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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 电压 - 输入(最大) | 输出类型 | 其中 - 输入:输出 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 界面 | 产出数量 | 电流 - 静态 (Iq) | 电流 - 电源(最大) | 故障保护 | 控制特性 | 输出配置 | 当前-输出 | 导通电阻(典型值) | 电压-负载 | 电机类型 - 步进 | 电机类型 - 交流、直流 | 步骤解析 | 开关类型 | 当前-产出(最大) | 电压 - 输出(最小/固定) | 电压 - 输出(最大) | 调节器数量 | 电压降幅(最大) | 电源抑制比 | 保护特性 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TA78DS05CP,ASHIF(M | - | ![]() | 6359 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA78DS | 33V | 固定的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1毫安 | 1毫安 | - | 的积极 | 30毫安 | 5V | - | 1 | 0.3V@10mA | - | 过流、过温、过压、传输 | |||||||||||||||||||||
| TCR3RM10A,LF | - | ![]() | 2170 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3RM | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR3RM10 | 5.5V | 固定的 | 4-DFNC (1x1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | 的积极 | 300毫安 | 1V | - | 1 | 0.13V@300mA | 100分贝(1kHz) | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM285,LF | - | ![]() | 9078 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DM | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-UDFN 裸露焊盘 | TCR3DM285 | 5.5V | 固定的 | 4-DFN (1x1) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 65微安 | 78微安 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 2.85V | - | 1 | 0.25V@300mA | 70分贝(1kHz) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||
![]() | TB67S141NG | 4.8600 | ![]() | 7172 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -20℃~85℃(TA) | 通用型 | 通孔 | 24-SDIP(0.300英寸,7.62毫米) | TB67S141 | 功率MOSFET | 4.75V~5.25V | 24-SDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | TB67S141NG(O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (2) | 3A | 10V~40V | 单极 | - | 1、1/2、1/4 | |||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE285,LM(CT | 0.3900 | ![]() | 923 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LE | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-553 | TCR2LE285 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2.85V | - | 1 | 0.38V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||
![]() | TCK22913G,LF | 0.5100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 6-UFBGA、WLCSP | 负载率 | TCK22913 | 非反相 | P沟道 | 1:1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 不需要 | 开/关 | 1 | 过温、逆向电流、UVLO | 高边 | 31毫欧 | 1.1V~5.5V | 通用型 | 2A | ||||||||||||||||||||
![]() | TB62214AFG,C8,EL | 1.3071 | ![]() | 3937 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 通用型 | 表面贴装 | 28-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 | TB62214 | DMOS | 4.75V~5.25V | 28-HSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (4) | 2A | 10V~38V | 双 | - | 1、1/2、1/4 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN085,LF | - | ![]() | 6604 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | TCR2LN085 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 0.85V | - | 1 | 1.56V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||
![]() | TB62216FG,C,8,EL | 1.5069 | ![]() | 7667 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 通用型 | 表面贴装 | 28-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 | TB62216 | 功率MOSFET | 4.75V~5.25V | 28-HSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 脉宽调节 | 半桥 (4) | 2A | 10V~38V | - | 有刷直流 | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L015AP,F(J | - | ![]() | 7944 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA78L015 | 35V | 固定的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5毫安 | - | 的积极 | 150毫安 | 15V | - | 1 | 1.7V@40mA(典型值) | 40分贝(120赫兹) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TB6559FG,8,EL | 1.9800 | ![]() | 5714 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30°C ~ 85°C (TA) | 通用型 | 表面贴装 | 16-BSOP(0.252英寸,6.40毫米宽)+ 2个笔记本片 | TB6559 | NMOS、PMOS | 10V~30V | 16-HSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,500人 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (2) | 1A | 10V~30V | - | 有刷直流 | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TCK127BG,LF | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 4-XFBGA、CSPBGA | 负载预测,转换速率受控 | TCK127 | 非反相 | P沟道 | 1:1 | 4-WCSPG (0.65x0.65) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 不需要 | 开/关 | 1 | - | 高边 | 343毫欧 | 1V~5.5V | 通用型 | 1A | ||||||||||||||||||||
