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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 模式 当前 -启动 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB62213AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFNG，C8，El 1.8025
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67H302HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H302HG 8.3300
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67H302 动力mosfet 8v〜42v 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB67H302HG（O） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 4.5a 8v〜42v - DC -
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，f（j。 -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TB67S105FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S105FTG，El 1.6439
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S105 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，串行 （4） 2.4a 10v〜40V 双极 - 1，1/2
TA76431AS(T6MURAFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS（t6murafm -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） TA76431AST6MURAFM Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TC78B016FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B016FTG，El 4.2300
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TC78B016 动力mosfet 0v〜5.5V 36-WQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 前驾驶员 -3） 3a 6v〜30v - DC（BLDC） -
TCR3DM285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.25V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage tb6562ang -
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB6562 DMO 10v〜34V 24-SDIP 下载 （1 （无限） tb6562ang（o） Ear99 8542.39.0001 100 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 10v〜34V 双极 - 1、1/2、1/4
TA58M12F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M12 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.2 ma 80 ma - 积极的 500mA 12V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22946 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （），温度，反向电流 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 400mA
TCR3DF29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF29，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF29 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.9V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2EE48,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE48，LM 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE48 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.8V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE45 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK22913G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22913G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22913 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR2EN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en13，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.45V @ 150mA - 超过电流
TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG18，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.365V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TA58L05S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（fjtn，QM） -
RFQ
 ECAD 3610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB6585FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585FG，8，El 1.7304
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6585 下载 rohs3符合条件 3（168）） TB6585FG8EL Ear99 8542.39.0001 1,000
TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en18，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.29V @ 300mA，0.3V @ 300mA - 超过电流
TB9061AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb9061afng，el 4.6865
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 通用目的 表面安装 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB9061 Bi-Cmos 5.5V〜18V 24 SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TB67H400AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AHG 6.4000
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67H400 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 510 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 6a 10v〜47V - DC -
TCR15AG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG25，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG25 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 2.5V - 1 0.648V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S，HOTIKIQ（m -
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500µA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCR3DF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF12，LM（ct 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF12 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.2V - 1 0.62V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB62802AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62802AFG，8，El 2.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜60°C CCD驱动程序 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB62802 - 4.7V〜5.5V 16-HSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500
TB67H400AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFNG，El 3.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB67H400 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 6a 10v〜47V - DC -
TA78L008AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TCR2EF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF18，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF18 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67S142NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142NG 4.8600
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB67S142 动力mosfet 4.75V〜5.25V 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 不适用 TB67S142NG（O） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1、1/2、1/4
TB6819AFG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6819AFG，C，El 0.5768
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TB6819 10v〜25V 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 20KHz〜150kHz （CRM） 72.5 µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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