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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 负载类型 RDS（类型） 电流 -峰值输出 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TC62D748CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG，El 1.5800
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） LED照明 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D748 - 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 2,000 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TAR5S40(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S40（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TAR5S40 15V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 打开/关 积极的 200mA 4V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19，LF -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN19 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.29V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL05PI -
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG，El 0.6922
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78B006 动力mosfet 3.5V〜16V 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） - - - DC（BLDC） -
TCR2DG19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG19，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.17V @ 100mA - 在电流上超过温度
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG，El 0.8900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62004 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TA76L431S(T6SOY,QM Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S （T6SOY，QM -
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG，El 2.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 - TB67Z800 - 5.5V〜22V 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 3a 逻辑 电流限制，超过温度，射门，uvlo 3（3） 电感，电容 - - 5.5V〜22V
TCK323G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK323G，LF 1.5000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK323 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage tb7101af（t5l3.3，f） -
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 3.3V - 4.3V
TCR3RM285A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A，LF （SE 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM285 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.85V - 1 0.15V @ 300mA - 在电流上超过温度
TA76431S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TBD62003AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFNG，El 1.1000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） - TBD62003 反转 n通道 1：1 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG，8，El 1.0604
RFQ
 ECAD 8985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTG，El 1.1819
RFQ
 ECAD 1525年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.4a 10v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4
TB67H452FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H452FTG，El 3.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67H452 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 司机 PWM （4） 5a 6.3v〜38V 双极 DC -
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM08A，RF 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 5,000 2.2 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.8V - 1 - 74DB〜43DB （100Hz〜100KHz） 在电流上超过温度
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653FTG，El 1.5600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 16-VFQFN暴露垫 TC78H653 DMO 1.8V〜7V 16-vqfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 - （4） 4a 1.8V〜7V 双极 DC -
TB62752AFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752AFUG，EL -
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 SOT-23-6 DC DC调节器 TB62752 1.1MHz SOT-23-6 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
TCR3DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG12，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG12 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - 积极的 300mA 1.2V - 1 0.6V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62503APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503APG 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62503 反转 n通道 1：1 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62503APG Z，Hz） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，C8，El 1.1958
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，El 2.8700
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S521 DMO 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜34V 双极 DC 1、1/2、1/4
TA78L018AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 7079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TCK128BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 负载排放，控制率 TCK128 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TBD62783AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG -
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 SOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10，LM （CT 0.0762
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE10 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TB62214AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H451 - 2v〜5.5V 8-hsop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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