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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 输出 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 重置 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 故障保护 控制特性 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 开关类型 当前-产出（最大） 监测电压数量 电压-阈值 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG25，LF 0.1394
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 ECAD 7523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.13V@100mA 75dB～50dB（1kHz～100kHz） 过流、过温
TCR4DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG25，LF 0.1357
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 ECAD 2767 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG25 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 2.5V - 1 0.347V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TCR2EN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105，LF -
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 ECAD 3845 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN105 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 0.75V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
KIA78DL09PI Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78DL09PI -
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 ECAD 8660 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 50
TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11，LF 0.0926
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 ECAD 7329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM11 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.1V - 1 - 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA78L008AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,WNLF(J -
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 ECAD 9062 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L008 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 8V - 1 1.7V@40mA（典型值） 45分贝（120赫兹） 过电流
TA78DS05BP(FJTN,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP(FJTN,FM -
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 ECAD 6979 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TA48L02F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L02F(TE12L,F) -
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 ECAD 3550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA48L02 16V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 800微安 5毫安 - 的积极 150毫安 2V - 1 0.5V@100mA 70分贝（120赫兹） 过流、过温
TCK22975G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22975G，LF 0.1807
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 ECAD 3375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 转换速率受控 TCK22975 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TA78DS08BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP(T6ND,AF -
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 ECAD 4886 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 1.2毫安 - 的积极 30毫安 8V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG,8,EL -
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 ECAD 8540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62208 DMOS 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1, 1/2
TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A，L3F 0.4900
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 ECAD 5309 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM105 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1.05V - 1 0.14V@500mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TB67S102AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFNG，EL 1.8746
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 ECAD 1039 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB67S102 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V 双 - 1、1/2、1/4
TB62208FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FNG,C8,EL 1.4997
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 ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB62208 DMOS 4.5V~5.5V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1, 1/2
TA58M05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 9668 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA58M05 29V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG，C8，EL 1.4384
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 ECAD 9200 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB6584 下载 符合ROHS3标准 TB6584AFNGC8EL EAR99 8542.39.0001 2,000
TB67H400AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AHG 6.4000
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 ECAD 510 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 通孔 25-SIP成型接头 TB67H400 功率MOSFET 4.75V～5.25V 25-HZIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 510 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (4) 6A 10V~47V - 有刷直流 -
TCR2LE09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE09,LM(CT 0.0742
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 ECAD 5498 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.9V - 1 1.48V@150mA - 过电流
TA7291FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291FG(O,EL) -
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 ECAD 6661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 75°C (TA) 通用型 表面贴装 16-BSOP（0.252英寸，6.40毫米宽）+ 2个笔记本片 TA7291 双 4.5V～20V 16-HSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,500人 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 400毫安 0V～20V - 有刷直流 -
TA78L012AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,F(J -
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 ECAD 9256 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L012 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 12V - 1 1.7V@40mA（典型值） 41分贝（120赫兹） 过电流
TB67S109AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109AFNG，EL 3.6800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB67S109 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V 双 - 1 ~ 1/32
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP(托里,FM -
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 ECAD 7522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L008 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 8V - 1 1.7V@40mA（典型值） 45分贝（120赫兹） 过电流
TB62213AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG,C8,EL 1.8494
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 ECAD 7821 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62213 功率MOSFET 4.75V～5.25V 28-HSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2.4A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TA48L025F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L025F(TE12L,F) -
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 ECAD 4325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA48L025 16V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 800微安 5毫安 - 的积极 150毫安 2.5V - 1 0.5V@100mA 70分贝（120赫兹） 过流、过温
TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10,LF 0.5000
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 ECAD 8528 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM10 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 1V - 1 0.25V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH022BE,LF(CT 0.5000
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCTH0xxxE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 热的 漏极开路或集电极开路 - 符合ROHS3标准 1（无限制） 4,000 - 1 0.5V
TA58L12S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S(FJTN,AQ) -
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 ECAD 5632 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 12V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG，EL 1.3100
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 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62183 反相 N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 不适用 EAR99 8542.39.0001 1,000 2.8V～25V - 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 50毫安
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG33，LF 0.5000
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG33 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.11V@100mA - 浪涌电流、过流、热关断
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125，LF 0.5100
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG125 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 1.25V - 1 0.781V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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