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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG36，LF 0.1394
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 ECAD 4942 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.11V@100mA - 过流、过温
TCR3DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG30，LF 0.3900
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 ECAD 6584 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.235V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DF24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF24,LM(CT 0.0906
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 ECAD 9233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF24 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 2.4V - 1 0.35V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TA78DS05CP,T6HYF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP,T6HYF(M -
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 ECAD 4194 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TC62D748CFG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG(O,EL) -
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 ECAD 3869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFG(OEL)TR 1 90毫安 16 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TCR2LF08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF08,LM(CT 0.0700
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 ECAD 3714 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF08 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.8V - 1 1.58V@150mA - 过电流
TA7267BP(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7267BP(O) -
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 ECAD 6627 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -30°C ~ 75°C (TA) 媒体播放器 通孔 7-SIP裸露标签 TA7267 双 6V~18V 7-HSIP - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 1A 0V～18V - 有刷直流 -
TA58M08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S(FJTN,AQ) -
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 ECAD 4671 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 8V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TB62777FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG,EL -
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 ECAD 4937 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 16-SOP（0.181英寸，4.60毫米宽） 线性 TB62777 - 16-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 8 是的 升降台 5.5V - 3V 25V
TCR2EE135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE135,LM(CT 0.3300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE135 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.35V - 1 0.47V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB6608FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6608FNG,C8,EL 2.7300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TB6608 功率MOSFET 2.7V～5.5V 20-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 600毫安 2.5V～13.5V 双 - 1、1/2、1/4、1/8
TCR2LF31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF31,LM(CT 0.3700
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 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF31 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.1V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25,LF(SE 0.4800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 2.5V - 1 0.29V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2EE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE15,LM(CT -
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 ECAD 7280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE15 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 - 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG28，LF 0.3900
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 ECAD 6969 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.235V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR8BM085A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM085A,L3F 0.4600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 0.85V - 1 0.215V@800mA - 过流、过温、欠压锁定
TA58M08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 3340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA58M08 29V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 8V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TCV7101F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7101F(TE12L,Q) -
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 ECAD 6215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 600kHz 的积极 是的 3.8A 0.8V 5.5V 2.7V
TCR2LE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE36,LM(CT 0.0762
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 ECAD 1807年 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE36 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TC78B004AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004AFTG，EL 2.7700
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 ECAD 3673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ 通用型 表面贴装 40-WFQFN 裸露焊盘 TC78B004 NMOS 10V~28V 40-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 控制器 - 速度 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (3) 100毫安 - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TB6633FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6633FNG,EL -
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 ECAD 4590 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TB6633 功率MOSFET 5.5V～22V 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 模拟 半桥 (3) 1A 5.5V～22V - 无刷直流 (BLDC) -
TC62D749CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFNAG，C，EB -
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 ECAD 4382 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TC62D749 - 符合RoHS标准 TC62D749CFNAGCEB EAR99 8542.39.0001 2,000
TB6586BFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586BFG，EL，干式 -
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 ECAD 6909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） TB6586 双CMOS 6.5V～16.5V 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TC78B041FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B041FNG，EL 2.2800
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～115℃ 风扇控制器 表面贴装 30-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TC78B041 - 6V～16.5V 30-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 速度 脉宽调节 高侧、低侧 2毫安 4.5V~5.3V 多相 无刷直流 (BLDC) -
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB6562ANG -
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 ECAD 7296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -20℃～85℃（TA） 通用型 通孔 24-SDIP（0.300英寸，7.62毫米） TB6562 DMOS 10V~34V 24-SDIP 下载 1（无限制） TB6562ANG(O) EAR99 8542.39.0001 100 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 10V~34V 双 - 1、1/2、1/4
TCR5RG17A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG17A，LF 0.5300
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG17 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 1.7V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TCR3DF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF13,LM(CT 0.0906
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 ECAD 6242 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF13 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.3V - 1 0.57V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TB67H400AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFNG，EL 3.5500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB67H400 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (4) 6A 10V~47V - 有刷直流 -
TB67S511FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S511FTAG，EL 2.7700
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 ECAD 3467 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S511 功率MOSFET 2V～5.5V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (4) 2A 10V～35V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TB6588FG,8,EL,JU Toshiba Semiconductor and Storage TB6588FG,8,EL,JU 5.3500
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 36-BSSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB6588 功率MOSFET 7V~42V 36-HSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (3) 1.5A 7V~42V - 无刷直流 (BLDC) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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