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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 负载类型 导通电阻（典型值） 当前 - 高峰 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNAG，EL -
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 ECAD 7768 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TB62747 - 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 45毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 26V
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(YNS,AQ) -
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 ECAD 2248 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6MURF(M -
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 ECAD 9977 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L015 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 15V - 1 1.7V@40mA（典型值） 40分贝（120赫兹） 过流、过温
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32,LM(CT 0.3500
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE32 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.2V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR15AG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG30，LF 0.2294
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 ECAD 8000 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG30 6V 固定的 6-WCSP (1.2x0.80) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 3V - 1 0.648V@1.5A 95dB～60dB（1kHz） 电流限制、热关断、UVLO
TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A，LF 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG12 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第580章 使用能够 的积极 300毫安 1.2V - 1 0.857V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G，LF 0.1675
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 ECAD 7646 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK22921 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S(T6SOY,AQ -
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 ECAD 2963 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76L431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185,LM(CT 0.0906
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 ECAD 4999 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF185 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.85V - 1 0.4V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G,LF -
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 ECAD 4705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-UFBGA 转换速率受控 TCK108 非反相 P沟道 1:1 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 - 高边 49毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11,LM(CT 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE11 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 0.67V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG,LF 0.4800
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 转换速率受控 TCK126 非反相 P沟道 1:1 4-WCSPG (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 - 高边 343毫欧 1V～5.5V 通用型 1A
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13,LM(CT 0.3800
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF13 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.3V - 1 1.13V@150mA - 过电流
TCR2DG26,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG26，LF 0.1394
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 ECAD 4130 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.6V - 1 0.13V@100mA - 过流、过温
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125，LF 0.0896
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 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN125 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.25V - 1 0.55V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM08A，射频 0.3700
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） 5,000 2.2微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 0.8V - 1 - 74dB～43dB（100Hz～100kHz） 过流、过温
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 2343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA58M10 29V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.2毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 10V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A,L3F 0.1628
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 ECAD 8877 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM11 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.1V - 1 0.245V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TA78L12PF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12PF(TE85L,F) -
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 ECAD 9901 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～85℃ 表面贴装 8-SMD，写入 TA78L12 35V 固定的 PS-8 (2.9x2.4) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 6毫安 6.5毫安 - 的积极 150毫安 12V - 1 2V@150mA（典型值） 41分贝（120赫兹） 过流、过温
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，EL 2.8700
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 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S521 DMOS 2V～5.5V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 2.8A 10V~34V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK402G,LF 0.6200
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 ECAD 213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP TCK402 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 低侧 1 - 0.4V、1.6V - 0.2毫秒、1.5微秒
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG，EL 1.5300
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 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 TB67H451 - 2V～5.5V 8-HSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,500人 司机 - 半桥 3.5A 4.5V~44V - 有刷直流 -
TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105，L3F 0.4600
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 ECAD 9938 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM105 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.05V - 1 0.24V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TB6641FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FTG,8,EL 1.1263
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 ECAD 3247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 TB6641 功率MOSFET 10V～45V 32-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (2) 1.5A 10V～45V - 有刷直流 -
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105，LF 0.4500
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM105 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.05V - 1 0.75V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN、LF 0.8900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 负载预测，转换速率受控 TCK207 非反相 N沟道 1:1 4-DFNA (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 21.5毫欧 0.75V～3.6V 通用型 2A
TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG，EL 2.7700
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 - TB67Z800 - 5.5V～22V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 3A 逻辑 电流限制、过温、直通、UVLO 半桥 (3) 电感式、电容式 - - 5.5V～22V
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
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 ECAD 5287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62003 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TBD62003APG(Z,HZ) EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCR8BM09A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM09A,L3F 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 0.9V - 1 0.22V@800mA - 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TC62D748CFNAG(ELHB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG(ELHB -
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 ECAD 3127 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) LED照明 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFNAG（ELHB） 过时的 1 90毫安 16 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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