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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入 电压 - 输入(最大) 输出类型 输出 其中 - 输入:输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 重置 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源(最大) 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源(最大) 输出配置 当前-输出 导通电阻(典型值) 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源(最小) 电压 - 输出 开关类型 当前-产出(最大) 监测电压数量 电压-阈值 电压 - 输出(最小/固定) 电压 - 输出(最大) 调节器数量 电压降幅(最大) 电源抑制比 保护特性
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39,LM(CT 0.0906
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ECAD 3123 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF39 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 3.9V - 1 0.22V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、过温
TCR2LN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27,LF(SE 0.3800
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ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.7V - 1 0.36V@150mA - 过电流
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A,LF 0.1357
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ECAD 2718 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM18 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 使用能够 的积极 500毫安 1.8V - 1 0.43V@500mA 90分贝(1kHz) 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095,LF -
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ECAD 8775 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN095 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.95V - 1 1.46V@150mA - 过电流
TC62D722CFNG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG -
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ECAD 2080 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 线性 TC62D722 - 24-高温SSOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TB7109F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7109F(TE12L,Q) -
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ECAD 1194 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~125℃ 转换器、最高头 表面贴装 8-PowerTDFN TB7109 8V~27V 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2 可调节的
TA76431S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(T6穆拉特FM -
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ECAD 7643 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) TA76431ST6穆拉特FM EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR2LF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF20,LM(CT 0.0700
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ECAD 3018 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2V - 1 0.56V@150mA - 过电流
TCR3DM36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36,LF(SE 0.4800
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ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 3.6V - 1 0.2V@300mA - 过流、过温
TCR2LF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF10,LM(CT 0.0721
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ECAD 6884 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF10 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1V - 1 1.4V@150mA - 过电流
TB67H481FTG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FTG 0.9817
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ECAD 6624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 264-TB67H481FTGTR 4,000
TA58L08S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S,Q(J -
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ECAD 5175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 8V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10,LF 0.5000
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ECAD 8528 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM10 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 1V - 1 0.25V@500mA 70dB~40dB(1kHz~10Hz) 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP(托里,FM -
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ECAD 7522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L008 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 8V - 1 1.7V@40mA(典型值) 45分贝(120赫兹) 过电流
TB62213AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG,C8,EL 1.8494
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ECAD 7821 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 28-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 TB62213 功率MOSFET 4.75V~5.25V 28-HSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2.4A 10V~38V - 1、1/2、1/4
TA48L025F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L025F(TE12L,F) -
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ECAD 4325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 TO-243AA TA48L025 16V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 800微安 5毫安 - 的积极 150毫安 2.5V - 1 0.5V@100mA 70分贝(120赫兹) 过流、过温
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH022BE,LF(CT 0.5000
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ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCTH0xxxE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 热的 漏极开路或集电极开路 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 4,000 - 1 0.5V
TA58L12S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S(FJTN,AQ) -
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ECAD 5632 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 12V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2LE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE33,LM(CT 0.4100
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ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SOT-553 TCR2LE33 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TCR2LF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF25,LM(CT 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF25 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TCR3DM30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30,LF(SE 0.4800
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ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.25V@300mA - 过流、过温
TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE,LF(CT 0.5000
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ECAD 2210 0.00000000 东芝半导体和存储 TCTH0xxxE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 热的 推拉式、图腾柱式 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 4,000 - 1 0.5V
TBD62384APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384APG 1.9000
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ECAD 第777章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -40℃~85℃ 通孔 18-DIP(0.300英寸,7.62毫米) - 待定62384 反相 N沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 800 4.5V~5.5V 开/关 8 - 低侧 1.5欧姆 0V~50V 通用型 400毫安
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A,LF(SE 0.4600
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制,启用 的积极 300毫安 1V - 1 - - 过流、过温
TB67H450FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450FNG,EL 1.6700
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 TB67H450 - - 8-HSOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,500人 司机 - 半桥 3.5A 4.5V~44V - 有刷直流 -
TCK104G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK104G,LF 0.2235
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ECAD 5081 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测,转换速率受控 TCK104 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPB (0.80x1.2) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 电流限制(固定),过温 高边 50毫欧 1.1V~5.5V 通用型 800毫安
TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG18,LF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.365V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、过温
TBD62786AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786AFWG,EL 1.6300
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ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 18-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) - 待定62786 反相 P沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 2V~50V 开/关 8 - 高边 - 0V~50V 通用型 400毫安
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15S,Q(J -
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ECAD 7560 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M15 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1.4毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 15V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TCR3RM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A,LF(SE) 0.4600
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM18 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制,启用 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.22V@300mA - 过流、过温
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库