![]() | TA58L12S(FJTN,QM) | - | ![]() | 5390 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58L12 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2毫安 | 50毫安 | - | 的积极 | 250毫安 | 12V | - | 1 | 0.4V@200mA | - | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN15,LF(SE | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.5V | - | 1 | 1.11V@150mA | - | 过电流 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TA58M08S(FJTN,AQ) | - | ![]() | 4671 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58M08 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1毫安 | 80毫安 | - | 的积极 | 500毫安 | 8V | - | 1 | 0.65V@500mA | - | 过流、过温、反 | |||||||||||||||||||||
![]() | TA48018BF(T6L1,NQ) | - | ![]() | 5230 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~150℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | TA48018 | 16V | 固定的 | PW-模具 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7毫安 | 20毫安 | - | 的积极 | 1A | 1.8V | - | 1 | 1.6V@1A(典型值) | 66分贝(120赫兹) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||
![]() | TA58M15S,Q(J | - | ![]() | 7560 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58M15 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.4毫安 | 80毫安 | - | 的积极 | 500毫安 | 15V | - | 1 | 0.65V@500mA | - | 过流、过温、反 | |||||||||||||||||||||
![]() | TC62D749CFNAG,C,EB | - | ![]() | 4382 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | TC62D749 | - | 符合RoHS标准 | TC62D749CFNAGCEB | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN10,LF(SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1V | - | 1 | 1.38V@150mA | - | 过电流 | ||||||||||||||||||||||
| TB62209FG,EL | - | ![]() | 4905 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通用型 | 表面贴装 | 36-BSSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 | TB62209 | DMOS | 4.5V~5.5V | 36-HSOP | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (4) | 1.5A | 13V~34V | 双 | - | 1、1/2、1/4、1/8、1/16 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78B041FNG,EL | 2.2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~115℃ | 风扇控制器 | 表面贴装 | 30-LSSOP(0.220英寸,5.60毫米宽) | TC78B041 | - | 6V~16.5V | 30-SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 控制器 - 速度 | 脉宽调节 | 高侧、低侧 | 2毫安 | 4.5V~5.3V | 多相 | 无刷直流 (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TCK22891G,LF | 0.5000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 6-UFBGA、WLCSP | 负载率 | TCK22891 | 非反相 | P沟道 | 1:1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 不需要 | 开/关 | 1 | 电流限制(固定),过温 | 高边 | 31毫欧 | 1.4V~5.5V | 通用型 | 400毫安 | ||||||||||||||||||||
![]() | TB67H481FNG,EL | 2.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 通用型 | 表面贴装 | 28-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 | DMOS | 8.2V~44V | 28-高温SSOP | 下载 | 1(无限制) | 4,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 开/关 | 半桥 (4) | 2.5A | 8.2V~44V | 双 | 有刷直流 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67B000AFG,EL | 7.3500 | ![]() | 4094 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~115℃ | 通用型 | 表面贴装 | 42-SOP(0.330英寸,8.40毫米宽),34引脚,裸露P | TB67B000 | IGBT | 13.5V~16.5V | 34-高速钢 | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 脉宽调节 | 半桥 (3) | 2A | 50V~450V | 多相 | 无刷直流 (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TB62213AFG,C8,EL | 1.8494 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 通用型 | 表面贴装 | 28-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 | TB62213 | 功率MOSFET | 4.75V~5.25V | 28-HSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (4) | 2.4A | 10V~38V | 双 | - | 1、1/2、1/4 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TCK104G,LF | 0.2235 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 6-UFBGA、WLCSP | 负载预测,转换速率受控 | TCK104 | 非反相 | P沟道 | 1:1 | 6-WCSPB (0.80x1.2) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 不需要 | 开/关 | 1 | 电流限制(固定),过温 | 高边 | 50毫欧 | 1.1V~5.5V | 通用型 | 800毫安 | ||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EF33,LM(CT | 0.3300 | ![]() | 第271章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2EF33 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 3.3V | - | 1 | 0.2V@150mA | 73分贝(1kHz) | 过电流 | |||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EF18,LM(CT | 0.3300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2EF18 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.8V | - | 1 | 0.31V@150mA | 73分贝(1kHz) | 过电流 |

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