SIC
close

（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNAG，El -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TB62747 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 45mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 26V
TC62D748CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG，C，El，b -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D748 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCR3RM33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A，LF -
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM33 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 3.3V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TB6642FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FTG，8，El 2.3700
RFQ
 ECAD 2373 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TB6642 Bi-Cmos 10V〜45V 32-VQFN （5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 1.5a 10V〜45V - DC -
TCR2DG27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG27，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3734 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ，LF 0.7000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15 5.5V 可调节的 6-WCSPF（0.80x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 0.6V 3.6V 1 0.216V @ 1.5A 95dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM33 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB62210FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62210FNG，C8，El 1.7261
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-tssop （0.173英寸，4.40mm（4.40mm） TB62210 DMO 2v〜5.5V 24-HTSSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） TB62210FNGC8EL Ear99 8542.39.0001 2,000 司机 PWM 2（2） 1a 10v〜38V 双极 DC -
TCR3UG25B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG25B，LF 0.1261
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG25 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCR5RG29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG29A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG29 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 2.9V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TCK1024G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK1024G，LF 0.5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK1024 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 - 打开/关 1 （），温度，反向电流 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 1.54a
TCR2EN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en27，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.21V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF185 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.85V - 1 0.4V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A，LF （SE 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.9V - 1 - - 在电流上超过温度
TCR2EE295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE295，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3054 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE295 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.95V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR5SB30A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB30A （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR5SB30 6V 固定的 SMV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 使能够 积极的 150mA 3V - 1 0.19V @ 50mA 80dB （1KHz） 超过电流
TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12，L3F 0.1538
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TB62215AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ -
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 （1 （无限） TB62215AHQ（O） Ear99 8542.39.0001 504 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TBD62381APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381APG 1.9400
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62381 - n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1欧姆 0v〜50V 通用目的 500mA
TC78B015AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015AFTG，El 3.6300
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TC78B015 CMOS 6v〜30v 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 司机 PWM，系列 3（3） 3a 36V 多相 DC（BLDC） -
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，T6F（j -
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TCR3DF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF285，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF285 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TA58L15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L15S，Q（j -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L15 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.4 MA 50 mA - 积极的 250mA 15V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3UM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3UM28 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE19，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM095 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.95V - 1 0.23V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（SUMIS，AQ） -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA76431S(T6NEPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S （T6NEPP，AF -
RFQ
 ECAD 6843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TB67S215FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S215FTAG，El 2.7300
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜35V 双极 - 1、1/2、1/4
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP，T6NHF（j -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