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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 电压 -输入 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 频道类型 | 感应方法 | 准确性 | 电流 -输出 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXCY50M35 | - | ![]() | 6452 | 0.00000000 | ixys | IXC | 管子 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixcy50 | - | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 当前调节器 | - | - | 50mA | ||||||||||||||
![]() | IXCY02M35A | - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | ixys | IXC | 管子 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IXCY02 | - | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 当前调节器 | - | - | 2mA | ||||||||||||||
![]() | IXDN402SIA | - | ![]() | 9854 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN402 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 8ns,8ns | |||||||||
![]() | IXDF504D1T/r。 | - | ![]() | 4041 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDF504 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | |||||||||
![]() | IXDN502D1 | - | ![]() | 2602 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDN502 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 7.5NS,6.5NS | |||||||||
![]() | IXC611S1 | - | ![]() | 1613年 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXC611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | IXDN409PI | - | ![]() | 2898 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDN409 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 9a,9a | 10n,10n | |||||||||
![]() | IXCY10M35S | - | ![]() | 7465 | 0.00000000 | ixys | IXC | 管子 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixcy10 | - | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 当前调节器 | - | - | 10mA | ||||||||||||||
![]() | IXG611S1 | - | ![]() | 5050 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXG611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | IXBD4411PI | - | ![]() | 4595 | 0.00000000 | ixys | ISOSMART™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | IXBD4411 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16二滴 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | IXBD4411PI-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 单身的 | 高方向 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 1V,3.65V | 2a,2a | 15ns,15ns | 1200 v | |||||||
![]() | IXI848S1 | - | ![]() | 2290 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXI848 | 2.7V〜40V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 当前显示器 | 高方向 | ±0.7% | - | ||||||||||||||
![]() | IXDF504PI | - | ![]() | 8872 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDF504 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | |||||||||
![]() | ixdd430mci | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | IXDD430 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜35V | TO-220-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 30a,30a | 18NS,16NS | |||||||||
![]() | IXS839BQ2T/r。 | - | ![]() | 3258 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | IXS839 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 10-qfn (3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,4a | 20N,15n | 24 V | ||||||||
![]() | IXDF404PI | - | ![]() | 6139 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDF404 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | IXDF404PI-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 16ns,13ns | ||||||||
![]() | IXDF404SI | - | ![]() | 1857年 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDF404 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IXDF404SI-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 16ns,13ns | ||||||||
![]() | IX2R11M6 | - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-vdfn暴露垫 | IX2R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 16-MLP(7x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 2a,2a | 8NS,7NS | 500 v | ||||||||
![]() | IXCY10M45S | 1.9750 | ![]() | 1379 | 0.00000000 | ixys | IXC | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixcy10 | 450V | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 70 | 当前调节器 | - | - | 100mA | |||||||||||||
![]() | IXCP10M35A | - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | ixys | IXC | 管子 | 过时的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-220-3 | IXCP10 | - | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 当前调节器 | - | - | 10mA | ||||||||||||||
![]() | IXDN430MYI | - | ![]() | 8710 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA | IXDN430 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜35V | TO-263-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q1952551 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 30a,30a | 18NS,16NS | ||||||||
![]() | IXDN409SIA | - | ![]() | 3269 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN409 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 9a,9a | 10n,10n | |||||||||
![]() | IXDN404SI | - | ![]() | 6715 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN404 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IXDN404SI-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 16ns,13ns | ||||||||
![]() | IXDN514D1 | - | ![]() | 1980 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDN514 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 1V,2.5V | 14a,14a | 25ns,22ns | |||||||||
![]() | IXDN409CI | - | ![]() | 4816 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | IXDN409 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | TO-220-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 9a,9a | 10n,10n | |||||||||
![]() | IXDD509SIA | - | ![]() | 3799 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDD509 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 25ns,23ns | |||||||||
![]() | ixde509siat/r | - | ![]() | 5314 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDE509 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 25ns,23ns | |||||||||
![]() | IX4R11M6 | - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-vdfn暴露垫 | IX4R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-MLP(7x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,7V | 4a,4a | 23ns,22ns | 650 v | ||||||||
![]() | IXDF502D1 | - | ![]() | 2936 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDF502 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 7.5NS,6.5NS | |||||||||
IXDN502D1T/r | - | ![]() | 5079 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDN502 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 7.5NS,6.5NS | ||||||||||
![]() | ixdn504siat/r | - | ![]() | 1822年 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN504 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS |
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