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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTG，El 2.8900
RFQ
 ECAD 3540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB6640 DMO 3v〜5.5V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 1a 4.5V〜38V 双极 DC（BLDC） -
TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30，LM 0.4000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF30 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM28 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.15V @ 300mA 100dB〜68dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TA48LS00F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48LS00F（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TA48LS00 14V 可调节的 PS-8（2.9x2.4） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 1.7 ma 10 MA 使能够 积极的 300mA 1.5V 5V 1 0.6V @ 300mA 60dB（120Hz） 在电流上超过温度
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP （TE6，f，m -
RFQ
 ECAD 9780 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TA78L15F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L15F（TE12L，F） -
RFQ
 ECAD 7159 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 TO-243AA TA78L15 35V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 - 40dB （120Hz） 在电流上超过温度
TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE39 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.9V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25，LF -
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN25 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TCR2LF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF30，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF30 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG34,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG34，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.4V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
TB6633FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6633FNG，El -
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6633 动力mosfet 5.5V〜22V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 类似物 3（3） 1a 5.5V〜22V - DC（BLDC） -
TC78B004FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004FTG，El 2.5800
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C 〜85°C 通用目的 表面安装 40-WFQFN暴露垫 TC78B004 NMOS 10v〜28V 40-wqfn（6x6） - rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -速度 PWM 前驾驶员 -3） 100mA - 多相 DC（BLDC） -
TCR2LF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF25，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF25 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TCK127BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK127BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 负载排放，控制率 TCK127 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TC62D902FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D902FG，C，8，El 0.7648
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 灯光 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AC DC离线切换器 TC62D902 200kHz 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 - 1 不 飞回来 25V TRIAC 1.8V 15V
TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22946 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （），温度，反向电流 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 400mA
TBD62384AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384AFWG，El 1.6100
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62384 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62384AFWGELCT Ear99 8542.39.0001 1,000 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1.5OHM 0v〜50V 通用目的 400mA
TCV7108FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7108FN（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 1774年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TCV71 5.6V 可调节的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1.5MHz 积极的 是的 2a 0.8V 5.6V 2.7V
TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A，LF -
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 1V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR2DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG31，LF 0.1445
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG31 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 TCR2DG31LF Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 3.1V - 1 0.11V @ 100mA - 电流电流，超过电流的热关机
TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG18，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.365V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TB62214AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFNG，C8，El 2.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB6560AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB6560 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 4.5V〜34V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TCR2LF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF36，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF36 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TC62D749CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFNAG，C，EB -
RFQ
 ECAD 4382 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TC62D749 - Rohs符合条件 TC62D749CFNAGCEB Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en12，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 0.55V @ 150mA - 超过电流
TB6600HG Toshiba Semiconductor and Storage TB6600HG 6.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB6600 动力mosfet 8v〜42v 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB6600HG（O） Ear99 8542.39.0001 510 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 4.5a 8v〜42v 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TB67S142NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142NG 4.8600
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB67S142 动力mosfet 4.75V〜5.25V 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 不适用 TB67S142NG（O） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1、1/2、1/4
TCR3DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG32，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4276 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG32 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - 积极的 300mA 3.2V - 1 0.215V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TAR5S40UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S40UTE85LF 0.5400
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S40 15V 固定的 UFV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 4V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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