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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 负载类型 导通电阻（典型值） 当前 - 高峰 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41,LM(CT 0.3500
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 ECAD 233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE41 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4.1V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A，LF 0.1357
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 ECAD 7913 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1V - 1 0.25V@500mA 90分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCA62723FMG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TCA62723FMG,EL -
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 ECAD 9743 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 10-SMD，写入 线性 TCA62723 - 10-SON (3x3) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 150毫安 3 是的 - 5.5V - 2.7V -
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(苏米斯、AQ) -
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 ECAD 7219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2PEV,AQ -
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 ECAD 6732 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
KIA78DL10PI Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78DL10PI -
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 ECAD 5612 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 50
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG,8,EL 1.2236
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 ECAD 2740 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB6613 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） TB6613FTG8EL EAR99 8542.39.0001 2,000
TCK22922G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22922G，LF 0.1675
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 ECAD 9167 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK22922 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0.1804
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 ECAD 8097 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S28 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG,8,EL 1.0604
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 ECAD 8985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62218 DMOS 4.75V～5.25V 28-HSOP 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TA58L05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 5283 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA58L05 29V 固定的 PW-模具 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1毫安 50毫安 使用能够 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TB6641FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FTG,8,EL 1.1263
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 ECAD 3247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 TB6641 功率MOSFET 10V～45V 32-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (2) 1.5A 10V～45V - 有刷直流 -
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105，LF 0.4500
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM105 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.05V - 1 0.75V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105，L3F 0.4600
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 ECAD 9938 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM105 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.05V - 1 0.24V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN、LF 0.8900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 负载预测，转换速率受控 TCK207 非反相 N沟道 1:1 4-DFNA (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 21.5毫欧 0.75V～3.6V 通用型 2A
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG，EL 1.5300
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 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 TB67H451 - 2V～5.5V 8-HSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,500人 司机 - 半桥 3.5A 4.5V~44V - 有刷直流 -
TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK402G,LF 0.6200
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 ECAD 213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP TCK402 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 低侧 1 - 0.4V、1.6V - 0.2毫秒、1.5微秒
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，EL 2.8700
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 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S521 DMOS 2V～5.5V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 2.8A 10V~34V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27，LF -
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 ECAD 4626 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN27 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.7V - 1 0.36V@150mA - 过电流
TCR2DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG32，LF 0.1394
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 ECAD 4709 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 3.2V - 1 0.11V@100mA - 过流、过温
TAR5S35U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S35U(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S35 15V 固定的 超短波病毒 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3.5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,WNLF(J -
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 ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S,F(J -
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 ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TA78DS05CP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP,6KEHF(M -
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 ECAD 2213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、瞬态电压
TCK207G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207G、LF 0.5400
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 ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 负载预测，转换速率受控 TCK207 非反相 N沟道 1:1 4-WCSP (0.90x0.90) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 18.1毫欧 0.75V～3.6V 通用型 2A
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A，LF（SE） 0.4700
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 ECAD 9199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第680章 电流限制，启用 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.327V@300mA - 过流、过温
TCR5RG1225A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG1225A，LF 0.5300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG1225 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 1.225V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6F(J -
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 ECAD 6788 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG，EL 2.7700
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 - TB67Z800 - 5.5V～22V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 3A 逻辑 电流限制、过温、直通、UVLO 半桥 (3) 电感式、电容式 - - 5.5V～22V
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A,L3F 0.1628
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 ECAD 8877 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM11 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.1V - 1 0.245V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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