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（PMIC）（1138）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电流 -供应 | 电压 -输入 | 电压 -输入（最大） | 输出类型 | 温度系数 | 比率-输入：输出 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 参考类型 | 电压 -电源（ -vcc/vdd） | 界面 | 输出数量 | 当前-iq（iq） | 电流 -供应（最大） | 故障保护 | 控制功能 | 输出配置 | 电流 -输出 | RDS（类型） | 电压 -负载 | 电机类型 -步进 | 电机类型-AC，DC | 步骤分辨率 | 开关类型 | 电流 -输出（最大） | 电压 -输出（最小/固定） | 噪声-0.1Hz至10Hz | 噪声-10Hz至10KHz | 电压 -输出（最大） | 监管机构数量 | （（（） | PSRR | 保护功能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCK108G，LF | - |  | 4705 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 4-ufbga | 控制率控制 | TCK108 | 不转变 | P通道 | 1：1 | 4-WCSP（0.79x0.79） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 不需要 | 打开/关 | 1 | - | 高侧 | 49mohm | 1.1V〜5.5V | 通用目的 | 1a | |||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE125，LM（ct | 0.3500 | | 159 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | SOT-553 | TCR2EE125 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.25V | - | 1 | 0.57V @ 150mA | 73dB （1KHz） | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58M12S，Q（j | - | | 7335 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TA58M12 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 ma | 80 ma | - | 积极的 | 500mA | 12V | - | 1 | 0.65V @ 500mA | - | 在电流上超过温度，反向极性 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S（ls2pev，aq | - | | 6732 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TA58L05 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 mA | - | 积极的 | 250mA | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200mA | - | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L007AP，f（j。 | - | | 6232 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C 〜85°C | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 | TA78L007 | 35V | 固定的 | LSTM | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 MA | - | 积极的 | 150mA | 7V | - | 1 | 1.7V @ 40mA ty（typ） | 46dB（120Hz） | 超过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48015BF （T6L1，NQ） | - | | 3522 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C | 表面安装 | TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 | TA48015 | 16V | 固定的 | PW-MOLD | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 ma | 20 ma | - | 积极的 | 1a | 1.5V | - | 1 | 1.9V @ 1a （典型） | 65DB （120Hz） | 在电流上超过温度 | |||||||||||||||||||||||||||
 | KIA78DL06PI | - | | 7915 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 积极的 | Kia78 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62083AFG | - | | 3773 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） | - | TBD62083 | 反转 | n通道 | 1：1 | 18 SOP | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 不需要 | 打开/关 | 8 | - | 低侧 | - | （50V）） | 通用目的 | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||
| TB62D901FNG，El | 0.6777 | | 7626 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | TB62D901 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | tb62d901fngel | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5AM10A，LF | 0.1357 | | 7913 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5am | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C 〜85°C（TJ） | 表面安装 | 4-xdfn暴露垫 | 5.5V | 固定的 | 5-DFNB（1.2x1.2） | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | 当前限制，启用 | 积极的 | 500mA | 1V | - | 1 | 0.25V @ 500mA | 90dB（1KHz） | 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo） | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF41，LM（ct | 0.3300 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | TCR2EF41 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 4.1V | - | 1 | 0.2V @ 150mA | 73dB （1KHz） | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S508FTG，El | 3.1400 | | 14 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -20°C〜85°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | 36-VFQFN暴露垫 | TB67S508 | DMO | 2v〜5.5V | 36-VQFN（5x5） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 司机 | PWM | 前驾驶员 -半桥（ -2） | 3a | 10v〜35V | 双极 | DC | 1、1/2、1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S103AFTG，El | 1.6439 | | 3309 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -20°C〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 48-WFQFN暴露垫 | TB67S103 | 动力mosfet | 4.75V〜5.25V | 48-WQFN（7x7） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 | spi | （4） | 3a | 10v〜47V | 双极 | - | 1〜1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48S033AF （T6L1，Q） | - | | 6410 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C | 表面安装 | TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） | TA48S033 | 16V | 固定的 | 5-hsip | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 ma | 20 ma | 使能够 | 积极的 | 1a | 3.3V | - | 1 | 0.68V @ 1a （典型） | 63dB（120Hz） | 在电流上超过温度 | |||||||||||||||||||||||||||
