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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电流 -供应 | 输出类型 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 最大输出电源x @ @负载 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 频道类型 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
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![]() | CY7C1426KV18-250BZCT | 51.9400 | ![]() | 8944 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1426 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2ED2304S06FXUMA1 | 1.7000 | ![]() | 8886 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED2304 | CMOS | 未行业行业经验证 | 10v〜17.5V | PG-DSO-8-910 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 360mA,700mA | 48ns,24ns | 650 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B994V-5BBXIT | - | ![]() | 7862 | 0.00000000 | Infineon技术 | Roboclock™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 100-LBGA | 时钟缓冲区,扇形发行 | CY7B994 | 是的 | lvpecl,lvttl | lvttl | 1 | 4:18 | 否/否 | 200MHz | 2.97v〜3.63V | 100-TBGA (11x11) | 下载 | 是/是 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C60333-LTXCT | - | ![]() | 9781 | 0.00000000 | Infineon技术 | Encore™III CY7C603XX | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | CY7C60333 | 32-qfn (5x5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 2,500 | 26 | M8C | 8位 | 12MHz | i²c,spi | LVD,POR,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4v〜3.6V | A/D 8x10b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL256SDSBHM213 | 8.9250 | ![]() | 9544 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,fl-s | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 80 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB44A105-WF-6A | - | ![]() | 7359 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 托盘 | 过时的 | MB44A105 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB96F643ABPMC-GE1 | - | ![]() | 6413 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16FX MB96640 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MB96F643 | 100-LQFP(14x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 90 | 81 | F²MC-16FX | 16位 | 32MHz | I²C,Linbus,Sci,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 96KB(96k x 8) | 闪光 | - | 10k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 24x8/10b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S70KS1283GABHB020 | 9.8525 | ![]() | 1312 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KS | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S70KS1283 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜2V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 3,380 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 35 ns | PSRAM | 16m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S6E2002G0AGV2000M | 5.9164 | ![]() | 1262 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 84 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89601RPMC-G-147-BNDE1 | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89601R | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | - | - | MB89601 | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 250 | 33 | F²MC-8L | 8位 | 8MHz | 串行i/o。 | Por,PWM,WDT | 4KB (4k x 8) | 面具rom | - | 80 x 8 | 2.2v〜6V | - | 外部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY90911ASPMC-GS-109E1 | - | ![]() | 2245 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16LX MB90910 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP | CY90911 | 48-LQFP (7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 250 | 36 | F²MC-16LX | 16位 | 32MHz | CANBUS,LINBUS,UART/USART | por,wdt | 64KB (64K x 8) | 面具rom | - | 4K x 8 | 3v〜5.5V | A/D 16x8/10b | 外部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25HL512TFAMHI010 | 11.8200 | ![]() | 292 | 0.00000000 | Infineon技术 | HL-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25HL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SAK-XE164GM-48F80L AA | - | ![]() | 9206 | 0.00000000 | Infineon技术 | XE16X | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP暴露垫 | SAK-XE164 | PG-LQFP-100-8 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A001A3 | 8542.31.0001 | 1,400 | 76 | C166SV2 | 16位 | 80MHz | CANBUS,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,SSC,UART/USART,USI | i²s,por,pwm,wdt | 384KB (384K x 8) | 闪光 | - | 34K x 8 | 3v〜5.5V | A/D 11x10b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9AFB44NBBGL-GK9E1 | 8.1550 | ![]() | 7944 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9AB40NB | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 112-LFBGA | CY9AFB44 | 112-pfbga(10x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1,980 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO,EBI/EMI,I²C,UART/USART,USB | DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT | 288KB(288K x 8) | 闪光 | - | 32K x 8 | 1.65V〜3.6V | A/D 24x12b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB90F395HAPMCR-C0052 | - | ![]() | 5722 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-16LX MB90390 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 120-LQFP | MB90F395 | 120-LQFP(16x16) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 84 | 96 | F²MC-16LX | 16位 | 24MHz | Canbus,I²C,Linbus,Sci,串行I/O,UART/USART | Por,PWM,WDT | 512KB (512K x 8) | 闪光 | - | 30k x 8 | 3.5V〜5.5V | A/D 15x8/10b | 外部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2ED21091S06FXUMA1 | 2.2700 | ![]() | 5800 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED21091 | - | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 100NS,35NS | 20 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3245LTI-163T | 6.8950 | ![]() | 1731年 | 0.00000000 | Infineon技术 | PSOC®3CY8C32XX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 68-VFQFN暴露垫 | CY8C3245 | 68-qfn (8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 2,000 | 38 | 8051 | 8位 | 50MHz | EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,UART/USART | Capsense,DMA,LCD,POR,PWM,WDT | 32KB (32K x 8) | 闪光 | 1k x 8 | 4K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 16x12b; D/A 1x8b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY95128MBPMC-GS-115E1 | - | ![]() | 9079 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | CY95128 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 90 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S71VS128RC0AHK4L0 | - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | Infineon技术 | vs-r | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | S71VS128 | 闪光灯,psram | 1.7V〜1.95V | 56-VFRBGA(7.7x6.2) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | 非易失性,挥发性 | 128mbit flash),64mbit(RAM) | 闪光,ram | - | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB89697BPFM-G-279 | - | ![]() | 1380 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | - | - | MB89697 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 119 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2461SXUMA1 | 3.1827 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | - | - | - | IRS2461 | - | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.33.0001 | 1,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25HL512TFABHI013 | 9.4675 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7902AA | - | ![]() | 7645 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 234 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY23S09SXC-1 | - | ![]() | 9059 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ((),零延迟缓冲区 | CY23S09 | 是的旁路 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 1:9 | 否/否 | 133.33MHz | 3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | 否/否 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9AF142NBPQC-G-JNE2 | 7.1300 | ![]() | 2561 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9A140NB | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-BQFP | CY9AF142 | 100-PQFP((14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 660 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO,EBI/EMI,I²C,SPI,UART/USART | LVD,POR,PWM,WDT | 160KB(160k x 8) | 闪光 | - | 16k x 8 | 1.65V〜3.6V | A/D 24x12b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR3082MTRPBF | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Infineon技术 | XPHASE™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜100°C | 处理器 | 表面安装 | 20-vqfn暴露垫 | IR3082 | 10mA | 9.6v〜16v | 20-mlpq(5x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7806BA | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 260 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSF21150HV1.4 | 10.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 5A991B4A | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2807DSPBF | 1.0201 | ![]() | 7103 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2807 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8-903 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | SP001543164 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,800 | 同步 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14ME064Q1A-SXIT | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY14ME064 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 40 MHz | 非易失性 | 64kbit | NVSRAM | 8k x 8 | spi | - |
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