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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB62747AFNG,C8EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNG，C8EL 1.0200
RFQ
 ECAD 1951年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） 线性 TB62747 - 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 45mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 26V
TBD62003AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFG，El 0.8900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62003 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR3DF31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF31，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF31 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 3.1V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TA58M09S,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M09S，Matudq（j。 -
RFQ
 ECAD 2222 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 9V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage tb6562ang -
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB6562 DMO 10v〜34V 24-SDIP 下载 （1 （无限） tb6562ang（o） Ear99 8542.39.0001 100 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 10v〜34V 双极 - 1、1/2、1/4
TB6559FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6559FG，8，El 1.9800
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB6559 NMO，PMOS 10v〜30v 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 10v〜30v - DC -
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051FTG，El 8.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 28-PowerQfn TB9051 Bi-Cmos 4.5V〜5.5V 28-qfn （6x6） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 3,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 6a - - DC -
TCR3DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG25，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.275V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62384APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384APG 1.9000
RFQ
 ECAD 777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62384 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 800 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1.5OHM 0v〜50V 通用目的 400mA
TB6552FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FTG，8，El 0.6489
RFQ
 ECAD 1259 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-WFQFN暴露垫 TB6552 动力mosfet 2.7V〜5.5V 16-WQFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 （4） 800mA 2.5V〜13.5V - DC -
TA78DS05AF(TE12L,F Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05AF （TE12L，f -
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-243AA TA78DS 29V 固定的 PW-Mini（SOT-89） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR3UG185A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG185A，LF 0.1237
RFQ
 ECAD 2215 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 4-XFBGA，WLCSP 4-WCSPF（0.65x0.65） - rohs3符合条件 264-TCR3UG185A，LFTR 5,000
TB62777FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG，El -
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） 线性 TB62777 - 16ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 8 是的 换档 5.5V - 3V 25V
TC78H630FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H630FNG，El 1.5800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） TC78H630 DMO 2.7V〜5.5V 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥 2.1a 2.5V〜15V 双极 DC -
TCR2EE335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE335，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE335 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.35V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB7107FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7107FN（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7107 20V 可调节的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 380kHz 积极的 是的 2a 0.8V 18V 4.5V
TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM075，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM075 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.75V - 1 0.21V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCK22913G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22913G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22913 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A，LF （SE 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM12 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.2V - 1 - - 在电流上超过温度
TB67S101AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 1948年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S101 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67H450FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450FNG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H450 - - 8-hsop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
TB62208FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FNG，C8，El 1.4997
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TCR2LF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF12，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF12 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150mA - 超过电流
TA58M08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M08 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 8V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA76L431S,T6Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S，T6Q（j -
RFQ
 ECAD 7237 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE30，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE30 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN33，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN33 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB62755FPG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62755FPG，El -
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DC DC调节器 TB62755 1MHz 6（1.8x2） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
TCR2DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG36，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM18 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 使能够 积极的 500mA 1.8V - 1 0.43V @ 500mA 90dB（1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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