SIC
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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6585AFTGC8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585AFTGC8，El 1.9179
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB6585 Bi-Cmos 4.5V〜42V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 1.2a 4.5V〜42V - DC（BLDC） -
TCV7102F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7102F（TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 6031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1.4MHz 积极的 是的 3a 0.8V 5.5V 2.7V
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTG，El 1.1819
RFQ
 ECAD 1525年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.4a 10v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4
TBD62003AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFNG，El 1.1000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） - TBD62003 反转 n通道 1：1 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TB67H452FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H452FTG，El 3.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67H452 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 司机 PWM （4） 5a 6.3v〜38V 双极 DC -
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM08A，RF 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 5,000 2.2 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.8V - 1 - 74DB〜43DB （100Hz〜100KHz） 在电流上超过温度
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG，8，El 1.0604
RFQ
 ECAD 8985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TCKE812NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE812NA，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-wfdfn暴露垫 TCKE812 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105，LF -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN105 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27，LF -
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN27 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31，LF -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN31 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF105，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF105 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 0.77V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM10 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 使能够 积极的 500mA 1V - 1 0.135V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S18U（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S18 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR15AG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG10，LF 0.2531
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG10 5.5V 固定的 6-WCSPF（0.80x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1V - 1 0.228V @ 1.5A 95dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2EE29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE29，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE29 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE31，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 4405 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE31 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE32 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE41 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE19，LM（ct 0.4000
RFQ
 ECAD 9367 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE19 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TCR2LE21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE21，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE21 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.56V @ 150mA - 超过电流
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF28 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.342V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF09A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF09 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 0.9V - 1 1.157V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR5RG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG12A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG12 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 1.2V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK421 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 同步 高侧和低侧 2 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
TCR2EN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en32，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR2EN32LF（SETR Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.6V @ 150mA - 超过电流
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN，LF 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 负载排放，控制率 TCK207 不转变 n通道 1：1 4-DFNA（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 21.5MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um28a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR3UM185A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM185A，LF （SE 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.85V - 1 0.457V @ 300mA - 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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