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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6674PG,C,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6674PG，C，8 -
RFQ
 ECAD 1620年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6674 动力mosfet 4.5V〜5.5V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 350mA 2.7V〜22V 双极 - -
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP，f（j -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L075 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 7.5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TCR2EF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF32，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF32 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG（o，El） 7.8400
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 64-VFQFN暴露垫 TB67S128 动力mosfet 0v〜5.5V 64-VQFN（9x9） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 5a 6.5V〜44V 双极 - 1/8、1/16、1/32
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，阿尔帕克（m -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EE14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE14，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE14 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.4V - 1 0.42V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR2LN285LF（教派 Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG20，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.16V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR3DM30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.25V @ 300mA - 在电流上超过温度
TBD62083APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083APG 1.4900
RFQ
 ECAD 5066 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TC78B011FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B011FTG，El 2.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TC78B011 NMOS 5.5V〜27V 36-WQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 i²c 前驾驶员 -3） 240mA - 多相 DC（BLDC） -
TB67H481FTG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FTG 0.9817
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - rohs3符合条件 264-TB67H481FTGTR 4,000
TCR2EN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN115，LF -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN115 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.15V - 1 0.65V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB62214AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFNG，C8，El 2.8600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67S102AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFNG，El 1.8746
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB67S102 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TA58L08S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S，Q（j -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 8V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA78DS05BP(FJTN,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP（fjtn，FM -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR2LF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF33，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF33 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF13，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF13 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.3V - 1 0.57V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TC78B004FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004FTG，El 2.5800
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C 〜85°C 通用目的 表面安装 40-WFQFN暴露垫 TC78B004 NMOS 10v〜28V 40-wqfn（6x6） - rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -速度 PWM 前驾驶员 -3） 100mA - 多相 DC（BLDC） -
TCR15AG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG12，LF 0.7000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG12 5.5V 固定的 6-WCSPF（0.80x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1.2V - 1 0.257V @ 1.5A 95dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TA78L008AP(6DNS,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP （6DNS，FM -
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TCR1HF50B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF50B，LM（ct 0.4800
RFQ
 ECAD 6529 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 3,000
TCR3DF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF11，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF11 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 0.67V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TB67B001BFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B001BFTG，El 1.5343
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 NMO，PMOS 4V〜22V 36-VQFN（5x5） 下载 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 前驾驶员 -3） 3a 4V〜22V 多相 DC（BLDC） -
TCR3DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG30，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.235V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA7267BP(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7267BP（O） -
RFQ
 ECAD 6627 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜75°C（TA） 媒体播放器 通过洞 7-sip裸露的选项卡 TA7267 双极 6v〜18V 7-hsip - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 0v〜18V - DC -
TCR5BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11，L3F 0.5100
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1.1V - 1 0.14V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TA58M05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M05 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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