ![]() | 6067 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 20 DIP(0.300英寸,7.62mm) | IR1176 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4v〜5.25V | 20-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 18 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | - | 4a,4a | 20N,20N |
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