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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 输出 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 重置 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 监测电压数量 电压-阈值 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG，EL 2.2800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 器具 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB62261 功率MOSFET 4.75V～5.25V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 800毫安 10V～35V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TB62218AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG,C8,EL 1.5754
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 ECAD 8118 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62218 DMOS 4.75V～5.25V 28-HSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TB67S142FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142FTG，EL 1.6439
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 ECAD 8253 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S142 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 3A 10V～40V 单极 - 1、1/2、1/4
TB9061AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9061AFNG,EL 4.6865
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 通用型 表面贴装 24-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TB9061 双CMOS 5.5V～18V 24-SSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCR3RM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A，LF（SE） 0.4600
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM18 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.22V@300mA - 过流、过温
TCR3DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG18，LF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.365V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCK305G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK305G,LF 0.4644
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 ECAD 6337 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 9-UFBGA、WLCSP 转换速率控制，状态标志 TCK305 - N沟道 1:1 9-WCSP (1.5x1.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、过压、逆流、U 高边 73毫欧 2.3V~28V 通用型 3A
TB62771FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62771FTG,8,EL 1.5500
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 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 负债 表面贴装 20-WFQFN 裸露焊盘 直流稳压电源 TB62771 200kHz～2MHz 20-WQFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 150毫安 4 是的 升压（升压） 40V 脉宽调节 4.75V 45V
TCR15AG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG12，LF 0.7000
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 ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG12 5.5V 固定的 6-WCSPF (0.80x1.2) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 1.2V - 1 0.257V@1.5A 95分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定
TA58L08S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S,Q(J -
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 ECAD 5175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 8V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH021AE,LF(CT 0.5000
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 ECAD 2210 0.00000000 东芝半导体和存储 TCTH0xxxE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 热的 推拉式、图腾柱式 - 符合ROHS3标准 1（无限制） 4,000 - 1 0.5V
TCR2LE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE33,LM(CT 0.4100
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 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE33 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TCR2LF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF25,LM(CT 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF25 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TBD62384APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62384APG 1.9000
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 ECAD 第777章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -40℃～85℃ 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62384 反相 N沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 800 4.5V~5.5V 开/关 8 - 低侧 1.5欧姆 0V～50V 通用型 400毫安
TCR2EN29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN29，LF 0.0896
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 ECAD 1548 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN29 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.9V - 1 0.21V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3DF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF18,LM(CT 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF18 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.4V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3UG25A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG25A，LF 0.4700
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG25 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 680纳安 使用能够 的积极 300毫安 2.5V - 1 0.327V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A，LF(SE 0.4600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 1V - 1 - - 过流、过温
TB6585FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585FG,8,EL 1.7304
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 ECAD 5910 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB6585 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） TB6585FG8EL EAR99 8542.39.0001 1,000
TAR5S50UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50UTE85LF 0.5400
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 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S50 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA58L05S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(FJTN,QM) -
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 ECAD 3610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR3DF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF12,LM(CT 0.4200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF12 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.2V - 1 0.62V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TC78B016FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B016FTG，EL 4.2300
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 ECAD 5728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TC78B016 功率MOSFET 0V～5.5V 36-WQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 控制器 - 换向、方向管理 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (3) 3A 6V～30V - 无刷直流 (BLDC) -
TB6604FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6604FTG,8,EL -
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 ECAD 1396 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - - 表面贴装 - TB6604 - - 48-QFN 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 - 预驱动器 - 半桥 (3) - 30V - 无刷直流 (BLDC) -
TA48M05F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M05F(T6L1,SNQ) -
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 ECAD 5431 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA48M05 29V 固定的 PW-模具 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.4毫安 25毫安 - 的积极 500毫安 5V - 1 0.65V@500mA 68分贝（120赫兹） 过流、过温、过压、逆流
TBD62503AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFWG，EL 0.9300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） - 待定62503 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TC78H600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FTG，EL 0.6165
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 ECAD 8650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 24-WFQFN 裸露焊盘 TC78H600 DMOS 2.7V～5.5V 24-WQFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 800毫安 2.5V～15V - 有刷直流 -
TCR2DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG25，LF 0.1394
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 ECAD 7523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.13V@100mA 75dB～50dB（1kHz～100kHz） 过流、过温
TCR4DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG25，LF 0.1357
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 ECAD 2767 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG25 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 2.5V - 1 0.347V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TCR2EN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105，LF -
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 ECAD 3845 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN105 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 0.75V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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