SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
IXDF404SI-16 IXYS IXDF404SI-16 -
RFQ
ECAD 1736年 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IXDF404 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 16-Soic 下载 (1 (无限) 到达不受影响 IXDF404SI-16-NDR Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.5V 4a,4a 16ns,13ns
IXDI502SIAT/R IXYS ixdi502siat/r -
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDI502 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 7.5NS,6.5NS
IXDI409SIA IXYS IXDI409SIA -
RFQ
ECAD 4846 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDI409 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3.5V 9a,9a 10n,10n
IXDN502SIAT/R IXYS ixdn502siat/r -
RFQ
ECAD 5962 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDN502 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 7.5NS,6.5NS
IXC611S1T/R IXYS IXC611S1T/r。 -
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXC611 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
IX4R11P7 IXYS IX4R11P7 -
RFQ
ECAD 6154 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) IX4R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 14-PDIP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 225 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,7V 4a,4a 23ns,22ns 650 v
IX2C11S1T/R IXYS IX2C11S1T/r。 -
RFQ
ECAD 3986 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IX2C11 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
IXDN504D1 IXYS IXDN504D1 -
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDN504 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
IX2D11S7 IXYS IX2D11S7 -
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) IX2D11 - 未行业行业经验证 - 14-Soic - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 265 - - - - - -
IXDD509D1 IXYS IXDD509D1 -
RFQ
ECAD 3537 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDD509 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
IXDE509D1T/R IXYS ixde509d1t/r -
RFQ
ECAD 1387 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDE509 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库