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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 传感方式 准确性 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2DG21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG21，LF 0.1394
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 ECAD 8943 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.1V - 1 0.15V@100mA - 过流、过温
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A,L3F 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 3V - 1 0.285V@800mA - 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27,LM(CT 0.0680
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 ECAD 1161 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE27 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.7V - 1 0.23V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2EE295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE295,LM(CT 0.0680
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 ECAD 3054 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE295 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.95V - 1 0.23V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28,LF(SE 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.25V@300mA - 过流、过温
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NA，射频 1.5200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 TCKE800 4.4V～18V 10-WSONB (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5A
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG,EL 0.8900
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62004 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L24F(TE12L,F) -
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 ECAD 4095 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA78L24 40V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 6毫安 6.5毫安 - 的积极 150毫安 24V - 1 - 35分贝（120赫兹） 过流、过温
TCK1024G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK1024G,LF 0.5600
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载率 TCK1024 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 - 开/关 1 电流限制（固定）、过温、逆向电流 高边 31毫欧 1.4V～5.5V 通用型 1.54A
TCV7102F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7102F(TE12L,Q) -
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 ECAD 6031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1.4兆赫 的积极 是的 3A 0.8V 5.5V 2.7V
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19，LF（SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.9V - 1 0.6V@150mA - 过电流
TC78B002FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FTG，EL 0.5047
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 ECAD 7270 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 风扇电机驱动器 表面贴装 16-WFDFN 裸露焊盘 TC78B002 DMOS 3.5V～16V 16-WQFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 1.5A 3.5V～16V - 无刷直流 (BLDC) -
TCR2LN20,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20,LF(SE 0.3800
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 ECAD 228 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2V - 1 0.54V@150mA - 过电流
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 1.2V - 1 0.8V@100mA 85dB～50dB（1kHz～100kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TB6585AFTGC8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585AFTGC8,EL 1.9179
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 ECAD 7765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB6585 双CMOS 4.5V～42V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (3) 1.2A 4.5V～42V - 无刷直流 (BLDC) -
TB62752AFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752AFUG，EL -
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 ECAD 4510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 负债 表面贴装 SOT-23-6 直流稳压电源 TB62752 1.1兆赫 SOT-23-6 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 20毫安 1 是的 升压（升压） 5.5V 脉宽调节 2.8V -
TA48033BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48033BF(T6L1,NQ) -
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 ECAD 2334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA48033 16V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 - 的积极 1A 3.3V - 1 0.69V@1A（典型值） 62分贝（120赫兹） 过流、过温
TB62215AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ,8 7.3500
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 ECAD 7324 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 通孔 25-SIP成型接头 TB62215 功率MOSFET 4.75V～5.25V 25-HZIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 17号 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCR2LE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE32，LM（CT 0.0762
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 ECAD 7556 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE32 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.2V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A(T5L,F,T) -
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 ECAD 5687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR5SB33 6V 固定的 SMV - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 75微安 使用能够 的积极 150毫安 3.3V - 1 0.19V@50mA 80分贝（1kHz） 过电流
TA4800AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA4800AF(T6L1,Q) -
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 ECAD 6637 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～150℃ 表面贴装 TO-252-6，DPak（5引脚+片） TA4800 16V 可调节的 5-HSIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 - 的积极 1A 1.5V 9V 1 0.5V@500mA 63分贝（120赫兹） 过流、过温
TBD62183AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFNG，EL 1.2000年
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 ECAD 8608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62183 反相 N沟道 1:1 18-SSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 2.8V～25V - 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 50毫安
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6NHF(J -
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 ECAD 6489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、瞬态电压
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14,LM(CT 0.3300
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF14 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.4V - 1 0.42V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S18U(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 第388章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S18 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 - 70分贝（1kHz） 过流、过温
TC62D748CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG,C,EL,B -
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 ECAD 5590 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TB67S265FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S265FTG，EL 1.1819
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 ECAD 3827 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S265 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 串联、串联 半桥 (4) 2A 10V~47V 双 - 1, 1/2
TCR3DF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF125,LM(CT 0.0906
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 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF125 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.25V - 1 0.62V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TB67S539SFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539SFTG，EL 0.8343
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 ECAD 1329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 DMOS 4.5V～33V 32-VQFN (5x5) 下载 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 逻辑 半桥 (4) 1.8A 4.5V～33V 双 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCR15AG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG33，LF 0.6400
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 ECAD 3004 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG33 6V 固定的 6-WCSP (1.2x0.80) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 3.3V - 1 0.648V@1.5A 95dB～60dB（1kHz） 电流限制、热关断、UVLO
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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