| TA76431S （6NETPP，AF | - | | 9510 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 | TA76431 | - | 可调节的 | LSTM | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 积极的 | - | 2.495V | 36V | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L09S，LS2PAIQ（j | - | | 1483 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TA58L09 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 mA | - | 积极的 | 250mA | 9V | - | 1 | 0.4V @ 200mA | - | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L009AP，f（j | - | | 6702 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C 〜85°C | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 | TA78L009 | 35V | 固定的 | LSTM | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 MA | - | 积极的 | 150mA | 9V | - | 1 | 1.7V @ 40mA ty（typ） | 44dB （120Hz） | 超过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62215AFNG，C8，El | 3.6500 | | 4786 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -20°C〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） | TB62215 | 动力mosfet | 4.75V〜5.25V | 48-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 | 平行线 | （4） | 3a | 10v〜38V | 双极 | - | 1、1/2、1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S512FTAG，El | 2.7700 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -20°C〜85°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | 36-WFQFN暴露垫 | TB67S512 | 动力mosfet | 2v〜5.5V | 36-WQFN （6x6） | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 | PWM | 前驾驶员 -半桥（ -4） | 2a | 10v〜35V | 双极 | DC | 1、1/2、1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62213AHQ | - | | 3279 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 托盘 | 过时的 | -20°C〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 25-SIP形成的铅 | TB62213 | 动力mosfet | 4.75V〜5.25V | 25-Hzip | 下载 | （1 （无限） | TB62213AHQ（O） | Ear99 | 8542.39.0001 | 504 | 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 | 平行线 | （4） | 2.4a | 10v〜38V | 双极 | - | 1、1/2、1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN32，LF | - | | 7523 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2en | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | TCR2EN32 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN（0.8x0.8） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 3.2V | - | 1 | 0.18V @ 150mA | 73dB （1KHz） | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62308AFG，El | 1.6600 | | 5343 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 | - | TBD62308 | 反转 | n通道 | 1：1 | 16-HSOP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 4.5V〜5.5V | 打开/关 | 4 | - | 低侧 | 370MOHM | （50V）） | 通用目的 | 1.5a | |||||||||||||||||||||||||||
| TA76L431S（t6soy，水溶液 | - | | 2963 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | - | -40°C〜85°C | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 | TA76L431 | - | - | - | - | LSTM | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LF15，LM（ct | 0.0742 | | 8105 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C 〜85°C（TJ） | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | TCR2LF15 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.5V | - | 1 | 1.13V @ 150mA | - | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5SB33A （T5L，F，T） | - | | 5687 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5SB | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | TCR5SB33 | 6V | 固定的 | SMV | - | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 75 µA | 使能够 | 积极的 | 150mA | 3.3V | - | 1 | 0.19V @ 50mA | 80dB （1KHz） | 超过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF45，LM（ct | 0.3400 | | 795 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | TCR2EF45 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 4.5V | - | 1 | 0.2V @ 150mA | 73dB （1KHz） | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6575FNG，C，8，El | 2.9800 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -30°C〜105°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） | TB6575 | CMOS | 4.5V〜5.5V | 24 SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.31.0001 | 2,000 | 控制器 -换向，指导管理，指导管理 | 平行线 | 前驾驶员 -3） | - | - | - | DC（BLDC） | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG33，LF | 0.1054 | | 3467 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DG | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 4-XFBGA，CSPBGA | TCR3DG33 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSPE（0.65x0.65） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 65 µA | 78 µA | - | 积极的 | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.215V @ 300mA | 70dB（1KHz） | 在电流上超过温度 | |||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN30，LF | 0.0896 | | 9513 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2en | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | TCR2EN30 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN（0.8x0.8） | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 3V | - | 1 | 0.18V @ 150mA | 73dB （1KHz） | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TB62213AFTG，C8，El | 1.7398 | | 3295 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -20°C〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 48-VFQFN暴露垫 | TB62213 | 动力mosfet | 4.75V〜5.25V | 48-qfn （7x7） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 | 平行线 | （4） | 2.4a | 10v〜38V | 双极 | - | 1、1/2、1/4 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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