电源管理 (PMIC)(1138)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	类型	特征	基本产品编号	输入类型	频率	技术	当前-供应	电压 - 输入	电压 - 输入（最大）	输出类型	温度系数	SIC	其中 - 输入：输出	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	功能	电流 - 输出/通道	参考类型	电压 - 电源 (Vcc/Vdd)	界面	产出数量	电流 - 静态 (Iq)	电流 - 电源（最大）	通道类型	内部开关	拓扑结构	频率切换	故障保护	控制特性	电压 - 电源（最大）	输出配置	同步调整器	当前-输出	导通电阻（典型值）	电压-负载	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	电机类型 - 步进	电机类型 - 交流、直流	步骤解析	调光	电压-电源（最小）	电压 - 输出	开关类型	当前-产出（最大）	电压 - 输出（最小/固定）	噪声 - 0.1Hz 至 10Hz	噪声 - 10Hz 至 10kHz	电压 - 输出（最大）	电压-输入（最小）	调节器数量	电压降幅（最大）	电源抑制比	保护特性
TA58L06S,HY-ATQ(M	-	询价	8673	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		-40℃～105℃		通孔	TO-220-3全包			TA58L06						29V	固定的					TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1							1毫安	50毫安						-		的积极		250毫安																	6V			-		1	0.4V@200mA	-	过流、过温
TA78L024AP,F(J	-	询价	7020	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		-30℃～85℃		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体			TA78L024						40V	固定的					长短期记忆网络	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1							6.5毫安							-		的积极		150毫安																	24V			-		1	1.7V@40mA（典型值）	35分贝（120赫兹）	过电流
TCR2LN28，LF（SE	0.3800	询价	19	东芝半导体和存储	TCR2LN	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘									5.5V	固定的					4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000							2微安							使用能够		的积极		200毫安																	2.8V			-		1	0.36V@150mA	-	过电流
TB67S112PG,HJ	2.4300	询价	211	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		-40°C ~ 85°C (TA)	通用型	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			TB67S112			功率MOSFET								2V～5.5V	16-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	25	驱动器 - 完全集成、控制和功率级				平行线											半桥		1.5A		4.5V～47V							单极	-	-
TCK111G、LF	0.7700	询价	27	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-UFBGA、WLCSP		转换速率受控	TCK111	非反相						N沟道			1:1		6-WCSPC (1.5x1.0)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000				不需要	开/关	1							过温、逆流			高边			8.3毫欧	1.1V～5.5V													通用型	3A
TA78L015AP(女、男)	-	询价	3595	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		-30℃～85℃		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体			TA78L015						35V	固定的					长短期记忆网络	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	2,000							6毫安	6.5毫安						-		的积极		150毫安																	15V			-		1	-	41分贝（120赫兹）	过流、过温
TA78L008AP(6DNS,FM	-	询价	5698	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		-30℃～85℃		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体			TA78L008						35V	固定的					长短期记忆网络	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1							6.5毫安							-		的积极		150毫安																	8V			-		1	1.7V@40mA（典型值）	45分贝（120赫兹）	过电流
TB6600HG	6.3700	询价	2	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极		-30°C ~ 85°C (TA)	通用型	通孔	25-SIP成型接头			TB6600			功率MOSFET								8V～42V	25-HZIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TB6600HG(O)	EAR99	8542.39.0001	510	驱动器 - 完全集成、控制和功率级				平行线											半桥 (4)		4.5A		8V～42V							双	-	1、1/2、1/4、1/8、1/16
TCK423G,L3F	0.8500	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	6-XFBGA、WLCSP			TCK423	非反相								未验证		2.7V~28V	6-WCSPG (0.8x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000									单身的												高侧	1	N沟道MOSFET	0.4V、1.2V	-	-
TB62777FNG,EL	-	询价	7013	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 85°C (TA)	-	表面贴装	16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	线性		TB62777		-										16-SSOP	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	2,000		40毫安				8				是的	升降台				5.5V															-	3V	25V
TCR3DM15,LF(SE	0.4800	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	4-UDFN 裸露焊盘									5.5V	固定的					4-DFN (1x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000														使用能够		的积极		300毫安																	1.5V			-		1	0.45V@300mA	-	过流、过温
起亚78DL08PI	-	询价	6694	东芝半导体和存储	*	管子	的积极								起亚78													-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	50
TCR3UG285A，LF	0.1229	询价	9683	东芝半导体和存储	TCR3UG	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XFBGA、WLCSP			TCR3UG285						5.5V	固定的					4-WCSPF (0.65x0.65)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000							第680章							使用能够		的积极		300毫安																	2.85V			-		1	0.327V@300mA	70分贝（1kHz）	浪涌电流、过流、热关断
TA48LS00F(TE85L,F)	-	询价	2469	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		-40℃～150℃		表面贴装	8-SMD，写入			TA48LS00						14V	可调节的					PS-8 (2.9x2.4)	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000							1.7毫安	10毫安						使用能够		的积极		300毫安																	1.5V			5V		1	0.6V@300mA	60分贝（120赫兹）	过流、过温
