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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCK22913G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22913G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22913 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR2EN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN33，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN33 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA58M05S(LBS2PP,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S（lbs2pp，aq -
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500µA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB67S101AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 1948年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S101 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TA76L431S,T6Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S，T6Q（j -
RFQ
 ECAD 7237 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67H450FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450FNG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H450 - - 8-hsop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
TPD1044F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPD1044F（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 3217 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 - TPD1044 不转变 n通道 1：1 PS-8（2.9x2.4） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 （（），温度超过电压 低侧 440MOHM 3v〜6V 通用目的 1a
TB6561FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6561FG，8，El 3.5800
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 30-bsop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） TB6561 Bi-Cmos 10v〜36V 30 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.5a 10v〜36V - DC -
TB67S102AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFNG，El 1.8746
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB67S102 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TCK22894G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22894G，LF 0.1643
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22894 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （（），温度 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 1.54a
TB6674PG,C,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6674PG，C，8 -
RFQ
 ECAD 1620年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6674 动力mosfet 4.5V〜5.5V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 350mA 2.7V〜22V 双极 - -
TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11，LF 0.0926
RFQ
 ECAD 7329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM11 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR15AG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG25，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG25 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 2.5V - 1 0.648V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TC78H600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FTG，El 0.6165
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-WFQFN暴露垫 TC78H600 DMO 2.7V〜5.5V 24-wqfn （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 800mA 2.5V〜15V - DC -
TBD62503AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFWG，El 0.9300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） - TBD62503 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NL，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE800 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TCR2EE135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE135，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE135 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.35V - 1 0.47V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105，LF -
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN105 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 0.75V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA58L12S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S（fjtn，QM） -
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB62777FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG，El -
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） 线性 TB62777 - 16ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 8 是的 换档 5.5V - 3V 25V
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，阿尔帕克（m -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，f（j -
RFQ
 ECAD 2980 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TA78DS08BP(DNSO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP （DNSO，FM -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCK22892G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22892G，LF 0.1643
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22892 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （（），温度 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 740mA
TB6569FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6569FG，8，El 2.7700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB6569 Bi-Cmos 10V〜45V 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 4a 10V〜45V - DC -
TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF085，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF085 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.85V - 1 1.58V @ 150mA - 超过电流
TC62D749CFNAG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFNAG -
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TC62D749 - 24 SSOP - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCR2EF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF18，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF18 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67H400AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFNG，El 3.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB67H400 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 6a 10v〜47V - DC -
TB6586BFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586BFG，El，干燥 -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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