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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30，LM 0.4000
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 ECAD 54 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF30 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA76L431S,T6Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S,T6Q(J -
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 ECAD 7237 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76L431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TC62D902FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D902FG,C,8,EL 0.7648
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 ECAD 4860 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 灯光 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） AC DC 离线切换器 TC62D902 200kHz 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,500人 - 1 不 反激式 25V 所在晶闸管 1.8V 15V
TCR3DF31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF31,LM(CT 0.0906
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 ECAD 6906 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF31 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 3.1V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR2EF31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF31，LM -
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 ECAD 9546 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF31 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.1V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2EE17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE17,LM(CT 0.3700
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 ECAD 第1488章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE17 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.7V - 1 0.7V@300mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB6585FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585FTG,8,EL 1.9179
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 ECAD 5030 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB6585 下载 符合ROHS3标准 TB6585FTG8EL EAR99 8542.39.0001 2,000
TCV7104FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7104FN(TE85L,F) -
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 ECAD 3500 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SMD，写入 TCV71 5.5V 可调节的 PS-8 (2.9x2.4) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1.5兆赫 的积极 是的 2A 0.8V 5.5V 2.7V
TA58M05S(LBS2PP,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(LBS2PP,AQ -
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 ECAD 6287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TCR3DF29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF29,LM(CT 0.4900
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 ECAD 第788章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF29 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 2.9V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR2EE24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE24,LM(CT 0.3700
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 ECAD 41 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE24 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.4V - 1 0.31V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA76431S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S,T6F(J -
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 ECAD 5030 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR2EE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE15,LM(CT -
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 ECAD 7280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE15 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 - 73分贝（1kHz） 过电流
TCV7101F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7101F(TE12L,Q) -
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 ECAD 6215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 600kHz 的积极 是的 3.8A 0.8V 5.5V 2.7V
TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG28，LF 0.3900
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 ECAD 6969 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.235V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCK22894G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22894G，LF 0.1643
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 ECAD 8495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载率 TCK22894 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定），过温 高边 31毫欧 1.4V～5.5V 通用型 1.54A
TA58M08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 3340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA58M08 29V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 8V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TCR2LE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE36,LM(CT 0.0762
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 ECAD 1807年 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE36 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TCR8BM085A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM085A,L3F 0.4600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 0.85V - 1 0.215V@800mA - 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TB6608FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6608FNG,C8,EL 2.7300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TB6608 功率MOSFET 2.7V～5.5V 20-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 600毫安 2.5V～13.5V 双 - 1、1/2、1/4、1/8
TB6633FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6633FNG,EL -
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 ECAD 4590 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TB6633 功率MOSFET 5.5V～22V 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 模拟 半桥 (3) 1A 5.5V～22V - 无刷直流 (BLDC) -
TCR2EE135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE135,LM(CT 0.3300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE135 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.35V - 1 0.47V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB62777FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG,EL -
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 ECAD 4937 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 16-SOP（0.181英寸，4.60毫米宽） 线性 TB62777 - 16-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 8 是的 升降台 5.5V - 3V 25V
TA58M08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S(FJTN,AQ) -
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 ECAD 4671 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 8V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TA78DS05CP,T6HYF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP,T6HYF(M -
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 ECAD 4194 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、瞬态电压
TC62D748CFG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG(O,EL) -
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 ECAD 3869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFG(OEL)TR 1 90毫安 16 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TCR5RG17A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG17A，LF 0.5300
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG17 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 1.7V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TB62218AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG,8,EL -
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 ECAD 2013年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62218 DMOS 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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