TCR3DF30，LM	0.4000	询价	54	东芝半导体和存储	TCR3DF	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR3DF30						5.5V	固定的					SMV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000							65微安	78微安						使用能够		的积极		300毫安																	3V			-		1	0.27V@300mA	70分贝（1kHz）	过流、过温
TA76L431S,T6Q(J	-	询价	7237	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	-	-40℃～85℃		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体			TA76L431				-	-		-	-				长短期记忆网络	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1			-																																-	-	-
TCR3DF31,LM(CT	0.0906	询价	6906	东芝半导体和存储	TCR3DF	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR3DF31						5.5V	固定的					SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000														使用能够		的积极		300毫安																	3.1V			-		1	0.27V@300mA	70分贝（1kHz）	浪涌电流、过流、过温
TCR2EF31，LM	-	询价	9546	东芝半导体和存储	TCR2EF	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR2EF31						5.5V	固定的					SMV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000							60微安							使用能够		的积极		200毫安																	3.1V			-		1	0.2V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TCR2EE17,LM(CT	0.3700	询价	第1488章	东芝半导体和存储	TCR2EE	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	SOT-553			TCR2EE17						5.5V	固定的					ESV	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000							60微安							使用能够		的积极		200毫安																	1.7V			-		1	0.7V@300mA	73分贝（1kHz）	过电流
TB6585FTG,8,EL	1.9179	询价	5030	东芝半导体和存储	*	卷带式 (TR)	的积极								TB6585													下载	符合ROHS3标准		TB6585FTG8EL	EAR99	8542.39.0001	2,000
TCV7104FN(TE85L,F)	-	询价	3500	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	8-SMD，写入			TCV71						5.5V	可调节的					PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000	降压					1					巴克	1.5兆赫				的积极	是的	2A																	0.8V			5.5V	2.7V
TA58M05S(LBS2PP,AQ	-	询价	6287	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		-40℃～105℃		通孔	TO-220-3全包			TA58M05						29V	固定的					TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1							1毫安	80毫安						-		的积极		500μA																	5V			-		1	0.65V@500mA	-	过流、过温、反
TCR3DF29,LM(CT	0.4900	询价	第788章	东芝半导体和存储	TCR3DF	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR3DF29						5.5V	固定的					SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000														使用能够		的积极		300毫安																	2.9V			-		1	0.27V@300mA	70分贝（1kHz）	浪涌电流、过流、过温
TCR2EE24,LM(CT	0.3700	询价	41	东芝半导体和存储	TCR2EE	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	SOT-553			TCR2EE24						5.5V	固定的					ESV	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000							60微安							使用能够		的积极		200毫安																	2.4V			-		1	0.31V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TBD62384AFWG，EL	1.6100	询价	7881	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		-	待定62384	反相						N沟道			1:1		18-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TBD62384AFWGELCT	EAR99	8542.39.0001	1,000				4.5V~5.5V	开/关	8							-			低侧			1.5欧姆	0V～50V													通用型	400毫安
TC78H651AFNG，EL	1.2900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～105℃（TA）	通用型	表面贴装	16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）			TC78H651			DMOS								-	16-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级				-											半桥 (4)		2A		1.8V～7.5V								有刷直流	-
TB67H302HG	8.3300	询价	8296	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		-30°C ~ 85°C (TA)	通用型	通孔	25-SIP成型接头			TB67H302			功率MOSFET								8V～42V	25-HZIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TB67H302HG(O)	EAR99	8542.39.0001	17号	驱动器 - 完全集成、控制和功率级				毛量、脉宽调制											半桥 (4)		4.5A		8V～42V							-	有刷直流	-
TA58L12S,WNLQ(J	-	询价	8198	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		-40℃～105℃		通孔	TO-220-3全包			TA58L12						29V	固定的					TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1							1.2毫安	50毫安						-		的积极		250毫安																	12V			-		1	0.4V@200mA	-	过流、过温
TCR3DF275,LM(CT	0.0906	询价	1612	东芝半导体和存储	TCR3DF	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR3DF275						5.5V	固定的					SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000														使用能够		的积极		300毫安																	2.75V			-		1	0.31V@300mA	70分贝（1kHz）	浪涌电流、过流、过温
TB6559FG,8,EL	1.9800	询价	5714	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-30°C ~ 85°C (TA)	通用型	表面贴装	16-BSOP（0.252英寸，6.40毫米宽）+ 2个笔记本片			TB6559			NMOS、PMOS								10V～30V	16-HSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1,500人	驱动器 - 完全集成、控制和功率级				平行线											半桥 (2)		1A		10V～30V							-	有刷直流	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

电源管理 (PMIC)(1138)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²