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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入(最大) 输出类型 温度系数 其中 - 输入:输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源(最大) 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源(最大) 输出配置 当前-输出 导通电阻(典型值) 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源(最小) 电压 - 输出 开关类型 当前-产出(最大) 电压 - 输出(最小/固定) 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出(最大) 调节器数量 电压降幅(最大) 电源抑制比 保护特性
TCR2EN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19,LF(SE 0.3800
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.9V - 1 0.29V@300mA,0.3V@300mA - 过电流
TCR2LF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF20,LM(CT 0.0700
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ECAD 3018 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2V - 1 0.56V@150mA - 过电流
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39,LM(CT 0.0906
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ECAD 3123 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF39 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 3.9V - 1 0.22V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、过温
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG,EL 2.1700
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 器具 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB62262 功率MOSFET 4.75V~5.25V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 800毫安 10V~35V 有刷直流 1、1/2、1/4
TC62D722CFNG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG -
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ECAD 2080 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 线性 TC62D722 - 24-高温SSOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TCR3DM36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36,LF(SE 0.4800
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ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 3.6V - 1 0.2V@300mA - 过流、过温
TA78L006AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP,WNLF(J -
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ECAD 3934 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L006 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 6V - 1 1.7V@40mA(典型值) 47分贝(120赫兹) 过电流
TCR2LF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF10,LM(CT 0.0721
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ECAD 6884 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF10 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1V - 1 1.4V@150mA - 过电流
TB67H481FTG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FTG 0.9817
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ECAD 6624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 264-TB67H481FTGTR 4,000
TA76431S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(T6穆拉特FM -
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ECAD 7643 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) TA76431ST6穆拉特FM EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TB6560AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ,8 7.2800
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ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 通孔 25-SSIP成型接头 TB6560 功率MOSFET 4.5V~5.5V 25-HZIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 14 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 4.5V~34V - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285,LF(SE) 0.3800
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 264-TCR2LN285LF(SEC) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.36V@150mA - 过电流
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,ALPSAQ(M -
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ECAD 4393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TBD62083AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG,EL 1.3600
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ECAD 8193 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC(0.276英寸,7.00毫米宽) - 待定62083 反相 N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V(最大) 通用型 500毫安
TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39,LM(CT 0.3500
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE39 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.9V - 1 0.2V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TC62D749CFNAG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFNAG -
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ECAD 3866 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SSOP(0.154英寸,3.90毫米宽) 线性 TC62D749 - 24-SSOP - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12,LF(SE 0.3800
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.2V - 1 0.55V@150mA - 过电流
KIA78L05BP Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78L05BP -
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ECAD 3403 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1
TCR2EE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE18,LM(CT 0.3700
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ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE18 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.31V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TCR3UM08A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM08A,LF(SE 0.4700
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ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制,启用 的积极 300毫安 0.8V - 1 1.257V@300mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TBD62786APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786APG 1.8200
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ECAD 221 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~85℃ 通孔 18-DIP(0.300英寸,7.62毫米) - 待定62786 反相 P沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 20 2V~50V 开/关 8 - 高边 1.6欧姆 0V~50V 通用型 400毫安
TA78L12F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12F(TE12L,F) -
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ECAD 6680 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃~85℃ 表面贴装 TO-243AA TA78L12 35V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 6毫安 6.5毫安 - 的积极 150毫安 12V - 1 - 41分贝(120赫兹) 过流、过温
TB62218AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG,C8,EL 1.3710
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ECAD 2927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62218 DMOS 4.75V~5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V~38V - 1、1/2、1/4
TCK128AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128AG,LF -
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ECAD 2792 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 TCK128 - 264-TCK128AG,LFTR EAR99 8542.39.0001 1
TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6WNLF(J -
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ECAD 3650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9052FNG(EL) 3.6153
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ECAD 4372 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 汽车 表面贴装 48-TFSOP(0.240",6.10mm宽)裸露焊盘 TB9052 双CMOS 6V~18V 48-高温SSOP 下载 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 1,000 控制器 - 速度 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) 100毫安 - - 有刷直流 -
TCR2EE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE30,LM(CT 0.3700
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE30 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3V - 1 0.2V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TB67S101AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFTG,EL 3.1400
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ECAD 1948年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S101 功率MOSFET 4.75V~5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V - 1、1/2、1/4
TCR2EF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF28,LM(CT 0.3300
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ECAD 6239 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF28 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.23V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A,L3F 0.4900
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ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM11 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制,启用 的积极 500毫安 1.1V - 1 0.14V@500mA 98分贝(1kHz) 过流、过温
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库