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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电流 -供应 | 电压 -输入 | 电压 -输入(最大) | 输出类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 界面 | 时钟频率 | 输出数量 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 当前-iq(iq) | 访QT | 电流 -供应(最大) | 频道类型 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 拓扑 | 频率 -切换 | 控制功能 | 输出配置 | 同步整流器 | 电流 -输出 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | 模式 | 当前 -启动 | 电压 -输出(最小/固定) | 电压 -输出(最大) | 电压 -输入(最小) | 监管机构数量 | ((() | PSRR | 保护功能 |
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![]() | CY9AF115NABGL-GE1 | - | ![]() | 3614 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9A110A | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 112-LFBGA | CY9AF115 | 未行业行业经验证 | 112-pfbga(10x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 198 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 384KB (384K x 8) | 闪光 | - | 32K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90020PMT-GS-160-BND | - | ![]() | 9202 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | - | 表面安装 | 120-LQFP | MB90020 | 120-LQFP(16x16) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 84 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90362TESPMT-GS-103E1 | - | ![]() | 2237 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16LX MB90360E | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP | MB90362 | 48-LQFP (7x7) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 250 | 36 | F²MC-16LX | 16位 | 24MHz | CANBUS,LINBUS,UART/USART | DMA,LVD,POR,WDT | 64KB (64K x 8) | 面具rom | - | 3k x 8 | 3v〜5.5V | A/D 16x8/10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLE4470G | - | ![]() | 3520 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,Optireg™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | TLE4470 | 45V | ((() | PG-DSO-20-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 500 µA | 15 ma | 启用,重置 | 积极的 | 180mA,350mA | 5v,((((5V),跟踪 | 20V | 2 | 0.5V @ 100mA,0.6V @ 200mA | 60dB (20Hz〜20KHz) | 超过温度,短路 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM25L16B-DGTR | 2.6100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | F-RAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FM25L16 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(4x4.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 20 MHz | 非易失性 | 16kbit | 框架 | 2k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYPD2122-24LQXI | 3.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | EZ-PD™CCG2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | USB类型c | 表面安装 | 24-UFQFN暴露垫 | CYPD2122 | 未行业行业经验证 | 1.71V〜5.5V | 24 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 490 | 14 | ARM®Cortex®-M0 | 闪光灯((32KB) | 4K x 8 | i²c,spi,uart/usart,USB | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TMG201A-32LQXIT | - | ![]() | 5308 | 0.00000000 | Infineon技术 | Truetouch™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 触摸屏控制器 | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | 未行业行业经验证 | 1.8V | 32-qfn | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 28 | M8C | Flash((16KB) | 2k x 8 | i²c,spi,uart/usart,USB | CY8CT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S6E2CCAL0AGL2000A | 25.2400 | ![]() | 9366 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM4 S6E2CC | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 216-LQFP | S6E2CCA | 216-LQFP(24x24) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 40 | 190 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 200MHz | CANBUS,CSIO,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SD,SPI,UART/USART,USB | DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT | 2MB (2m x 8) | 闪光 | - | 256K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 32x12b; D/A 2x12b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EDL8033G4CXTMA1 | 2.4000 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vdfn裸露的垫子 | 不转变 | 8v〜17V | PG-VDSON-10-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,6a | 4.6NS,3.3NS | 120 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89935BPFV-G-175-BND-ER | - | ![]() | 6100 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89930A | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 30-lssop (0.220英寸,5.60mm宽度) | MB89935 | 30 SSOP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 21 | F²MC-8L | 8位 | 10MHz | 串行i/o,uart/usart | Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 面具rom | - | 512 x 8 | 2.2v〜5.5V | A/D 8x10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P770011C-F9C375 | - | ![]() | 6338 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 到达不受影响 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 21-0066pbf | - | ![]() | 8115 | 0.00000000 | Infineon技术 | ipowir™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 159-BBGA电源模块 | IP1201 | 5.5V | 可调节的 | 159-BGA 电源块((15.5x9.25) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 降压 | 1或2 | 巴克 | 170KHz〜460KHz | 积极的 | 是的 | 30a,15a | 0.8V | 3.3V | 3.14V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB96375RSAPMC-GS-102K5E2 | - | ![]() | 3265 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16FX MB96370 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 144-LQFP | MB96375 | 