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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 故障保护 控制特性 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TA48S05AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S05AF(T6L1,Q) -
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 ECAD 7233 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～150℃ 表面贴装 TO-252-6，DPak（5引脚+片） TA48S05 16V 固定的 5-HSIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 使用能够 的积极 1A 5V - 1 0.69V@1A（典型值） 60分贝（120赫兹） 过流、过温
TA78DS05BP(FJTN,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP(FJTN,FM -
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 ECAD 6979 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR2EN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105，LF -
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 ECAD 3845 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN105 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 0.75V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR4DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG25，LF 0.1357
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 ECAD 2767 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG25 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 2.5V - 1 0.347V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TCR2DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG25，LF 0.1394
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 ECAD 7523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.13V@100mA 75dB～50dB（1kHz～100kHz） 过流、过温
TBD62503AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFWG，EL 0.9300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） - 待定62503 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
KIA78DL09PI Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78DL09PI -
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 ECAD 8660 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 50
TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11，LF 0.0926
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 ECAD 7329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM11 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.1V - 1 - 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB6604FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6604FTG,8,EL -
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 ECAD 1396 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - - 表面贴装 - TB6604 - - 48-QFN 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 - 预驱动器 - 半桥 (3) - 30V - 无刷直流 (BLDC) -
TC78B016FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B016FTG，EL 4.2300
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 ECAD 5728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TC78B016 功率MOSFET 0V～5.5V 36-WQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 控制器 - 换向、方向管理 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (3) 3A 6V～30V - 无刷直流 (BLDC) -
TCK22975G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22975G，LF 0.1807
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 ECAD 3375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 转换速率受控 TCK22975 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TC78H600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FTG，EL 0.6165
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 ECAD 8650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 24-WFQFN 裸露焊盘 TC78H600 DMOS 2.7V～5.5V 24-WQFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 800毫安 2.5V～15V - 有刷直流 -
TA78DS08BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP(T6ND,AF -
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 ECAD 4886 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 1.2毫安 - 的积极 30毫安 8V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR3DF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF12,LM(CT 0.4200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF12 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.2V - 1 0.62V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA48L02F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L02F(TE12L,F) -
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 ECAD 3550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA48L02 16V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 800微安 5毫安 - 的积极 150毫安 2V - 1 0.5V@100mA 70分贝（120赫兹） 过流、过温
TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG,8,EL -
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 ECAD 8540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62208 DMOS 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1, 1/2
TAR5S50UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50UTE85LF 0.5400
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 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S50 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA58L05S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(FJTN,QM) -
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 ECAD 3610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR4DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG30，LF 0.1357
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 ECAD 9599 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG30 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 3V - 1 0.291V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TB6674PG,C,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6674PG,C,8 -
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 ECAD 1620 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C ~ 75°C (TA) 通用型 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TB6674 功率MOSFET 4.5V~5.5V 16-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 350毫安 2.7V～22V 双 - -
TA78L010AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L010AP,F(J -
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 ECAD 2741 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L010 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 10V - 1 1.7V@40mA（典型值） 43分贝（120赫兹） 过电流
TCR2LN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12，LF 0.0896
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 ECAD 4291 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN12 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.2V - 1 1.23V@150mA - 过电流
TCR2EE48,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE48，LM 0.3600
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE48 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4.8V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG18A，LF 0.4700
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 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG18 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.457V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TCR2EN18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN18，LF 0.0896
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 ECAD 5961 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN18 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.29V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3UG41A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG41A，LF 0.1261
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 ECAD 9982 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG41 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 4.1V - 1 0.228V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN105 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 0.75V@150mA - 过电流
TA78L015AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,T6F(J -
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 ECAD 4437 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L015 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 15V - 1 1.7V@40mA（典型值） 40分贝（120赫兹） 过流、过温
TB67S105FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S105FTG，EL 1.6439
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 ECAD 6356 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S105 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 串联、串联 半桥 (4) 2.4A 10V～40V 双 - 1, 1/2
TC78H621FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H621FNG，EL 1.7000
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 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78H621 DMOS 2.7V～5.5V 16-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 司机 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) 1.1A 2.5V～15V 双 有刷直流 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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