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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TA78L018AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,WNLF(J -
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 ECAD 7079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L018 40V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 18V - 1 1.7V@40mA（典型值） 38分贝（120赫兹） 过电流
TC62D748CFNAG(ELHB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG(ELHB -
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 ECAD 3127 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) LED照明 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFNAG（ELHB） 过时的 1 90毫安 16 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TB62779FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62779FNG,EL -
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 ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） 线性 TB62779 - 20-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 9 是的 - 5.5V 脉宽调节 3V 4V
ULN2003APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage ULN2003APG,CN -
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 ECAD 6047 0.00000000 东芝半导体和存储 ULx200xA 管子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - ULN2003 反相 NPN 1:1 16-DIP - 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 25 不需要 平行线 7 - 低侧 - 50V（最大） 继电器、电磁阀驱动器 500毫安
TCR3DF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF285,LM(CT 0.0906
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 ECAD 9633 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF285 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM33A,L3F 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 3.3V - 1 0.285V@800mA - 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A，LF（SE 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 0.9V - 1 - - 过流、过温
TB67H452FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H452FTG，EL 3.8200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67H452 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 司机 脉宽调节 半桥 (4) 5A 6.3V～38V 双 有刷直流 -
TA76431S(6NETPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(6NETPP,AF -
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 ECAD 9510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR4DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG18，LF 0.1357
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 ECAD 3896 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 1.8V - 1 0.473V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG,8 3.8200
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 ECAD 5140 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -30℃～85℃ 通用型 表面贴装 64-TQFP 裸露焊盘 TB6560 4.5V～5.5V 64-HQFP (10x10) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 4.5V~34V 双 -
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG，EL 1.5300
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 ECAD 8443 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 16-VFQFN 裸露焊盘 TC78H670 DMOS 1.5V～5.5V 16-VQFN (3x3) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 串行 半桥 (4) 2A 2.5V～16V 双 有刷直流 1, 1/2
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG，EL 0.6922
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 ECAD 8459 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78B006 功率MOSFET 3.5V～16V 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TAR5S35U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S35U(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S35 15V 固定的 超短波病毒 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3.5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2LE085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE085,LM(CT 0.0742
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 ECAD 7723 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.85V - 1 1.58V@150mA - 过电流
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78DL05PI -
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 ECAD 3058 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 50
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A，LF（SE） 0.4700
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 ECAD 9199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第680章 电流限制，启用 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.327V@300mA - 过流、过温
TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF09A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF09 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第580章 使用能够 的积极 300毫安 0.9V - 1 1.157V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM18A，射频 0.3700
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 2.2微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.445V@200mA - 过流、过温
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095，LF 0.1344
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 ECAD 9016 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM095 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.95V - 1 0.23V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG,8,EL 1.2236
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 ECAD 2740 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB6613 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） TB6613FTG8EL EAR99 8542.39.0001 2,000
TB6586FG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG，EL，干式 -
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 ECAD 8685 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） TB6586 双CMOS 6.5V～16.5V 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.31.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TC78H620FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG，EL 1.6300
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 ECAD 323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78H620 DMOS 2.7V～5.5V 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1A 2.5V～15V 单极 有刷直流 1, 1/2
TA76431AS(T6SOY,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS(T6SOY,AF -
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 ECAD 6330 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67S215FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S215FTAG，EL 2.7300
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 ECAD 7254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S215 功率MOSFET 4.75V～5.25V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2A 10V～35V 双 - 1、1/2、1/4
TCK128BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128BG,LF 0.4800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 负载预测，转换速率受控 TCK128 非反相 P沟道 1:1 4-WCSPG (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 - 高边 343毫欧 1V～5.5V 通用型 1A
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A，LF 0.1357
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 ECAD 7913 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1V - 1 0.25V@500mA 90分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(苏米斯、AQ) -
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 ECAD 7219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41,LM(CT 0.3500
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 ECAD 233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE41 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4.1V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084APG 1.4900
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 ECAD 517 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62084 反相 N沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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