144-LQFP(20x20) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 120 | 120 | F²MC-16FX | 16位 | 40MHz | CANBUS,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SCI,UART/USART | DMA,LCD,LVD,LVR,POR,PWM,WDT | 160KB(160k x 8) | 面具rom | - | 12k x 8 | 3v〜5.5V | A/D 22x10b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9BF516NBGL-GK9E1 | 7.6300 | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9B510R | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 112-LFBGA | CY9BF516 | 112-pfbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1,980 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 144MHz | CANBUS,CSIO,EBI/EMI,I²C,LINBUS,UART/USART,USB | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 512KB (512K x 8) | 闪光 | - | 64k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89695BPFM-G-307 | - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | - | - | MB89695 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 119 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB96F612RBPMC-GE1 | - | ![]() | 4563 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16FX MB96610 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP | MB96F612 | 48-LQFP (7x7) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 250 | 37 | F²MC-16FX | 16位 | 32MHz | Canbus,Linbus,Sci,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 64KB (64K x 8) | 闪光 | - | 4K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x8/10b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL512SAGBHVA13 | 9.4325 | ![]() | 1819年 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYPD2122-20FNXIT | 2.1000 | ![]() | 8571 | 0.00000000 | Infineon技术 | EZ-PD™CCG2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | USB类型c | 表面安装 | 20-Ufbga,WLCSP | CYPD2122 | 未行业行业经验证 | 1.71V〜5.5V | 20-wlcsp(1.63x2.03) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 2,000 | 9 | ARM®Cortex®-M0 | 闪光灯((32KB) | 4K x 8 | i²c,spi,uart/usart,USB | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1420KV18-250BZXC | 51.9400 | ![]() | 8034 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1420 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,360 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC299TX128F300NBCKXUMA1 | 177.1300 | ![]() | 7602 | 0.00000000 | Infineon技术 | Aurix™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 516-LFBGA | TC299TX128 | PG-LFBGA-516-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A002A1 | 8542.31.0001 | 500 | 263 | Tricore™ | 32位三核 | 300MHz | ASC,CANBUS,以太网,flexray,HSSL,I²C,Linbus,MSC,PSI5,QSPI,发送 | DMA,WDT | 8MB(8m x 8) | 闪光 | 384K x 8 | 728K x 8 | 3.3V,5V | A/D 84x12b,10 x sigma-delta | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89635PF-GT-1377-BNDE1 | - | ![]() | 4575 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89630 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-BQFP | MB89635 | 64-qfp (14x20) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 66 | 53 | F²MC-8L | 8位 | 10MHz | ebi/emi,串行i/o,uart/usart | Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 面具rom | - | 512 x 8 | 2.2v〜6V | A/D 8x10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99-50577 | - | ![]() | 4365 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 大部分 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | - | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 6.5 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 750µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S98WS512N0GFW0130F | - | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1512KV18-250BZXI | 150.1850 | ![]() | 8780 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1512 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,360 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB42A108PMC-GT-BNDE1 | - | ![]() | 8129 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | MB42A108 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 250 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR3092MPBF | - | ![]() | 9681 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C | vid电压程序员 | 表面安装 | 48-VFQFN暴露垫 | IR3092 | 29 MA | - | 未行业行业经验证 | 7.3v〜21v | 48-mlPQ (7x7) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2330STRPBF | - | ![]() | 8492 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2330 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001534830 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89485-G-204-CHIP-CN | - | ![]() | 4366 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89480 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | - | - | MB89485 | - | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 39 | F²MC-8L | 8位 | 12.5MHz | 串行i/o,uart/usart | LCD,POR,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 面具rom | - | 512 x 8 | 2.2v〜5.5V | A/D 4x10b | 外部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C006AV-25AXC | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | CY7C006 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 128kbit | 25 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR1152STRPBF | - | ![]() | 2105 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR1152 | 14v〜17V | 8-SOIC | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 66kHz | CCM) | 26 µA |
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