电源管理 (PMIC)(1138)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	类型	特征	基本产品编号	输入类型	频率	技术	电压 - 输入（最大）	输出类型	其中 - 输入：输出	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	功能	电流 - 输出/通道	电压 - 电源 (Vcc/Vdd)	界面	产出数量	电流 - 静态 (Iq)	电流 - 电源（最大）	内部开关	拓扑结构	故障保护	控制特性	电压 - 电源（最大）	输出配置	当前-输出	导通电阻（典型值）	电压-负载	电机类型 - 步进	电机类型 - 交流、直流	步骤解析	调光	电压-电源（最小）	电压 - 输出	开关类型	当前-产出（最大）	电压 - 输出（最小/固定）	电压 - 输出（最大）	调节器数量	电压降幅（最大）	电源抑制比	保护特性
TCR3UF28A,LM(CT	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	TCR3UF	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR3UF28				5.5V	固定的			SMV	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000						第680章					使用能够		的积极	300毫安											2.8V	-	1	0.342V@300mA	70分贝（1kHz）	过流、过温
TB67S265FTG，EL	1.1819	询价	3827	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 150°C（太焦）	通用型	表面贴装	48-WFQFN 裸露焊盘			TB67S265			功率MOSFET				4.75V～5.25V	48-WQFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			串联、串联									半桥 (4)	2A		10V~47V	双	-	1, 1/2
TCR2EN285，LF（SE）	0.3800	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						60微安					使用能够		的积极	200毫安											2.85V	-	1	0.21V@150mA	-	过电流
TC62D748CFNAG，C，EB	-	询价	8057	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	-	表面贴装	24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽）	线性		TC62D748		-						24-SSOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	2,000		90毫安			16			是的	升降台			5.5V								-	3V	17V
TB6585AFTGC8,EL	1.9179	询价	7765	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-30°C ~ 85°C (TA)	通用型	表面贴装	48-VFQFN 裸露焊盘			TB6585			双CMOS				4.5V～42V	48-QFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	2,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线									半桥 (3)	1.2A		4.5V～42V	-	无刷直流 (BLDC)	-
TCR2LN20,LF(SE	0.3800	询价	228	东芝半导体和存储	TCR2LN	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						2微安					使用能够		的积极	200毫安											2V	-	1	0.54V@150mA	-	过电流
TCR3DM28,LF(SE	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-UDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			4-DFN (1x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000											使用能够		的积极	300毫安											2.8V	-	1	0.25V@300mA	-	过流、过温
TCR8BM30A,L3F	0.4600	询价	10	东芝半导体和存储	TCR8BM	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-XDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			5-DFNB (1.2x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000						36微安					电流限制，启用		的积极	800毫安											3V	-	1	0.285V@800mA	-	过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR2LN25,LF(SE	0.3800	询价	10	东芝半导体和存储	TCR2LN	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						2微安					使用能够		的积极	200毫安											2.5V	-	1	0.36V@150mA	-	过电流
TA58L06S,Q(J	-	询价	5930	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	-40℃～105℃		通孔	TO-220-3全包			TA58L06				29V	固定的			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1						1毫安	50毫安				-		的积极	250毫安											6V	-	1	0.4V@200mA	-	过流、过温
TCR2LN105，LF	-	询价	9926	东芝半导体和存储	TCR2LN	卷带式 (TR)	过时的	-40℃～85℃		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘			TCR2LN105				5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						2微安					使用能够		的积极	200毫安											1.05V	-	1	1.38V@150mA	-	过电流
TB67S209FTG，EL	1.6644	询价	2320	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-20℃～85℃	通用型	表面贴装	48-WFQFN 裸露焊盘			TB67S209			NMOS、PMOS				4.75V～5.25V	48-WQFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准			EAR99	8542.39.0001	4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线									半桥 (4)	3A		10V~47V	双	有刷直流	1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCR8BM095A,L3F	0.4600	询价	10	东芝半导体和存储	TCR8BM	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-XDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			5-DFNB (1.2x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000						36微安					电流限制，启用		的积极	800毫安											0.95V	-	1	0.225V@800mA	-	过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR2LN285，LF	-	询价	5637	东芝半导体和存储	TCR2LN	卷带式 (TR)	过时的	-40℃～85℃		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘			TCR2LN285				5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						2微安					使用能够		的积极	200毫安											2.85V	-	1	0.36V@150mA	-	过电流
TCR3UF105A,LM(CT	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	TCR3UF	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR3UF105				5.5V	固定的			SMV	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000						第580章					使用能够		的积极	300毫安											1.05V	-	1	1.057V@300mA	70分贝（1kHz）	过流、过温
