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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA78DS05BP(FJTN,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP（fjtn，AF -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TC78H620FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG，El 1.6300
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78H620 DMO 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜15V 单极 DC 1，1/2
TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFNG，El 1.0600
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） - TBD62503 反转 n通道 1：1 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TCR3DF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF45，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF45 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 125 µA 使能够 积极的 300mA 4.5V - 1 0.22V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TBD62503AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFG，El 1.4900
RFQ
 ECAD 1663年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62503 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 控制率控制 TCK126 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR2DG295,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG295，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.95V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR5AM06,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM06，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM06 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.6V - 1 0.2V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TB62752AFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752AFUG，EL -
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 SOT-23-6 DC DC调节器 TB62752 1.1MHz SOT-23-6 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
TBD62503APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503APG 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62503 反转 n通道 1：1 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62503APG Z，Hz） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，C8，El 1.1958
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TA78L018AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 7079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，El 2.8700
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S521 DMO 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜34V 双极 DC 1、1/2、1/4
TBD62783AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG -
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 SOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10，LM （CT 0.0762
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE10 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TB62214AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG，El -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D722 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H451 - 2v〜5.5V 8-hsop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
TCR3UF18A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF18 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR3UF18ALM（ct Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA - 积极的 300mA 1.8V - 1 0.464V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG08 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 0.8V - 1 1.257V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S（t6psetemf -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） TA76431ST6PSETEMF Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653FTG，El 1.5600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 16-VFQFN暴露垫 TC78H653 DMO 1.8V〜7V 16-vqfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 - （4） 4a 1.8V〜7V 双极 DC -
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF27 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.7V - 1 0.31V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TB67H400AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFTG，El 3.4100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67H400 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 6a 10v〜47V - DC -
TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G，LF 0.1675
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK22921 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG11 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） - rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.85V - 1 0.19V @ 500mA - 在电流上超过温度
TBD62064AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFAG，El 1.2300
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TBD62064 反转 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 4 - 低侧 430MOHM （50V）） 通用目的 1.25a
TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，LSF （Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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