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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TB6586FG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG，EL，干式 -
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 ECAD 8685 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） TB6586 双CMOS 6.5V～16.5V 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.31.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TC78H620FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG，EL 1.6300
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 ECAD 323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78H620 DMOS 2.7V～5.5V 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1A 2.5V～15V 单极 有刷直流 1, 1/2
TA76431AS(T6SOY,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS(T6SOY,AF -
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 ECAD 6330 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67S215FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S215FTAG，EL 2.7300
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 ECAD 7254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S215 功率MOSFET 4.75V～5.25V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2A 10V～35V 双 - 1、1/2、1/4
TCK128BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128BG,LF 0.4800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 负载预测，转换速率受控 TCK128 非反相 P沟道 1:1 4-WCSPG (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 - 高边 343毫欧 1V～5.5V 通用型 1A
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A，LF 0.1357
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 ECAD 7913 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1V - 1 0.25V@500mA 90分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(苏米斯、AQ) -
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 ECAD 7219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41,LM(CT 0.3500
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 ECAD 233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE41 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4.1V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084APG 1.4900
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 ECAD 第517章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62084 反相 N沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6614FNG,C,EL -
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 ECAD 4247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TB6614 功率MOSFET 2.7V～5.5V 16-SSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1A 2.5V～13.5V - 有刷直流 -
TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG，HZ 1.4900
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 ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62064 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 4 - 低侧 430毫欧 50V（最大） 通用型 1.25A
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10,LM(CT 0.0906
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 ECAD 6534 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF10 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1V - 1 0.77V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB62757FUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62757FUG，EL -
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 ECAD 3444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 负债 表面贴装 SOT-23-6 直流稳压电源 TB62757 1.1兆赫 SOT-23-6 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 20毫安 1 是的 升压（升压） 5.5V 脉宽调节 2.8V -
TCR3UG27A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG27A，LF 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG27 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 2.7V - 1 0.327V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10，LF 0.1054
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 ECAD 4302 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG10 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 65微安 78微安 - 的积极 300毫安 1V - 1 0.75V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB67H400AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFTG，EL 3.4100
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 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67H400 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (4) 6A 10V~47V - 有刷直流 -
TB62269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269FTG，EL 2.2800
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 ECAD 2460 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB62269 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1 ~ 1/32
TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,WNLF(J -
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 ECAD 4672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3UF18A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF18 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TCR3UF18ALM（CT） EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 - 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.464V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50,LM(CT 0.0680
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 ECAD 3748 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TBD62308AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308AFAG，EL 1.1900
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 ECAD 1058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） - 待定62308 反相 N沟道 1:1 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 4.5V～5.5V 开/关 4 - 低侧 370毫欧 50V（最大） 通用型 1.5A
TCK323G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK323G,LF 1.5000
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 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-UFBGA、CSPBGA 转换速率控制，状态标志 TCK323 - N沟道 2:1 16-WCSPC (1.9x1.9) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、过压、逆向电流、UVLO 高边 98毫欧 2.3V～36V 通用型 2A
TB62213AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AHQ -
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 ECAD 3279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 通孔 25-SIP成型接头 TB62213 功率MOSFET 4.75V～5.25V 25-HZIP 下载 1（无限制） TB62213AHQ(O) EAR99 8542.39.0001 504 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2.4A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCR2EF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF27,LM(CT 0.3300
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF27 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.7V - 1 0.23V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA58L05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 5283 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA58L05 29V 固定的 PW-模具 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1毫安 50毫安 使用能够 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM11，LF 0.1344
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 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM11 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 1.1V - 1 0.25V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR5AM06,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM06,LF 0.1344
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 ECAD 8644 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM06 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.6V - 1 0.2V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCK107AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AG,LF 0.4800
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 ECAD 第277章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK107 非反相 P沟道 1:1 4-WCSPD (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 - 高边 34毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TA48S09AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S09AF(T6L1,Q) -
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 ECAD 9154 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～150℃ 表面贴装 TO-252-6，DPak（5引脚+片） TA48S09 16V 固定的 5-HSIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 使用能够 的积极 1A 9V - 1 0.69V@1A（典型值） 55分贝（120赫兹） 过流、过温
TCV7103F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103F(TE12L,Q) -
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 ECAD 4896 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 5A 0.8V 5.5V 2.7V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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