SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入 电压 -输入(最大) 输出类型 sic可编程 比率-输入:输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源( -vcc/vdd) 界面 输出数量 当前-iq(iq) 电流 -供应(最大) 频道类型 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS(类型) 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 电机类型 -步进 电机类型-AC,DC 步骤分辨率 电压 -输出 开关类型 电流 -输出(最大) 电压 -输出(最小/固定) 电压 -输出(最大) 监管机构数量 ((() PSRR 保护功能
TCK420G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK420G,L3F 0.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCK420 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG(0.8x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V,1.2V - -
TA78L005AP,SDENF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,SDENF(j -
RFQ
ECAD 1118 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
TCR3DF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF18,LM(ct 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 TCR3DF18 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.4V @ 300mA 70dB(1KHz) 在电流上超过温度
TCR2DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG31,LF 0.1445
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga,WLCSP TCR2DG31 5.5V 固定的 4-WCSP(0.79x0.79) 下载 rohs3符合条件 TCR2DG31LF Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 3.1V - 1 0.11V @ 100mA - 电流电流,超过电流的热关机
TC78B009FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B009FTG,El 2.9800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TC78B009 NMOS 5.5V〜27V 36-WQFN(5x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.39.0001 5,000 控制器 -换向,指导管理,指导管理 I²C,PWM 前驾驶员 -高侧/低侧 240mA - 多相 DC(BLDC) -
TBD62083AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG,El 1.3600
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 18-SOIC(0.276英寸,7.00mm宽度) - TBD62083 反转 n通道 1:1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - (50V)) 通用目的 500mA
TB9045FNG-110,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-11,El 11.4387
RFQ
ECAD 8581 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 电源,汽车应用 表面安装 48-TFSOP (0.240英寸,6.10mm宽) TB9045 - 48-htssop 下载 3(168)) 264-TB9045FNG-11110ELTR Ear99 8542.39.0001 1,000 3 6V
TA7267BP(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7267BP(O) -
RFQ
ECAD 6627 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜75°C(TA) 媒体播放器 通过洞 7-sip裸露的选项卡 TA7267 双极 6v〜18V 7-hsip - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 平行线 2(2) 1a 0v〜18V - DC -
TCR2EN18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN18,LF 0.0896
RFQ
ECAD 5961 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN18 5.5V 固定的 4-SDFN(0.8x0.8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.29V @ 150mA 73dB (1KHz) 超过电流
TA58M08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S(fjtn,AQ) -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 8V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度,反向极性
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A,LF (Se 0.4600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制,启用 积极的 300mA 1V - 1 - - 在电流上超过温度
TCK128AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128AG,LF -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 TCK128 - 264-TCK128AG,LFTR Ear99 8542.39.0001 1
TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10,lf(Se 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN(0.8x0.8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en12,lf(Se 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN(0.8x0.8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 0.55V @ 150mA - 超过电流
TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U(TE85L,F) 0.6000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD(5条线),平坦的铅 TAR5S16 15V 固定的 UFV 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 1.6V - 1 - 70dB(1KHz) 在电流上超过温度
TCR5BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11,L3F 0.5100
RFQ
ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM11 5.5V 固定的 5-DFNB(1.2x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制,启用 积极的 500mA 1.1V - 1 0.14V @ 500mA 98dB (1KHz) 在电流上超过温度
TCK108AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AG,LF 0.4800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 4-ufbga,WLCSP 负载排放,控制率 TCK108 不转变 P通道 1:1 4-WCSPD(0.79x0.79) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 34mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A,LF (Se 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM28 5.5V 固定的 4-DFNC(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制,启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.15V @ 300mA 100dB〜68dB (1KHz〜1MHz) 在电流上超过温度
TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE105,LM(ct 0.3900
RFQ
ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 SOT-553 TCR2LE105 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTG,El 2.8900
RFQ
ECAD 3540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB6640 DMO 3v〜5.5V 48-WQFN(7x7) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 PWM 2(2) 1a 4.5V〜38V 双极 DC(BLDC) -
TA48LS00F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48LS00F(te85l,f) -
RFQ
ECAD 2469 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TA48LS00 14V 可调节的 PS-8(2.9x2.4) - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 1.7 ma 10 MA 使能够 积极的 300mA 1.5V 5V 1 0.6V @ 300mA 60dB(120Hz) 在电流上超过温度
TB67B054FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B054FTG,El 3.2800
RFQ
ECAD 3489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜115°C(TA) 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TB67B054 Bi-Cmos 6v〜16.5V 32-VQFN (5x5) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 PWM - 2mA - 多相 DC(BLDC) -
TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG18,LF 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA,CSPBGA TCR3DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE(0.65x0.65) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.365V @ 300mA 70dB(1KHz) 电流,高度,温度
TCR3DM35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM35,lf(Se 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 264-TCR3DM35LF(setr Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.5V - 1 0.23V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2EE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE15,LM(ct -
RFQ
ECAD 7280 0.00000000 东芝半导体和存储 - (CT) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE15 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 - 73dB (1KHz) 超过电流
TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30,LM 0.4000
RFQ
ECAD 54 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 TCR3DF30 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.27V @ 300mA 70dB(1KHz) 在电流上超过温度
TCR2LF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF18,LM(ct 0.3900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 TCR2LF18 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP (TE6,f,m -
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库