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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCA62724FMG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TCA62724FMG，El -
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 10-SMD，平坦的铅 线性 TCA62724 - 10点（3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 150mA 3 是的 - 5.5V PWM 2.8V -
TC78B002FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FTG，El 0.5047
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 风扇运动驱动器 表面安装 16-WFDFN暴露垫 TC78B002 DMO 3.5V〜16V 16-WQFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 1.5a 3.5V〜16V - DC（BLDC） -
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 1.2V - 1 0.8V @ 100mA 85DB〜50DB （1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCK22971G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22971G，LF 0.5500
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22971 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCK323G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK323G，LF 1.5000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK323 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TA58L08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08（fjtn，QM） -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 8V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK303G，LF 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK303 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TCR8BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM10 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1V - 1 0.23V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2LN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN33 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18，LSF （Se 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR2LN18LSF（setr Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.6V @ 150mA - 超过电流
TA76431S,MEIDENF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，Meidenf （m -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TBD62502AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFWG，El 0.3966
RFQ
 ECAD 5474 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） - TBD62502 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TAR5S35U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S35U（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S35 15V 固定的 UFV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3.5V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR4DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG33，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG33 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 3.3V - 1 0.263V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TA78DS05CP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP （MBS1，FM -
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TA76431AS(T6SOY,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS （T6SOY，FM -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NA，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-wfdfn暴露垫 TCKE800 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B，LM（ct 0.4800
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 3,000
TB67S269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S269FTG，El 2.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S269 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG12 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 1.2V - 1 0.857V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCV7103F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103F te12l，Q） -
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 5a 0.8V 5.5V 2.7V
TA58L05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58L05 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 MA 50 mA 使能够 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L018F（TE12L，f） 0.7200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-243AA TA48L018 16V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 ma - 积极的 150mA 1.8V - 1 0.5V @ 100mA 72dB （120Hz） 在电流上超过温度
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18，LM（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE18 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE11 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.67V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF32，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 3.2V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H451 Bicdmos - 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TB67H451FNGELCT Ear99 8542.39.0001 3,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 前驾驶员 -半桥 3.5a 4.5V〜44V 双极 DC -
TA78L007AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L007AP，f（j。 -
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L007 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 7V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 46dB（120Hz） 超过电流
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（ls2pev，aq -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EE125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE125，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE125 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.25V - 1 0.57V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
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196-LFBGA裸露的垫子

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