SIC
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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 模式 当前 -启动 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK424 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCK424GL3FCT Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9052FNG（El） 3.6153
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB9052 Bi-Cmos 6v〜18V 48-htssop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 控制器 -速度 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） 100mA - - DC -
TB67S522FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S522FTAG，El 1.4384
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S522 - 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TC78H621FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H621FNG，El 1.7000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） TC78H621 DMO 2.7V〜5.5V 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） 1.1a 2.5V〜15V 双极 DC -
TB62216FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG，C，8，El 1.5069
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TBD62786AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786AFWG，El 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62786 反转 P通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 2v〜50V 打开/关 8 - 高侧 - 0v〜50V 通用目的 400mA
TCR2LE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE13，LM（ct 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE13 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.13V @ 150mA - 超过电流
TA58L05S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（fjtn，QM） -
RFQ
 ECAD 3610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TC78B006FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FTG，El 1.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 16-WFQFN暴露垫 TC78B006 动力mosfet 3.5V〜16V 16-WQFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） - - - DC（BLDC） -
TC62D748CFG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG（o，El） -
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D748 - 24 SSOP - 264-TC62D748CFG（OEL）TR 1 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG，El -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -25°C〜85°C 表面安装 16 台（0.181英寸，4.60mm宽度） TB6818 8.4V〜26V 16ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 20KHz〜150kHz CCM） 30 µA
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，LS2TOKQ（j -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG，El 2.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB62261 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 800mA 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
KIA78L06BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L06BP -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1
TA48L02F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L02F（TE12L，F） -
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-243AA TA48L02 16V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 ma - 积极的 150mA 2V - 1 0.5V @ 100mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG，El 2.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 800mA 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR2EE48,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE48，LM 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE48 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.8V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UG25A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG25A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG25 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TA58L06S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S，HY-ATQ （M -
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 6V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB67S109AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109FNG，El 3.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB67S109 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TB62771FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62771FTG，8，El 1.5500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 20-WFQFN暴露垫 DC DC调节器 TB62771 200KHz〜2MHz 20-WQFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 150mA 4 是的 （（（） 40V PWM 4.75V 45V
TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1.1V - 1 0.14V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP，f（j -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L075 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 7.5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TA78L008AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TA58M05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S，Q（j。 -
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500µA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA58L08S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S，Q（j -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 8V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3UG285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG285A，LF 0.1229
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG285 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCR2DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG13，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG13 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.7V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR2EN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285，LF -
RFQ
 ECAD 2057 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN285 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCV7101F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7101F（TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 600kHz 积极的 是的 3.8a 0.8V 5.5V 2.7V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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