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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCK208G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK208G，LF 0.1916
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK208 不转变 n通道 1：1 4-WLCSP（0.90x0.90） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 18.1MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31，LM 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE31 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TA78DS05CP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，6KeHF （M -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A，L3F 0.1628
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR3UG27A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG27A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG27 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.7V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP，APNF （M -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L009 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 9V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 44dB （120Hz） 超过电流
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG，8，El 1.2236
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6613 下载 rohs3符合条件 3（168）） TB6613FTG8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR2LN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN30，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN30 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2EE50,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage tcr2ee50，lm（t -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 （1 （无限） TCR2EE50LM（t Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A，LM （CT 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF105 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 1.057V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L012 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 41dB（120Hz） 超过电流
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF19 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG28 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 2.8V - 1 0.21V @ 500mA 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TA78DS05BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP，f（j -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TB67S539SFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539SFTG，El 0.8343
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 DMO 4.5V〜33V 32-VQFN （5x5） 下载 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 逻辑 （4） 1.8a 4.5V〜33V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCR15AG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG33，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG33 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 3.3V - 1 0.648V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TCR2DG21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG21，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.15V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR2LE085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE085，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.85V - 1 1.58V @ 150mA - 超过电流
TB6584AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG -
RFQ
 ECAD 3810 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 30-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6584 动力mosfet 6v〜16.5V 30 SSOP 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR2EF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF13，LM（ct 0.4200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF13 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.47V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA58L12S,ASHIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S，Ashiq（j -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB9054FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9054FTG（EL） 4.3700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 40-VFQFN暴露垫 TB9054 DMO 4.5V〜28V 40-qfn （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，SPI （4） 6a 4.5V〜28V 双极 DC -
TC78S121FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FNG，El 1.8494
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TC78S121 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 2a 8v〜38V 双极 DC -
TB6603FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6603FTG，8，El -
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB6603 - - 36 QFN （6x6） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 - 前驾驶员 -3） - 30V - DC（BLDC） -
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG105 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 1.05V - 1 0.991V @ 420mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 1.05V - 1 0.25V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
KIA78DL10PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL10PI -
RFQ
 ECAD 5612 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TA7291SG(O,J) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291SG（o，J） -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 通过洞 9-sip TA7291 双极 4.5V〜20V 9-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 400mA 0v〜20V - DC -
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22912G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP - TCK22912 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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