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（PMIC）（311）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 电流 -供应 电压 -输入 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 频道类型 感应方法 准确性 电流 -输出 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
IXCP10M35S IXYS IXCP10M35 -
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 ixys IXC 管子 过时的 -55°C〜150°C 通过洞 TO-220-3 IXCP10 - TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 当前调节器 - - 10mA
IXCP40M35 IXYS IXCP40M35 -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 ixys IXC 管子 过时的 -55°C〜150°C 通过洞 TO-220-3 IXCP40 - TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 当前调节器 - - 40mA
IXCP40M45A IXYS IXCP40M45A -
RFQ
 ECAD 4221 0.00000000 ixys IXC 管子 过时的 -55°C〜150°C 通过洞 TO-220-3 IXCP40 - TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 当前调节器 - - 40mA
IXCP60M45 IXYS IXCP60M45 -
RFQ
 ECAD 6048 0.00000000 ixys IXC 管子 过时的 -55°C〜150°C 通过洞 TO-220-3 IXCP60 - TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 当前调节器 - - 60mA
IXCY20M35 IXYS IXCY20M35 -
RFQ
 ECAD 4481 0.00000000 ixys IXC 管子 过时的 -55°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixcy20 - TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 当前调节器 - - 20mA
IXCY30M35 IXYS IXCY30M35 -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 ixys IXC 管子 过时的 -55°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixcy30 - TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 当前调节器 - - 30mA
IX6611TR IXYS ix6611tr -
RFQ
 ECAD 5525 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 过压，电压欠压保护 表面安装 16-Soic （0.154英寸，3.90mm） IX6611 3MA 13v〜25V 16-SOIC-EP 下载 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000
IXDD404SI IXYS IXDD404SI -
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDD404 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXDD404SI-NDR Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.5V 4a，4a 16ns，13ns
IXDD408SI IXYS IXDD408SI -
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDD408 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜25V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXDD408SI-NDR Ear99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 8a，8a 14ns，15ns
IXDD408YI IXYS ixdd408yi -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA IXDD408 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜25V TO-263-5 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXDD408YI-NDR Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 8a，8a 14ns，15ns
IXDD414CI IXYS IXDD414CI -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDD414 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-220-5 下载 不适用 到达不受影响 IXDD414CI-NDR Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 14a，14a 25ns，22ns
IXDD414YI IXYS ixdd414yi -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA IXDD414 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-263-5 下载 （1 （无限） 到达不受影响 ixdd414yi-ndr Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 14a，14a 25ns，22ns
IXBD4411SI IXYS IXBD4411SI -
RFQ
 ECAD 6443 0.00000000 ixys ISOSMART™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IXBD4411 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXBD4411SI-NDR Ear99 8542.39.0001 46 单身的 高方向 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 1V，3.65V 2a，2a 15ns，15ns 1200 v
IXDI404SI-16 IXYS IXDI404SI-16 -
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IXDI404 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXDI404SI-16-NDR Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.5V 4a，4a 16ns，13ns
IXDN404PI IXYS IXDN404PI -
RFQ
 ECAD 1249 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXDN404 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8点 下载 不适用 到达不受影响 IXDN404PI-NDR Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.5V 4a，4a 16ns，13ns
IXDN404SI-16 IXYS IXDN404SI-16 -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IXDN404 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXDN404SI-16-NDR Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.5V 4a，4a 16ns，13ns
IXDF402SI IXYS IXDF402SI -
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDF402 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Q2687800 Ear99 8541.29.0095 50 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 8ns，8ns
IX6R11S3 IXYS IX6R11S3 -
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 46 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 6a，6a 25ns，17ns 600 v
IX6R11S6 IXYS IX6R11S6 -
RFQ
 ECAD 8614 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 18-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 42 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 6a，6a 25ns，17ns 600 v
IXDI502PI IXYS ixdi502pi -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXDI502 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8点 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
IXDN502PI IXYS IXDN502PI -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IXDN502 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8点 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
IX6R11P7 IXYS IX6R11P7 -
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TA） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 14-PDIP 下载 不适用 到达不受影响 Q3231395 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 6a，6a 25ns，17ns 600 v
IX2C11P1 IXYS IX2C11P1 -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IX2C11 - 未行业行业经验证 - 8点 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 300 - - - - - -
IX2C11S1 IXYS IX2C11S1 -
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IX2C11 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 282 - - - - - -
IX2R11M6T/R IXYS ix2r11m6t/r -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-vdfn暴露垫 IX2R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-MLP（7x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 2a，2a 8NS，7NS 500 v
IX2R11S3 IXYS IX2R11S3 -
RFQ
 ECAD 8645 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IX2R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 276 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 2a，2a 8NS，7NS 500 v
IX2R11S3T/R IXYS IX2R11S3T/r。 -
RFQ
 ECAD 4802 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IX2R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 2a，2a 8NS，7NS 500 v
IX4R11S3 IXYS IX4R11S3 -
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IX4R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 230 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，7V 4a，4a 23ns，22ns 650 v
IX6R11M6T/R IXYS ix6r11m6t/r -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-vdfn暴露垫 IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-MLP（7x6） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V - 25ns，17ns 600 v
IX6R11S3T/R IXYS ix6r11s3t/r -
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 6a，6a 25ns，17ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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