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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3UM08A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um08a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 580 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.8V - 1 1.257V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，f（j。 -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.29V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LN095,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.95V - 1 1.46V @ 150mA - 超过电流
TC62D776CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFG，El -
RFQ
 ECAD 1759年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D776 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TA58M08S(LS2FJT,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S（ls2fjt，aq -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 8V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA58L05S,ALPSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，alpsaq（j。 -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28，LF 0.0926
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM28 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC62D722CFNG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG -
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-tssop （0.173英寸，4.40mm（4.40mm） 线性 TC62D722 - 24-HTSSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TA78L05F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L05F（te12l，f） -
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 TO-243AA TA78L05 35V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 5.5 ma 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 - 49dB（120Hz） 在电流上超过温度
TBD62502AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG，El 0.6316
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62502 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TBD62781APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781APG 1.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62781 不转变 P通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 800 不需要 打开/关 8 - 高侧 1.6OHM （50V）） 通用目的 400mA
TA78DS05CP,T6HYF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，T6HYF （M -
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR2EE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE18，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE18 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN27，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN27 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG125 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 1.25V - 1 0.781V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TB6585FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585FTG，8，El 1.9179
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6585 下载 rohs3符合条件 TB6585FTG8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR3DM285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285，LF -
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM285 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM33，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM33 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µA 使能够 积极的 500mA 3.3V - 1 0.43V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TB67H303HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H303HG 8.3300
RFQ
 ECAD 306 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67H303 动力mosfet 8v〜42v 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB67H303HG（O） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 8a 8v〜42v - DC -
TCR3DM15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM15，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.5V - 1 0.45V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG，El 2.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 800mA 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCKE812NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE812NL，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE812 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG33，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG33 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 3.3V - 1 0.11V @ 100mA - 电流电流，超过电流的热关机
TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG，8，El -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TB67S141NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141NG 4.8600
RFQ
 ECAD 7172 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB67S141 动力mosfet 4.75V〜5.25V 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 不适用 TB67S141NG（O） Ear99 8542.39.0001 20 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1、1/2、1/4
TA58L06S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S，HY-ATQ （M -
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 6V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA78L024AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L024AP，f（j -
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L024 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 24V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 35DB （120Hz） 超过电流
TA58M12F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M12 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.2 ma 80 ma - 积极的 500mA 12V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB67S141HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141HG 5.9794
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67S141 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1、1/2、1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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