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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S033AF （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA48S033 16V 固定的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma 使能够 积极的 1a 3.3V - 1 0.68V @ 1a （典型） 63dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA76431S(6NETPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S （6NETPP，AF -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG，C8，El 3.6500
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG，El 2.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S512 动力mosfet 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 前驾驶员 -半桥（ -4） 2a 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR2LF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF15，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 1.13V @ 150mA - 超过电流
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR5SB33 6V 固定的 SMV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 使能够 积极的 150mA 3.3V - 1 0.19V @ 50mA 80dB （1KHz） 超过电流
TCR3DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG33，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG33 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - 积极的 300mA 3.3V - 1 0.215V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A，L3F 0.1628
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP，APNF （M -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L009 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 9V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 44dB （120Hz） 超过电流
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG，8，El 1.2236
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6613 下载 rohs3符合条件 3（168）） TB6613FTG8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A，LM （CT 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF105 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 1.057V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF19 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG28 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 2.8V - 1 0.21V @ 500mA 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG105 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 1.05V - 1 0.991V @ 420mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA7291SG(O,J) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291SG（o，J） -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 通过洞 9-sip TA7291 双极 4.5V〜20V 9-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 400mA 0v〜20V - DC -
TCV7106FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7106FN（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TCV71 5.6V 可调节的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 550kHz 积极的 两个都 2a 0.8V 5.6V 2.7V
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 0.95V - 1 0.225V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083FTG（EL） 8.2600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TA） 通用目的 表面安装，可润湿的侧面 48-VFQFN暴露垫 动力mosfet 3v〜5.5V，4.5V〜28V 48-VQFN （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -当前管理 spi 前驾驶员 -3） - - 多相 DC（BLDC） -
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，L2SUMIQ （M -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCK107AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK107 不转变 P通道 1：1 4-WCSPD（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 34mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285，LF -
RFQ
 ECAD 5637 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN285 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33，LM（ct 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF33 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S，Q（j。 -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCKE805NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE805 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L033F（te12l，f） -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-243AA TA48L033 16V 固定的 PW-Mini（SOT-89） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 ma - 积极的 150mA 3.3V - 1 0.5V @ 100mA 68dB（120Hz） 在电流上超过温度
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF13 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.13V @ 150mA - 超过电流
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL，RF 1.6700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE712 4.4v〜13.2V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - -
TA76431S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，T6Muraf（j。 -
RFQ
 ECAD 3381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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