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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 模式 当前-启动 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TA58M12F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 6818 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA58M12 29V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.2毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 12V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TB6561NG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6561NG,8 6.0795
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 ECAD 1719 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 通孔 24-SDIP（0.300英寸，7.62毫米） TB6561 双CMOS 10V～36V 24-SDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 1.5A 10V～36V - 有刷直流 -
TCK128AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128AG,LF -
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 ECAD 2792 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 TCK128 - 264-TCK128AG，LFTR EAR99 8542.39.0001 1
TA78L12F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12F(TE12L,F) -
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 ECAD 6680 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA78L12 35V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 6毫安 6.5毫安 - 的积极 150毫安 12V - 1 - 41分贝（120赫兹） 过流、过温
TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6WNLF(J -
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 ECAD 3650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62218AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG，C8，EL 1.3710
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 ECAD 2927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62218 DMOS 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCK22891G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22891G，LF 0.5000
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 ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载率 TCK22891 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定），过温 高边 31毫欧 1.4V～5.5V 通用型 400毫安
TA76L431S,T6Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S,T6Q(M -
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 ECAD 9001 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76L431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67H481FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FNG，EL 2.1500
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 28-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘 DMOS 8.2V～44V 28-高温SSOP 下载 1（无限制） 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 开/关 半桥 (4) 2.5A 8.2V～44V 双 有刷直流 1
TB62781FNG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG,8,EL -
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 ECAD 8436 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） 线性 TB62781 - 20-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 9 是的 - 5.5V - 3V 28V
TB9053FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9053FTG(EL) 5.0200
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 ECAD 4509 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 汽车 表面贴装 40-LFQFN 裸露焊盘 TB9053 DMOS 4.5V～28V 40-QFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 3,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行接口 半桥 (4) 6A 4.5V～28V 双 有刷直流 -
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP,F(J -
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 ECAD 8489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L075 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 7.5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 45分贝（120赫兹） 过电流
TCR2EF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF105,LM(CT 0.0618
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 ECAD 3343 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 0.77V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP(TE6,F,M -
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 ECAD 9780 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A，LF（SE） 0.4600
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM12 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.2V - 1 - - 过流、过温
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG,EL -
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 ECAD 3311 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -25℃～85℃ 表面贴装 16-SOP（0.181英寸，4.60毫米宽） TB6818 8.4V~26V 16-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 20kHz～150kHz 连续 (CCM) 30微安
TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A，LF -
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 ECAD 2170 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 - 的积极 300毫安 1V - 1 0.13V@300mA 100分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG33，LF 0.5000
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG33 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.11V@100mA - 浪涌电流、过流、热关断
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG，EL 1.3100
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 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62183 反相 N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 不适用 EAR99 8542.39.0001 1,000 2.8V～25V - 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 50毫安
TCR2EE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE12,LM(CT 0.3300
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 ECAD 6687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE12 5.5V 固定的 ESV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.2V - 1 0.57V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TAR5S50TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50TE85LF 0.4400
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5S50 15V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 开/关 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9052FNG(EL) 3.6153
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 ECAD 4372 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 汽车 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB9052 双CMOS 6V~18V 48-高温SSOP 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 控制器 - 速度 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) 100毫安 - - 有刷直流 -
TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1V - 1 1.38V@150mA - 过电流
TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE285，LM（CT 0.3900
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 ECAD 923 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE285 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TBD62387AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62387AFNG，EL 1.5200
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 ECAD 7086 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62387 反相 N沟道 1:1 20-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TBD62387AFNGELCT EAR99 8542.39.0001 2,000 4.5V~5.5V 开/关 8 - 低侧 1.5欧姆 0V～50V 通用型 500毫安
TCR3UM08A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM08A,LF(SE 0.4700
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制，启用 的积极 300毫安 0.8V - 1 1.257V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG，EL 2.1700
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 器具 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB62262 功率MOSFET 4.75V～5.25V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 800毫安 10V～35V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39,LM(CT 0.0906
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 ECAD 3123 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF39 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 3.9V - 1 0.22V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR2LN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27，LF（SE 0.3800
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.7V - 1 0.36V@150mA - 过电流
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A，LF 0.1357
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 ECAD 2718 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM18 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 使用能够 的积极 500毫安 1.8V - 1 0.43V@500mA 90分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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