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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电压 -输入 | 电压 -输入(最大) | 输出类型 | sic可编程 | 比率-输入:输出 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 界面 | 输出数量 | 当前-iq(iq) | 电流 -供应(最大) | 频道类型 | 故障保护 | 控制功能 | 输出配置 | 电流 -输出 | RDS(类型) | 电压 -负载 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 电机类型 -步进 | 电机类型-AC,DC | 步骤分辨率 | 电压 -输出 | 开关类型 | 电流 -输出(最大) | 电压 -输出(最小/固定) | 电压 -输出(最大) | 监管机构数量 | ((() | PSRR | 保护功能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TCK420G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-XFBGA,WLCSP | TCK420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜28V | 6-WCSPG(0.8x1.2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.4V,1.2V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L005AP,SDENF(j | - | ![]() | 1118 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C 〜85°C | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | TA78L005 | 35V | 固定的 | LSTM | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 ma | - | 积极的 | 150mA | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40mA ty(typ) | 49dB(120Hz) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF18,LM(ct | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | TCR3DF18 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 65 µA | 78 µA | 使能够 | 积极的 | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.4V @ 300mA | 70dB(1KHz) | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG31,LF | 0.1445 | ![]() | 8069 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2DG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-ufbga,WLCSP | TCR2DG31 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSP(0.79x0.79) | 下载 | rohs3符合条件 | TCR2DG31LF | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 70 µA | - | 积极的 | 200mA | 3.1V | - | 1 | 0.11V @ 100mA | - | 电流电流,超过电流的热关机 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78B009FTG,El | 2.9800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | 36-WFQFN暴露垫 | TC78B009 | NMOS | 5.5V〜27V | 36-WQFN(5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 控制器 -换向,指导管理,指导管理 | I²C,PWM | 前驾驶员 -高侧/低侧 | 240mA | - | 多相 | DC(BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62083AFG,El | 1.3600 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 18-SOIC(0.276英寸,7.00mm宽度) | - | TBD62083 | 反转 | n通道 | 1:1 | 18 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 不需要 | 打开/关 | 8 | - | 低侧 | - | (50V)) | 通用目的 | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB9045FNG-11,El | 11.4387 | ![]() | 8581 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 电源,汽车应用 | 表面安装 | 48-TFSOP (0.240英寸,6.10mm宽) | TB9045 | - | 48-htssop | 下载 | 3(168)) | 264-TB9045FNG-11110ELTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3 | 6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TA7267BP(O) | - | ![]() | 6627 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -30°C〜75°C(TA) | 媒体播放器 | 通过洞 | 7-sip裸露的选项卡 | TA7267 | 双极 | 6v〜18V | 7-hsip | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 | 平行线 | 2(2) | 1a | 0v〜18V | - | DC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN18,LF | 0.0896 | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2en | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | TCR2EN18 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN(0.8x0.8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.8V | - | 1 | 0.29V @ 150mA | 73dB (1KHz) | 超过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58M08S(fjtn,AQ) | - | ![]() | 4671 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TA58M08 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 ma | - | 积极的 | 500mA | 8V | - | 1 | 0.65V @ 500mA | - | 在电流上超过温度,反向极性 | |||||||||||||||||||||||||||||||
TCR3RM10A,LF (Se | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3RM | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-xdfn暴露垫 | TCR3RM10 | 5.5V | 固定的 | 4-DFNC(1x1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12 µA | 当前限制,启用 | 积极的 | 300mA | 1V | - | 1 | - | - | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK128AG,LF | - | ![]() | 2792 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TCK128 | - | 264-TCK128AG,LFTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN10,lf(Se | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TJ) | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN(0.8x0.8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1V | - | 1 | 1.38V @ 150mA | - | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tcr2en12,lf(Se | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN(0.8x0.8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.2V | - | 1 | 0.55V @ 150mA | - | 超过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TAR5S16U(TE85L,F) | 0.6000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | TAR5S16 | 15V | 固定的 | UFV | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 850 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.6V | - | 1 | - | 70dB(1KHz) | 在电流上超过温度 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5BM11,L3F | 0.5100 | ![]() | 705 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5BM | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-xdfn暴露垫 | TCR5BM11 | 5.5V | 固定的 | 5-DFNB(1.2x1.2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | 当前限制,启用 | 积极的 | 500mA | 1.1V | - | 1 | 0.14V @ 500mA | 98dB (1KHz) | 在电流上超过温度 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK108AG,LF | 0.4800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 4-ufbga,WLCSP | 负载排放,控制率 | TCK108 | 不转变 | P通道 | 1:1 | 4-WCSPD(0.79x0.79) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 不需要 | 打开/关 | 1 | - | 高侧 | 34mohm | 1.1V〜5.5V | 通用目的 | 1a | ||||||||||||||||||||||||||||||
TCR3RM28A,LF (Se | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3RM | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-xdfn暴露垫 | TCR3RM28 | 5.5V | 固定的 | 4-DFNC(1x1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12 µA | 当前限制,启用 | 积极的 | 300mA | 2.8V | - | 1 | 0.15V @ 300mA | 100dB〜68dB (1KHz〜1MHz) | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE105,LM(ct | 0.3900 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TJ) | 表面安装 | SOT-553 | TCR2LE105 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 2 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.05V | - | 1 | 1.4V @ 150mA | - | 超过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6640FTG,El | 2.8900 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 通用目的 | 表面安装 | 48-WFQFN暴露垫 | TB6640 | DMO | 3v〜5.5V | 48-WQFN(7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 | PWM | 2(2) | 1a | 4.5V〜38V | 双极 | DC(BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA48LS00F(te85l,f) | - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TA48LS00 | 14V | 可调节的 | PS-8(2.9x2.4) | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1.7 ma | 10 MA | 使能够 | 积极的 | 300mA | 1.5V | 5V | 1 | 0.6V @ 300mA | 60dB(120Hz) | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67B054FTG,El | 3.2800 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜115°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | TB67B054 | Bi-Cmos | 6v〜16.5V | 32-VQFN (5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 | PWM | - | 2mA | - | 多相 | DC(BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG18,LF | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-XFBGA,CSPBGA | TCR3DG18 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSPE(0.65x0.65) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 使能够 | 积极的 | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.365V @ 300mA | 70dB(1KHz) | 电流,高度,温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM35,lf(Se | 0.4800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-udfn裸露的垫子 | 5.5V | 固定的 | 4-DFN(1x1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 264-TCR3DM35LF(setr | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 使能够 | 积极的 | 300mA | 3.5V | - | 1 | 0.23V @ 300mA | - | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE15,LM(ct | - | ![]() | 7280 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | (CT) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | SOT-553 | TCR2EE15 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.5V | - | 1 | - | 73dB (1KHz) | 超过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF30,LM | 0.4000 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | TCR3DF30 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 65 µA | 78 µA | 使能够 | 积极的 | 300mA | 3V | - | 1 | 0.27V @ 300mA | 70dB(1KHz) | 在电流上超过温度 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF18,LM(ct | 0.3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | TCR2LF18 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 µA | 使能够 | 积极的 | 200mA | 1.8V | - | 1 | 0.62V @ 150mA | - | 超过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L005AP (TE6,f,m | - | ![]() | 9780 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C 〜85°C | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | TA78L005 | 35V | 固定的 | LSTM | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 ma | - | 积极的 | 150mA | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40mA ty(typ) | 49dB(120Hz) | - |
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