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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流-输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6561NG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6561NG，8 6.0795
RFQ
 ECAD 1719年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB6561 Bi-Cmos 10v〜36V 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.5a 10v〜36V - DC -
TC78B041FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B041FNG，El 2.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜115°C 风扇控制器 表面安装 30-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TC78B041 - 6v〜16.5V 30 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -速度 PWM 高侧，低侧 2mA 4.5V〜5.3V 多相 DC（BLDC） -
TB62218AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG，C8，El 1.3710
RFQ
 ECAD 2927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TC78B016FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B016FTG，El 4.2300
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TC78B016 动力mosfet 0v〜5.5V 36-WQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 前驾驶员 -3） 3a 6v〜30v - DC（BLDC） -
TA48L02F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L02F（TE12L，F） -
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-243AA TA48L02 16V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 ma - 积极的 150mA 2V - 1 0.5V @ 100mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度
TB67H481FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FNG，El 2.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽） DMO 8.2V〜44V 28-htssop 下载 （1 （无限） 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 打开/关 （4） 2.5a 8.2V〜44V 双极 DC 1
TCR3UG41A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG41A，LF 0.1261
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG41 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 4.1V - 1 0.228V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TC78H651AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651AFNG，El 1.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） TC78H651 DMO - 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 - （4） 2a 1.8v〜7.5V DC -
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en125，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.25V - 1 0.55V @ 150mA - 超过电流
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15S，Q（j -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M15 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.4 MA 80 ma - 积极的 500mA 15V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCK22891G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22891G，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22891 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （（），温度 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 400mA
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，LS2TOKQ（j -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3UG50A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50A，LF 0.1261
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG50 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 5V - 1 0.195V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCV7101F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7101F（TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 600kHz 积极的 是的 3.8a 0.8V 5.5V 2.7V
TB6560AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB6560 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 4.5V〜34V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP （TE6，f，m -
RFQ
 ECAD 9780 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TBD62083APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083APG 1.4900
RFQ
 ECAD 5066 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TA78L010AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L010AP，f（j。 -
RFQ
 ECAD 2741 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L010 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 10V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 43dB （120Hz） 超过电流
TA58M08S(LS2FJT,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S（ls2fjt，aq -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 8V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA78L015AP(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP（f，m） -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L015 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 - 41dB（120Hz） 在电流上超过温度
TB62216FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG，C，8，El 1.5069
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TA78DS05CP,T6HYF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，T6HYF （M -
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A，LF -
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 1V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TC62D748CFG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG（o，El） -
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D748 - 24 SSOP - 264-TC62D748CFG（OEL）TR 1 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TCK305G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK305G，LF 0.4644
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK305 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TBD62384APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384APG 1.9000
RFQ
 ECAD 777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62384 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 800 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1.5OHM 0v〜50V 通用目的 400mA
TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1.05V - 1 0.14V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TB6586BFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586BFG，El，干燥 -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR3DM285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285，LF -
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM285 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62384AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384AFWG，El 1.6100
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62384 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62384AFWGELCT Ear99 8542.39.0001 1,000 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1.5OHM 0v〜50V 通用目的 400mA
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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