SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入(最大) 输出类型 温度系数 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) ECCN htsus 标准包 参考类型 当前-iq(iq) 电流 -供应(最大) 控制功能 输出配置 电流 -输出 电压 -输出(最小/固定) 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出(最大) 监管机构数量 ((() PSRR 保护功能
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta76431s,f(j -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TA76431S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431,T6Muraf(j。 -
RFQ
ECAD 3381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TA76431S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431,T6WNLF(j。 -
RFQ
ECAD 3584 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TA76431S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S,WNLF(j -
RFQ
ECAD 3533 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TA76432AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432A,T6F(j。 -
RFQ
ECAD 3225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA76432S(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S(f,m) -
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6F(j -
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,WNLF(j -
RFQ
ECAD 4672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA76L431S(T6SOY,QM Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S (T6SOY,QM -
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S,Q(j。 -
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78DS05BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,f(j -
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度,超过电压,瞬态电压
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6NHF(j -
RFQ
ECAD 6489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度,超过电压,瞬态电压
TA78DS05CP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP (MBS1,FM -
RFQ
ECAD 4472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度,超过电压,瞬态电压
TA78DS05CP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP,6KeHF (M -
RFQ
ECAD 2213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度,超过电压,瞬态电压
TA78DS08BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP,f(j -
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度,超过电压,瞬态电压
TA78L005AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,HOTIF(m -
RFQ
ECAD 7090 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6F(j -
RFQ
ECAD 9170 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
TA78L005AP,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6NSF(j -
RFQ
ECAD 3616 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
TA78L005AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6WNF(j。 -
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,WNLF(j -
RFQ
ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
TA78L007AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L007AP,f(j。 -
RFQ
ECAD 6232 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L007 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 7V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 46dB(120Hz) 超过电流
TA78L008AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,f(j -
RFQ
ECAD 2729 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 45DB (120Hz) 超过电流
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP,APNF (M -
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L009 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 9V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 44dB (120Hz) 超过电流
TA78L009AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP,f(j -
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L009 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 9V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 44dB (120Hz) 超过电流
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP (6TOJ,AF -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L012 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 41dB(120Hz) 超过电流
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,WNLF(j -
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L012 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 41dB(120Hz) 超过电流
TA78L015AP(TPE6,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP (TPE6,FM -
RFQ
ECAD 6651 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L015 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 40dB (120Hz) 在电流上超过温度
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6Murf (m -
RFQ
ECAD 9977 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L015 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 40dB (120Hz) 在电流上超过温度
TA78L018AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,WNLF(j -
RFQ
ECAD 7079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 38dB(120Hz) 超过电流
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L12BP -
RFQ
ECAD 3569 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库