TCR15AG10，LF	0.2531	询价	6785	东芝半导体和存储	TCR15AG	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	6-XFBGA、WLCSP			TCR15AG10				5.5V	固定的			6-WCSPF (0.80x1.2)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000						40微安					使用能够		的积极	1.5A											1V	-	1	0.228V@1.5A	95分贝（1kHz）	过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TB6642FTG,8,EL	2.3700	询价	2373	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通用型	表面贴装	32-VFQFN 裸露焊盘			TB6642			双CMOS				10V～45V	32-VQFN (5x5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	2,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			毛量、脉宽调制									半桥 (2)	1.5A		10V～45V	-	有刷直流	-
TCR5BM105，L3F	0.4100	询价	第333章	东芝半导体和存储	TCR5BM	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-XDFN 裸露焊盘			TCR5BM105				5.5V	固定的			5-DFNB (1.2x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000						36微安					使用能够		的积极	500毫安											1.05V	-	1	0.14V@500mA	98分贝（1kHz）	过流、过温
TCR3DM18，LF	0.3700	询价	9501	东芝半导体和存储	TCR3DM	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-UDFN 裸露焊盘			TCR3DM18				5.5V	固定的			4-DFN (1x1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						65微安	78微安				使用能够		的积极	300毫安											1.8V	-	1	0.38V@300mA	70分贝（1kHz）	过流、过温
TAR5S33UTE85LF	0.5000	询价	27	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅			塔尔5S33				15V	固定的			超短波病毒	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000						850微安					使用能够		的积极	200毫安											3.3V	-	1	0.2V@50mA	70分贝（1kHz）	过流、过温
TPD4164F,LF	7.4500	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 135°C (TJ)	通用型	表面贴装	42-SOP（0.330英寸，8.40毫米宽），31引脚，裸露焊盘						IGBT				13.5V	31-高速钢	-	符合ROHS3标准	3（168小时）				1,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			脉宽调节									半桥 (3)	3A		13.5V～450V	多相	无刷直流 (BLDC)	-
TCR2EF13,LM(CT	0.4200	询价	60	东芝半导体和存储	TCR2EF	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR2EF13				5.5V	固定的			SMV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000						60微安					使用能够		的积极	200毫安											1.3V	-	1	0.47V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TCR2DG28，LF	0.5000	询价	9976	东芝半导体和存储	TCR2DG	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-UFBGA、WLCSP			TCR2DG28				5.5V	固定的			4-WCSP (0.79x0.79)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000						70微安					-		的积极	200毫安											2.8V	-	1	0.12V@100mA	-	浪涌电流、过流、热关断
TCR2LE115,LM(CT	0.0742	询价	6644	东芝半导体和存储	TCR2LE	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	SOT-553							5.5V	固定的			ESV	下载	符合ROHS3标准			EAR99	8542.39.0001	4,000						2微安					使用能够		的积极	200毫安											1.15V	-	1	1.3V@150mA	-	过电流
TBD62381APG	1.9400	询价	6671	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-40℃～85℃		通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		-	待定62381	-				N沟道	1:1		18-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	20			4.5V~5.5V	开/关	8					-			低侧		1欧姆	0V～50V							通用型	500毫安
TCR5AM105，LF	0.1344	询价	1346	东芝半导体和存储	TCR5AM	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XDFN 裸露焊盘			TCR5AM105				5.5V	固定的			5-DFNB (1.2x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000						55微安	68微安				使用能够		的积极	500毫安											1.05V	-	1	0.25V@500mA	70dB～40dB（1kHz～10Hz）	过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TB67S512FTAG，EL	2.7700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-20℃～85℃（TA）	通用型	表面贴装	36-WFQFN 裸露焊盘			TB67S512			功率MOSFET				2V～5.5V	36-WQFN (6x6)	下载	符合ROHS3标准			EAR99	8542.39.0001	4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			脉宽调节									预驱动器 - 半桥 (4)	2A		10V～35V	双	有刷直流	1、1/2、1/4
TCR3UM2925A，LF（SE）	0.4600	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-UDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			4-DFN (1x1)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						第680章					电流限制，启用		的积极	300毫安											2.925V	-	1	0.327V@300mA	-	过流、过温
TBD62503APG	1.3600	询价	1	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		-	待定62503	反相				N沟道	1:1		16-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TBD62503APG(Z,HZ)	EAR99	8542.39.0001	25			不需要	开/关	7					-			低侧		-	50V（最大）							通用型	300毫安
TB67S149AFTG，EL	1.7809	询价	6157	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	通用型	表面贴装	48-WFQFN 裸露焊盘						NMOS				4.75V～5.25V	48-WQFN (7x7)	下载						4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			开/关									-	-		10V～40V	单极	-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

电源管理 (PMIC)(1138)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²