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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA58L05S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（fjtn，QM） -
RFQ
 ECAD 3610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，阿尔帕克（m -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF32，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF32 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF25 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.31V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EE14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE14，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE14 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.4V - 1 0.42V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK22975G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22975G，LF 0.1807
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22975 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR2DG20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG20，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.16V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR3DF24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF24，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF24 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.4V - 1 0.35V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR2LN285LF（教派 Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TA76431S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，T6F（j。 -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TB62209FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62209FG，El -
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 36-BESSOP （0.346“，8.80mm宽度） + 2个热标签 TB62209 DMO 4.5V〜5.5V 36-hsop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 13V〜34V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF085，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF085 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.85V - 1 1.58V @ 150mA - 超过电流
TA7291FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291fg（o，El） -
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TA7291 双极 4.5V〜20V 16-HSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 400mA 0v〜20V - DC -
TA78DS08BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP（t6nd，AF -
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR3DM30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.25V @ 300mA - 在电流上超过温度
TC78B011FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B011FTG，El 2.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TC78B011 NMOS 5.5V〜27V 36-WQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 i²c 前驾驶员 -3） 240mA - 多相 DC（BLDC） -
TB67H481FTG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FTG 0.9817
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - rohs3符合条件 264-TB67H481FTGTR 4,000
TBD62083APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083APG 1.4900
RFQ
 ECAD 5066 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR2EN29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN29，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 1548年 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN29 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3RM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM18 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.8V - 1 0.22V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB62214AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFNG，C8，El 2.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TCR2EN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN115，LF -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN115 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.15V - 1 0.65V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67S511FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S511FTAG，El 2.7700
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S511 动力mosfet 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 前驾驶员 -半桥（ -4） 2a 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，f（j -
RFQ
 ECAD 2980 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TB67S149FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FTG，El 3.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S149 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1〜1/32
TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A，LF 0.0878
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3UM175 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.75V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA58L08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58L08 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 MA 50 mA 使能够 积极的 250mA 8V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG，C8，El 1.4384
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6584 下载 rohs3符合条件 TB6584AFNGC8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR2EE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE15，LM（ct -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE15 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S，T6WNLF（j -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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