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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB67S103AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S103AFTG，El 1.6439
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S103 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 spi （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TBD62004AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFWG，El 0.3181
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） - TBD62004 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291P（o） -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 通过洞 10-sip裸露的选项卡 TA7291 双极 4.5V〜20V 10-hsip - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 22 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 0v〜20V - DC -
TCR15AG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG11，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG11 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1.1V - 1 0.24V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L033F（te12l，f） -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-243AA TA48L033 16V 固定的 PW-Mini（SOT-89） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 ma - 积极的 150mA 3.3V - 1 0.5V @ 100mA 68dB（120Hz） 在电流上超过温度
TC78S122FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FTG，El 1.5754
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TC78S122 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 2a 8v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR3UM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um33a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 3.3V - 1 0.273V @ 300mA - 在电流上超过温度
TA78L005AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，6fncf（j -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TA76431S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，T6WNLF（j。 -
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S033AF （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA48S033 16V 固定的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma 使能够 积极的 1a 3.3V - 1 0.68V @ 1a （典型） 63dB（120Hz） 在电流上超过温度
TA76431S(6NETPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S （6NETPP，AF -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TC78H620FNG Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG -
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78H620 DMO 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜15V 单极 DC 1，1/2
TBD62089APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62089APG 1.6600
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） - TBD62089 不转变 n通道 1：1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 800 3v〜5.5V - 8 - 低侧 1.6OHM （50V）） 通用目的 500mA
TCR2DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG32，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
TA76431S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，T6Muraf（j。 -
RFQ
 ECAD 3381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TB62215AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG，C8，El 1.9973
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 rohs3符合条件 TB62215AFGC8EL Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6596FLG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6596FLG，El -
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TB6596 动力mosfet 3v〜5.5V 36-QON （6x6） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 系列 （12） 600mA 2.2v〜5.5V 双极 DC 1〜1/64
TCR8BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 使能够 积极的 800mA 1.05V - 1 0.24V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF10 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1V - 1 0.77V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FG，8，El 2.7700
RFQ
 ECAD 1586年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB6641 动力mosfet 10V〜45V 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 1.5a 10V〜45V - DC -
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL，RF 1.6700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-wfdfn暴露垫 TCKE712 4.4v〜13.2V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - -
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF13 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.13V @ 150mA - 超过电流
TCK301G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK301G，LF 1.1500
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK301 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TB62261FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTG，El 1.1819
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB62261 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.4a 10v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR2EF135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF135，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF135 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.35V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF30，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF30 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM18 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA78L005AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，T6WNF（j。 -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TB62213AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG，8，El 1.8458
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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