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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6585AFTGC8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585AFTGC8，El 1.9179
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB6585 Bi-Cmos 4.5V〜42V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 1.2a 4.5V〜42V - DC（BLDC） -
TB62779FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62779FNG，El -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） 线性 TB62779 - 20ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 9 是的 - 5.5V PWM 3V 4V
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 1.2V - 1 0.8V @ 100mA 85DB〜50DB （1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG28，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG28 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 2.8V - 1 0.12V @ 100mA - 电流电流，超过电流的热关机
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE11 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.67V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF10，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF10 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 0.77V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF13，LM（ct 0.4200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF13 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.47V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF15，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 0.39V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF19 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF27，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF27 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF30，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF30 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF41，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF41 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN125 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.25V - 1 0.55V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN21 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.29V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN36，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN36 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM105 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 0.75V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM18 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM33 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB6551FAG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FAG，C，8，El 3.2800
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6551 Bi-Cmos 6v〜10V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTG，El 1.1819
RFQ
 ECAD 1525年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.4a 10v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4
TC78H610FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H610FNG，El 0.7509
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78H610 DMO 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 800mA 2.5V〜15V - DC -
TB67S149HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149HG 6.6200
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67S149 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1〜1/32
TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM11，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 1.1V - 1 0.25V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19，LF -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN19 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.29V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK206G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK206G，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 3522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 控制率控制 TCK206 不转变 n通道 1：1 4-WCSP（0.90x0.90） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 18.1MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCK207G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207G，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 负载排放，控制率 TCK207 不转变 n通道 1：1 4-WCSP（0.90x0.90） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 18.1MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCK208G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK208G，LF 0.1916
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK208 不转变 n通道 1：1 4-WLCSP（0.90x0.90） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 18.1MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCR2EN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN32，LF -
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN32 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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