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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 负载类型 导通电阻（典型值） 当前 - 高峰 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，EL 2.8700
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 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S521 DMOS 2V～5.5V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 2.8A 10V~34V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK402G,LF 0.6200
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 ECAD 213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP TCK402 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 低侧 1 - 0.4V、1.6V - 0.2毫秒、1.5微秒
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG，EL 1.5300
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 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 TB67H451 - 2V～5.5V 8-HSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,500人 司机 - 半桥 3.5A 4.5V~44V - 有刷直流 -
TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105，L3F 0.4600
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 ECAD 9938 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM105 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.05V - 1 0.24V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TB6641FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FTG,8,EL 1.1263
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 ECAD 3247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 TB6641 功率MOSFET 10V～45V 32-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (2) 1.5A 10V～45V - 有刷直流 -
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105，LF 0.4500
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM105 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.05V - 1 0.75V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN、LF 0.8900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 负载预测，转换速率受控 TCK207 非反相 N沟道 1:1 4-DFNA (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 21.5毫欧 0.75V～3.6V 通用型 2A
TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG，EL 2.7700
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 - TB67Z800 - 5.5V～22V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 3A 逻辑 电流限制、过温、击穿、 半桥 (3) 电感式、电容式 - - 5.5V～22V
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
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 ECAD 5287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62003 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TBD62003APG(Z,HZ) EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCR8BM09A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM09A,L3F 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 0.9V - 1 0.22V@800mA - 过流、过温、欠压锁定
TC62D748CFNAG(ELHB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG(ELHB -
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 ECAD 3127 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) LED照明 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFNAG（ELHB） 过时的 1 90毫安 16 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TB62779FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62779FNG,EL -
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 ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） 线性 TB62779 - 20-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 9 是的 - 5.5V 脉宽调节 3V 4V
TCR3DF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF285,LM(CT 0.0906
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 ECAD 9633 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF285 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM33A,L3F 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 3.3V - 1 0.285V@800mA - 过流、过温、欠压锁定
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A，LF（SE 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 0.9V - 1 - - 过流、过温
TB67H452FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H452FTG，EL 3.8200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67H452 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 司机 脉宽调节 半桥 (4) 5A 6.3V～38V 双 有刷直流 -
TA76431S(6NETPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(6NETPP,AF -
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 ECAD 9510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR4DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG18，LF 0.1357
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 ECAD 3896 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 1.8V - 1 0.473V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG,8 3.8200
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 ECAD 5140 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -30℃～85℃ 通用型 表面贴装 64-TQFP 裸露焊盘 TB6560 4.5V~5.5V 64-HQFP (10x10) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 4.5V~34V 双 -
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG，EL 1.5300
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 ECAD 8443 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 16-VFQFN 裸露焊盘 TC78H670 DMOS 1.5V～5.5V 16-超薄四方无光纤 (3x3) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 串行 半桥 (4) 2A 2.5V～16V 双 有刷直流 1, 1/2
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG，EL 0.6922
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 ECAD 8459 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78B006 功率MOSFET 3.5V～16V 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TAR5S35U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S35U(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S35 15V 固定的 超短波病毒 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3.5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2LE085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE085,LM(CT 0.0742
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 ECAD 7723 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.85V - 1 1.58V@150mA - 过电流
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78DL05PI -
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 ECAD 3058 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 50
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A，LF（SE） 0.4700
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 ECAD 9199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第680章 电流限制，启用 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.327V@300mA - 过流、过温
TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF09A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF09 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第580章 使用能够 的积极 300毫安 0.9V - 1 1.157V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM18A，射频 0.3700
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 2.2微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.445V@200mA - 过流、过温
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095，LF 0.1344
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 ECAD 9016 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM095 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.95V - 1 0.23V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG,8,EL 1.2236
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 ECAD 2740 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB6613 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） TB6613FTG8EL EAR99 8542.39.0001 2,000
TB6586FG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG，EL，干式 -
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 ECAD 8685 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） TB6586 双CMOS 6.5V～16.5V 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.31.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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