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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2EN29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN29，LF 0.0896
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 ECAD 1548 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN29 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.9V - 1 0.21V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCK22973G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22973G，LF 0.1807
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 ECAD 8208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 转换速率受控 TCK22973 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TB67S581FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S581FNG，EL 2.2000年
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 28-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘 DMOS 8.2V～44V 28-高温SSOP 下载 1（无限制） 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 开/关 半桥 (4) 1.6A 8.2V～44V 双 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G,L3F 0.8500
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK424 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TCK424GL3FCT EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
TCR2EE40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE40,LM(CT 0.3700
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 ECAD 第428章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE40 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA58L05S,ALPSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,ALPSAQ(J -
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 ECAD 2040年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG31，LF 0.1445
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 ECAD 8069 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG31 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 TCR2DG31LF EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 3.1V - 1 0.11V@100mA - 浪涌电流、过流、热关断
TB62214AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG,C8,EL 1.3071
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 ECAD 3937 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62214 DMOS 4.75V～5.25V 28-HSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TB62214AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFNG，C8，EL 2.8600
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB62214 DMOS 4.75V～5.25V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCK108AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AG,LF 0.4800
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 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK108 非反相 P沟道 1:1 4-WCSPD (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 - 高边 34毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TB67H303HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H303HG 8.3300
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 ECAD 306 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 通孔 25-SIP成型接头 TB67H303 功率MOSFET 8V~42V 25-HZIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TB67H303HG(O) EAR99 8542.39.0001 17号 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (2) 8A 8V~42V - 有刷直流 -
TCV7108FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7108FN(TE85L,F) -
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 ECAD 第1774章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SMD，写入 TCV71 5.6V 可调节的 PS-8 (2.9x2.4) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1.5兆赫 的积极 是的 2A 0.8V 5.6V 2.7V
TB9044AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9044AFNG，EL 11.2332
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 ECAD 6472 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 电源、汽车应用 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB9044 - 48-高温SSOP 下载 3（168小时） 264-TB9044AFNGELTR EAR99 8542.39.0001 1,000 2 6V
TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG(O,EL) 1.5300
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ 通用型 表面贴装 16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78H651 DMOS - 16-TSSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 - 半桥 (4) 1.5A 1.8V~6V - 有刷直流 -
TC62D776CFNAG,CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG，CEBH -
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 ECAD 9002 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -40℃～85℃ LED照明 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 - 24-SSOP 下载 1 90毫安 1 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TC78H630FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H630FNG，EL 1.5800
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 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78H630 DMOS 2.7V～5.5V 16-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 司机 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 2.1A 2.5V～15V 双 有刷直流 -
TC62D776CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFG,EL -
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 ECAD 第1759章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TC62D776 - 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TB67S149FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FTG，EL 3.5500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S149 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 3A 10V～40V 单极 - 1 ~ 1/32
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,LS2TOKQ(J -
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 ECAD 3958 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TB9045FNG-110,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-110,EL 11.4387
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 ECAD 8581 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 电源、汽车应用 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB9045 - 48-高温SSOP 下载 3（168小时） 264-TB9045FNG-110ELTR EAR99 8542.39.0001 1,000 3 6V
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A，LF（SE） 0.4700
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 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第680章 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.75V - 1 0.573V@300mA - 过流、过温
TCR2LF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF30,LM(CT 0.3900
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 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF30 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051FTG,EL 8.3300
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 汽车 表面贴装 28-PowerQFN TB9051 双CMOS 4.5V~5.5V 28-QFN (6x6) 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 3,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 6A - - 有刷直流 -
TCK304G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK304G,LF 1.1500
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 ECAD 第447章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 9-UFBGA、WLCSP 转换速率控制，状态标志 TCK304 - N沟道 1:1 9-WCSP (1.5x1.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、过压、逆向电流、UVLO 高边 73毫欧 2.3V~28V 通用型 3A
TB67S141NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141NG 4.8600
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 ECAD 7172 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 通孔 24-SDIP（0.300英寸，7.62毫米） TB67S141 功率MOSFET 4.75V～5.25V 24-SDIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 TB67S141NG(O) EAR99 8542.39.0001 20 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 3A 10V～40V 单极 - 1、1/2、1/4
TB62209FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62209FG,EL -
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 ECAD 4905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 36-BSSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62209 DMOS 4.5V~5.5V 36-HSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 13V~34V 双 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TCR3DM15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM15,LF(SE 0.4800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.5V - 1 0.45V@300mA - 过流、过温
TC78H660FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FTG，EL 1.1900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 16-VFQFN 裸露焊盘 TC78H660 DMOS 1.5V～5.5V 16-超薄四方无光纤 (3x3) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 - 半桥 (4) 2A 2.5V～16V - 有刷直流 -
TA58L06S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S,HY-ATQ(M -
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 ECAD 8673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 6V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2LN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25，LF -
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 ECAD 5281 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN25 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.36V@150mA - 过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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