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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-VFQFN暴露垫 TC78H670 DMO 1.5V〜5.5V 16-vqfn （3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 系列 （4） 2a 2.5V〜16V 双极 DC 1，1/2
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H451 - 2v〜5.5V 8-hsop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
TA4800AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA4800AF （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA4800 16V 可调节的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 1.5V 9V 1 0.5V @ 500mA 63dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA4809BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4809BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA4809 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 9V - 1 0.69V @ 1a （典型） 55dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA48M0345F(6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M0345F （6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M0345 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 3.45V - 1 0.65V @ 500mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TA48M03F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M03F （T6L1，SNQ） -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M03 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 3V - 1 0.65V @ 500mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TA48M04F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M04F（t6l1，SNQ） -
RFQ
 ECAD 1577年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M04 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 4V - 1 0.65V @ 500mA 68dB（120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TA48S09AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S09AF （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA48S09 16V 固定的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma 使能够 积极的 1a 9V - 1 0.69V @ 1a （典型） 55dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L033F（te12l，f） -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-243AA TA48L033 16V 固定的 PW-Mini（SOT-89） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 ma - 积极的 150mA 3.3V - 1 0.5V @ 100mA 68dB（120Hz） 在电流上超过温度
TB62218AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFNG，C8，El 1.4487
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB62208FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG，8，El -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 28-hsop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TB62212FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212FNG，C8，El 3.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62212 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 2a 10v〜38V 双极 DC -
TB62213AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG，8，El 1.8458
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB62214AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG，C8，El 3.6500
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb6614fng，c，el -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TB6614 动力mosfet 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜13.5V - DC -
TB62216FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FNG，C8，El 2.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG，8，El 1.0604
RFQ
 ECAD 8985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TCK107G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107G，LF -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga 负载排放，控制率 TCK107 不转变 P通道 1：1 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 49mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR2EN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN25 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN30，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN30 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0.1804
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S28 15V 固定的 UFV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage tar5s33ute85lf 0.5000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S33 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR15AG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG11，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG11 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1.1V - 1 0.24V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TCR13AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR13AGADJ，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR13AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR13 6V 可调节的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 92 µA 使能够 积极的 1.3a 0.55V 3.6V 1 0.163V @ 1A 90dB（1KHz） 电流电流，超过电流，热关闭，uvlo
TCR2LF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF15，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 1.13V @ 150mA - 超过电流
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（ls2pev，aq -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（SUMIS，AQ） -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，L2SUMIQ （M -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S，Q（j -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 6V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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