SIC
close

电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 故障保护 控制特性 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2EF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF13,LM(CT 0.4200
询价
 ECAD 60 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF13 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.3V - 1 0.47V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG28，LF 0.5000
询价
 ECAD 9976 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG28 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.12V@100mA - 浪涌电流、过流、热关断
TCR2LE115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE115,LM(CT 0.0742
询价
 ECAD 6644 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.15V - 1 1.3V@150mA - 过电流
TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285，LF（SE） 0.3800
询价
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.21V@150mA - 过电流
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A,L3F 0.4600
询价
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 0.95V - 1 0.225V@800mA - 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR2EN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN36,LF(SE 0.3800
询价
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.18V@150mA - 过电流
TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285，LF -
询价
 ECAD 5637 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN285 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.36V@150mA - 过电流
TCR2LN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25,LF(SE 0.3800
询价
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.36V@150mA - 过电流
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S33UTE85LF 0.5000
询价
 ECAD 27号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S33 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S,Q(J -
询价
 ECAD 5930 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 6V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F,LF 7.4500
询价
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 135°C (TJ) 通用型 表面贴装 42-SOP（0.330英寸，8.40毫米宽），31引脚，裸露焊盘 IGBT 13.5V 31-高速钢 - 符合ROHS3标准 3（168小时） 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (3) 3A 13.5V～450V 多相 无刷直流 (BLDC) -
TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105，LF -
询价
 ECAD 9926 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN105 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 1.38V@150mA - 过电流
TB67S209FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S209FTG，EL 1.6644
询价
 ECAD 2320 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃ 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S209 NMOS、PMOS 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V 双 有刷直流 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TB62215AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG,C8,EL 1.9973
询价
 ECAD 5550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62215 功率MOSFET 4.75V～5.25V 28-HSOP 下载 符合ROHS3标准 TB62215AFGC8EL EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V～38V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12，L3F 0.1538
询价
 ECAD 9066 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.2V - 1 0.26V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF105,LM(CT 0.4900
询价
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF105 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.05V - 1 0.77V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR3UM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM10A,LF(SE 0.4700
询价
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制，启用 的积极 300毫安 1V - 1 1.057V@300mA - 过流、过温
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083FTG(EL) 8.2600
询价
 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～150℃（TA） 通用型 表面贴装，可湿侧面 48-VFQFN 裸露焊盘 功率MOSFET 3V～5.5V、4.5V～28V 48-VQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 当前管理 SPI 预驱动器 - 半桥 (3) - - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AF、LF 0.4800
询价
 ECAD 85 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 负载预测，转换速率受控 TCK108 反相 P沟道 1:1 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 - 高边 63毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105，LF 0.1357
询价
 ECAD 9636 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG105 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 1.05V - 1 0.991V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L033F(TE12L,F) -
询价
 ECAD 3844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA48L033 16V 固定的 PW-MINI (SOT-89) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 800微安 5毫安 - 的积极 150毫安 3.3V - 1 0.5V@100mA 68分贝（120赫兹） 过流、过温
TCR15AG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG10，LF 0.2531
询价
 ECAD 6785 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG10 5.5V 固定的 6-WCSPF (0.80x1.2) 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 1V - 1 0.228V@1.5A 95分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A,LM(CT 0.4100
询价
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF105 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第580章 使用能够 的积极 300毫安 1.05V - 1 1.057V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB6642FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FTG,8,EL 2.3700
询价
 ECAD 2373 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 TB6642 双CMOS 10V～45V 32-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (2) 1.5A 10V～45V - 有刷直流 -
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，LF 0.3700
询价
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM18 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.38V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TBD62503APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503APG 1.3600
询价
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62503 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TBD62503APG(Z,HZ) EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG，EL 1.7809
询价
 ECAD 6157 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 NMOS 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 开/关 - - 10V～40V 单极 - -
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG，EL 2.7700
询价
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S512 功率MOSFET 2V～5.5V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (4) 2A 10V～35V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TBD62381APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381APG 1.9400
询价
 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～85℃ 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62381 - N沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 4.5V～5.5V 开/关 8 - 低侧 1欧姆 0V～50V 通用型 500毫安
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105，LF 0.1344
询价
 ECAD 1346 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM105 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 1.05V - 1 0.25V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

询价清单 (0 件)
购物车列表 (0 件)
Wishlist愿望清单 (0 件)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

数量：1

比较列表 (0 项)
按 Enter 进行搜索或按 ESC 关闭