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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前 - 供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2LE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE20,LM(CT 0.4100
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 ECAD 3699 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE20 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2V - 1 0.56V@150mA - 过电流
TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE105,LM(CT 0.3900
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE105 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 1.4V@150mA - 过电流
TCR3DM10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10,LF(SE 0.4800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1V - 1 0.75V@300mA - 过流、过温
TBD62003AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFG,EL 0.8900
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 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62003 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN18,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.29V@300mA，0.3V@300mA - 过电流
TB67S101AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFNG，EL 1.8746
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 ECAD 5195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB67S101 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V 双 - 1、1/2、1/4
TCK107AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AF、LF 0.4800
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 ECAD 第252章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 表面贴装 SC-74A、SOT-753 - TCK107 - - - SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 - - - - - 63毫欧 1.1V～5.5V - 1A
TCR3UG50A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50A，LF 0.1261
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 ECAD 7779 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG50 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 680纳安 使用能够 的积极 300毫安 5V - 1 0.195V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TBD62083APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083APG 1.4900
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 ECAD 5066 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62083 反相 N沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TC78B004FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004FTG，EL 2.5800
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 ECAD 8811 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ 通用型 表面贴装 40-WFQFN 裸露焊盘 TC78B004 NMOS 10V~28V 40-WQFN (6x6) - 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 控制器 - 速度 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (3) 100毫安 - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TA76431AS(T6CNO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS(T6CNO,FM -
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 ECAD 6014 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.3V - 1 0.45V@150mA - 过电流
TCR2EE14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE14,LM(CT 0.0680
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 ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE14 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.4V - 1 0.42V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTG,EL 2.8900
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 ECAD 3540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB6640 DMOS 3V～5.5V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 1A 4.5V~38V 双 无刷直流 (BLDC) -
TC78H600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FNG,C,EL 1.9100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78H600 DMOS 2.7V～5.5V 20-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 800毫安 2.5V～15V - 有刷直流 -
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP,F(J -
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 ECAD 3579 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR2LE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE30,LM(CT 0.4100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE30 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TCR3UF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18B,LM(CT 0.4100
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 ECAD 6777 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF18 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 680纳安 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.464V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB7107FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7107FN(TE85L,F) -
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 ECAD 8664 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SMD，写入 TB7107 20V 可调节的 PS-8 (2.9x2.4) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 380kHz 的积极 是的 2A 0.8V 18V 4.5V
TCK22892G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22892G，LF 0.1643
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 ECAD 2432 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载率 TCK22892 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定），过温 高边 31毫欧 1.4V～5.5V 通用型 第740章
TCR2EE48,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE48，LM 0.3600
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE48 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4.8V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2EN18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN18，LF 0.0896
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 ECAD 5961 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN18 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.29V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN105 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 0.75V@150mA - 过电流
TB62755FPG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62755FPG,EL -
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 ECAD 7502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 负债 表面贴装 6-UFDFN 裸露焊盘 直流稳压电源 TB62755 1兆赫兹 6-SON (1.8x2) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 20毫安 1 是的 升压（升压） 5.5V 脉宽调节 2.8V -
TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG18A，LF 0.4700
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 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG18 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 680纳安 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.457V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TCR3UG41A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG41A，LF 0.1261
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 ECAD 9982 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG41 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 680纳安 使用能够 的积极 300毫安 4.1V - 1 0.228V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TC62D776CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFG,EL -
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 ECAD 第1759章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TC62D776 - 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G,L3F 0.8500
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK424 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TCK424GL3FCT EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
TB67S581FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S581FNG，EL 2.2000年
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 28-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘 DMOS 8.2V～44V 28-高温SSOP 下载 1（无限制） 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 开/关 半桥 (4) 1.6A 8.2V～44V 双 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TC62D776CFNAG,CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG，CEBH -
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 ECAD 9002 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -40℃～85℃ LED照明 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 - 24-SSOP 下载 1 90毫安 1 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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