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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 故障保护 控制特性 输出配置 传感方式 准确性 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL，射频 1.6700
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 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 TCKE712 4.4V～13.2V 10-WSONB (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - -
TCR3RM29A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A，LF（SE 0.4600
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM29 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 2.9V - 1 0.15V@300mA - 过流、过温
TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF17,LM(CT 0.0906
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 ECAD 8478 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF17 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.7V - 1 0.47V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78L24BP -
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 ECAD 4448 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1
TA78L005AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,HOTIF(M -
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 ECAD 7090 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG,C8,EL 3.6500
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 ECAD 4786 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB62215 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
KIA78DL06PI Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78DL06PI -
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 ECAD 7915 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 50
TBD62064AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFAG，EL 1.2300
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 ECAD 3705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） - 待定62064 反相 N沟道 1:1 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 4 - 低侧 430毫欧 50V（最大） 通用型 1.25A
TCR5RG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG12A，LF 0.5300
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG12 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 1.2V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TBD62308AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308AFG,EL 1.6600
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 ECAD 5343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-BSOP（0.252英寸，6.40毫米宽）+ 2个笔记本片 - 待定62308 反相 N沟道 1:1 16-HSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,500人 4.5V~5.5V 开/关 4 - 低侧 370毫欧 50V（最大） 通用型 1.5A
TB62261FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTG，EL 1.1819
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 ECAD 5801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 器具 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB62261 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.4A 10V～38V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TB67S549FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S549FTG，EL 1.9800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 24-VFQFN 裸露焊盘 TB67S549 DMOS 4.5V～33V 24-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 1.2A 4.5V～33V 双 有刷直流 1 ~ 1/32
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG,8 3.8200
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 ECAD 5140 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -30℃～85℃ 通用型 表面贴装 64-TQFP 裸露焊盘 TB6560 4.5V~5.5V 64-HQFP (10x10) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 4.5V~34V 双 -
TCR4DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG18，LF 0.1357
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 ECAD 3896 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 1.8V - 1 0.473V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF09A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF09 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第580章 使用能够 的积极 300毫安 0.9V - 1 1.157V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB62212FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212FNG,C8,EL 3.7100
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB62212 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 2A 10V～38V 双 有刷直流 -
TCR2EF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF10,LM(CT 0.3300
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 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF10 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1V - 1 0.77V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB6596FLG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6596FLG,EL -
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 ECAD 2505 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB6596 功率MOSFET 3V～5.5V 36-QON (6x6) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 串行 半桥 (12) 600毫安 2.2V～5.5V 双 有刷直流 1 ~ 1/64
TA78DS08BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP,F(J -
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 ECAD 1291 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 1.2毫安 - 的积极 30毫安 8V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、瞬态电压
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18,LF(SE 0.4800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.38V@300mA - 过流、过温
TA58L08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S(FJTN,QM) -
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 ECAD 1610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 8V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28,LM(CT 0.0927
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 ECAD 8485 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF28 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG，EL 0.6922
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 ECAD 8459 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78B006 功率MOSFET 3.5V～16V 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCR2EN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19，LF -
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 ECAD 2624 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN19 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.9V - 1 0.29V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TPD7107F,BXH Toshiba Semiconductor and Storage TPD7107F,BXH 1.3254
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 ECAD 8343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 TPD7107 非反相 未验证 5.75V～26V 10-WSON (3x3) 下载 EAR99 8542.39.0001 4,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.6V、2.4V 5毫安 -
TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S033AF(T6L1,Q) -
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 ECAD 6410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～150℃ 表面贴装 TO-252-6，DPak（5引脚+片） TA48S033 16V 固定的 5-HSIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 使用能够 的积极 1A 3.3V - 1 0.68V@1A（典型值） 63分贝（120赫兹） 过流、过温
ULN2003APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage ULN2003APG,CN -
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 ECAD 6047 0.00000000 东芝半导体和存储 ULx200xA 管子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - ULN2003 反相 NPN 1:1 16-DIP - 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 25 不需要 平行线 7 - 低侧 - 50V（最大） 继电器、电磁阀驱动器 500毫安
TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM33A,L3F 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 3.3V - 1 0.285V@800mA - 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A，LF（SE 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 0.9V - 1 - - 过流、过温
TB67H452FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H452FTG，EL 3.8200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67H452 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 司机 脉宽调节 半桥 (4) 5A 6.3V～38V 双 有刷直流 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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