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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 电压 - 输入 | 电压 - 输入(最大) | 输出类型 | 输出 | 其中 - 输入:输出 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 输出/通道 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 界面 | 产出数量 | 重置 | 电流 - 静态 (Iq) | 电流 - 电源(最大) | 内部开关 | 拓扑结构 | 故障保护 | 控制特性 | 电压 - 电源(最大) | 输出配置 | 当前-输出 | 导通电阻(典型值) | 电压-负载 | 电机类型 - 步进 | 电机类型 - 交流、直流 | 步骤解析 | 调光 | 电压-电源(最小) | 电压 - 输出 | 开关类型 | 当前-产出(最大) | 监测电压数量 | 电压-阈值 | 电压 - 输出(最小/固定) | 电压 - 输出(最大) | 调节器数量 | 电压降幅(最大) | 电源抑制比 | 保护特性 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TCR3DF39,LM(CT | 0.0906 | ![]() | 3123 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR3DF39 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 3.9V | - | 1 | 0.22V@300mA | 70分贝(1kHz) | 浪涌电流、过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN27,LF(SE | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2.7V | - | 1 | 0.36V@150mA | - | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5AM18A,LF | 0.1357 | ![]() | 2718 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5AM | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR5AM18 | 5.5V | 固定的 | 5-DFNB (1.2x1.2) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55微安 | 使用能够 | 的积极 | 500毫安 | 1.8V | - | 1 | 0.43V@500mA | 90分贝(1kHz) | 过流、过温、欠压锁定 (UVLO) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN095,LF | - | ![]() | 8775 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | TCR2LN095 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 0.95V | - | 1 | 1.46V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D722CFNG | - | ![]() | 2080 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | - | 表面贴装 | 24-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 | 线性 | TC62D722 | - | 24-高温SSOP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90毫安 | 16 | 是的 | 升降台 | 5.5V | - | 3V | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB7109F(TE12L,Q) | - | ![]() | 1194 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~125℃ | 转换器、最高头 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | TB7109 | 8V~27V | 8-SOP 高级 (5x5) | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 | 可调节的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76431S(T6穆拉特FM | - | ![]() | 7643 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA76431 | - | 可调节的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | TA76431ST6穆拉特FM | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 的积极 | - | 2.495V | 36V | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF20,LM(CT | 0.0700 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2V | - | 1 | 0.56V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM36,LF(SE | 0.4800 | ![]() | 68 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-UDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-DFN (1x1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 3.6V | - | 1 | 0.2V@300mA | - | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF10,LM(CT | 0.0721 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2LF10 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1V | - | 1 | 1.4V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67H481FTG | 0.9817 | ![]() | 6624 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 264-TB67H481FTGTR | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L08S,Q(J | - | ![]() | 5175 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58L08 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1毫安 | 50毫安 | - | 的积极 | 250毫安 | 8V | - | 1 | 0.4V@200mA | - | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5AM10,LF | 0.5000 | ![]() | 8528 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5AM | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR5AM10 | 5.5V | 固定的 | 5-DFNB (1.2x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55微安 | 68微安 | 使用能够 | 的积极 | 500毫安 | 1V | - | 1 | 0.25V@500mA | 70dB~40dB(1kHz~10Hz) | 过流、过温、欠压锁定 (UVLO) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L008AP(托里,FM | - | ![]() | 7522 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA78L008 | 35V | 固定的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5毫安 | - | 的积极 | 150毫安 | 8V | - | 1 | 1.7V@40mA(典型值) | 45分贝(120赫兹) | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62213AFG,C8,EL | 1.8494 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 通用型 | 表面贴装 | 28-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 | TB62213 | 功率MOSFET | 4.75V~5.25V | 28-HSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (4) | 2.4A | 10V~38V | 双 | - | 1、1/2、1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA48L025F(TE12L,F) | - | ![]() | 4325 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | TO-243AA | TA48L025 | 16V | 固定的 | PW-MINI (SOT-89) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 800微安 | 5毫安 | - | 的积极 | 150毫安 | 2.5V | - | 1 | 0.5V@100mA | 70分贝(120赫兹) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCTH022BE,LF(CT | 0.5000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCTH0xxxE | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 热的 | 漏极开路或集电极开路 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 4,000 | - | 1 | 0.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L12S(FJTN,AQ) | - | ![]() | 5632 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58L12 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2毫安 | 50毫安 | - | 的积极 | 250毫安 | 12V | - | 1 | 0.4V@200mA | - | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE33,LM(CT | 0.4100 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LE | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SOT-553 | TCR2LE33 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 3.3V | - | 1 | 0.3V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF25,LM(CT | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2LF25 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2.5V | - | 1 | 0.38V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM30,LF(SE | 0.4800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-UDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-DFN (1x1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 3V | - | 1 | 0.25V@300mA | - | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCTH021AE,LF(CT | 0.5000 | ![]() | 2210 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCTH0xxxE | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 热的 | 推拉式、图腾柱式 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 4,000 | - | 1 | 0.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62384APG | 1.9000 | ![]() | 第777章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 通孔 | 18-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | - | 待定62384 | 反相 | N沟道 | 1:1 | 18-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | 4.5V~5.5V | 开/关 | 8 | - | 低侧 | 1.5欧姆 | 0V~50V | 通用型 | 400毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3RM10A,LF(SE | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3RM | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR3RM10 | 5.5V | 固定的 | 4-DFNC (1x1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12微安 | 电流限制,启用 | 的积极 | 300毫安 | 1V | - | 1 | - | - | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67H450FNG,EL | 1.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通用型 | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | TB67H450 | - | - | 8-HSOP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,500人 | 司机 | - | 半桥 | 3.5A | 4.5V~44V | - | 有刷直流 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK104G,LF | 0.2235 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 6-UFBGA、WLCSP | 负载预测,转换速率受控 | TCK104 | 非反相 | P沟道 | 1:1 | 6-WCSPB (0.80x1.2) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 不需要 | 开/关 | 1 | 电流限制(固定),过温 | 高边 | 50毫欧 | 1.1V~5.5V | 通用型 | 800毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG18,LF | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DG | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFBGA、CSPBGA | TCR3DG18 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSPE (0.65x0.65) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 1.8V | - | 1 | 0.365V@300mA | 70分贝(1kHz) | 浪涌电流、过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62786AFWG,EL | 1.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 18-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | - | 待定62786 | 反相 | P沟道 | 1:1 | 18-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 2V~50V | 开/关 | 8 | - | 高边 | - | 0V~50V | 通用型 | 400毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58M15S,Q(J | - | ![]() | 7560 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58M15 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.4毫安 | 80毫安 | - | 的积极 | 500毫安 | 15V | - | 1 | 0.65V@500mA | - | 过流、过温、反 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3RM18A,LF(SE) | 0.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3RM | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR3RM18 | 5.5V | 固定的 | 4-DFNC (1x1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12微安 | 电流限制,启用 | 的积极 | 300毫安 | 1.8V | - | 1 | 0.22V@300mA | - | 过流、过温 |

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