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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 当前-供应 | 电压 - 输入 | 电压 - 输入(最大) | 输出类型 | 温度系数 | 其中 - 输入:输出 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 输出/通道 | 参考类型 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 界面 | 产出数量 | 电流 - 静态 (Iq) | 电流 - 电源(最大) | 内部开关 | 拓扑结构 | 故障保护 | 控制特性 | 电压 - 电源(最大) | 输出配置 | 当前-输出 | 导通电阻(典型值) | 电压-负载 | 电机类型 - 步进 | 电机类型 - 交流、直流 | 步骤解析 | 调光 | 电压-电源(最小) | 电压 - 输出 | 开关类型 | 当前-产出(最大) | 电压 - 输出(最小/固定) | 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz | 噪声 - 10Hz 至 10kHz | 电压 - 输出(最大) | 调节器数量 | 电压降幅(最大) | 电源抑制比 | 保护特性 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TCR2EN19,LF(SE | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.9V | - | 1 | 0.29V@300mA,0.3V@300mA | - | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF20,LM(CT | 0.0700 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2V | - | 1 | 0.56V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF39,LM(CT | 0.0906 | ![]() | 3123 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR3DF39 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 3.9V | - | 1 | 0.22V@300mA | 70分贝(1kHz) | 浪涌电流、过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62262FTAG,EL | 2.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 器具 | 表面贴装 | 36-WFQFN 裸露焊盘 | TB62262 | 功率MOSFET | 4.75V~5.25V | 36-WQFN (6x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 脉宽调节 | 半桥 (4) | 800毫安 | 10V~35V | 双 | 有刷直流 | 1、1/2、1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D722CFNG | - | ![]() | 2080 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | - | 表面贴装 | 24-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 | 线性 | TC62D722 | - | 24-高温SSOP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90毫安 | 16 | 是的 | 升降台 | 5.5V | - | 3V | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM36,LF(SE | 0.4800 | ![]() | 68 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-UDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-DFN (1x1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 3.6V | - | 1 | 0.2V@300mA | - | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L006AP,WNLF(J | - | ![]() | 3934 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA78L006 | 35V | 固定的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6毫安 | - | 的积极 | 150毫安 | 6V | - | 1 | 1.7V@40mA(典型值) | 47分贝(120赫兹) | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF10,LM(CT | 0.0721 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2LF10 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1V | - | 1 | 1.4V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67H481FTG | 0.9817 | ![]() | 6624 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 264-TB67H481FTGTR | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76431S(T6穆拉特FM | - | ![]() | 7643 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA76431 | - | 可调节的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | TA76431ST6穆拉特FM | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 的积极 | - | 2.495V | 36V | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6560AHQ,8 | 7.2800 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -30°C ~ 85°C (TA) | 通用型 | 通孔 | 25-SSIP成型接头 | TB6560 | 功率MOSFET | 4.5V~5.5V | 25-HZIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 14 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (4) | 3A | 4.5V~34V | 双 | - | 1、1/2、1/4、1/8、1/16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN285,LF(SE) | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 264-TCR2LN285LF(SEC) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2.85V | - | 1 | 0.36V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S,ALPSAQ(M | - | ![]() | 4393 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58L05 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1毫安 | 50毫安 | - | 的积极 | 250毫安 | 5V | - | 1 | 0.4V@200mA | - | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62083AFG,EL | 1.3600 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 18-SOIC(0.276英寸,7.00毫米宽) | - | 待定62083 | 反相 | N沟道 | 1:1 | 18-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 不需要 | 开/关 | 8 | - | 低侧 | - | 50V(最大) | 通用型 | 500毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE39,LM(CT | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EE | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SOT-553 | TCR2EE39 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 3.9V | - | 1 | 0.2V@150mA | 73分贝(1kHz) | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D749CFNAG | - | ![]() | 3866 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | - | 表面贴装 | 24-SSOP(0.154英寸,3.90毫米宽) | 线性 | TC62D749 | - | 24-SSOP | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90毫安 | 16 | 是的 | 升降台 | 5.5V | - | 3V | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN12,LF(SE | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.2V | - | 1 | 0.55V@150mA | - | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 起亚78L05BP | - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 大部分 | 的积极 | 起亚78 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE18,LM(CT | 0.3700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EE | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SOT-553 | TCR2EE18 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.8V | - | 1 | 0.31V@150mA | 73分贝(1kHz) | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UM08A,LF(SE | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-UDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-DFN (1x1) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 第580章 | 电流限制,启用 | 的积极 | 300毫安 | 0.8V | - | 1 | 1.257V@300mA | 70分贝(1kHz) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62786APG | 1.8200 | ![]() | 221 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~85℃ | 通孔 | 18-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | - | 待定62786 | 反相 | P沟道 | 1:1 | 18-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 2V~50V | 开/关 | 8 | - | 高边 | 1.6欧姆 | 0V~50V | 通用型 | 400毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L12F(TE12L,F) | - | ![]() | 6680 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -30℃~85℃ | 表面贴装 | TO-243AA | TA78L12 | 35V | 固定的 | PW-MINI (SOT-89) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6毫安 | 6.5毫安 | - | 的积极 | 150毫安 | 12V | - | 1 | - | 41分贝(120赫兹) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62218AFTG,C8,EL | 1.3710 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 通用型 | 表面贴装 | 48-VFQFN 裸露焊盘 | TB62218 | DMOS | 4.75V~5.25V | 48-QFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (4) | 2A | 10V~38V | 双 | - | 1、1/2、1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK128AG,LF | - | ![]() | 2792 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | TCK128 | - | 264-TCK128AG,LFTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76432S,T6WNLF(J | - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | - | -40℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA76432 | - | - | - | - | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB9052FNG(EL) | 3.6153 | ![]() | 4372 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 汽车 | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.240",6.10mm宽)裸露焊盘 | TB9052 | 双CMOS | 6V~18V | 48-高温SSOP | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 控制器 - 速度 | 脉宽调节 | 预驱动器 - 半桥 (2) | 100毫安 | - | - | 有刷直流 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE30,LM(CT | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EE | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SOT-553 | TCR2EE30 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 3V | - | 1 | 0.2V@150mA | 73分贝(1kHz) | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67S101AFTG,EL | 3.1400 | ![]() | 1948年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 通用型 | 表面贴装 | 48-WFQFN 裸露焊盘 | TB67S101 | 功率MOSFET | 4.75V~5.25V | 48-WQFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (4) | 3A | 10V~47V | 双 | - | 1、1/2、1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EF28,LM(CT | 0.3300 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2EF28 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2.8V | - | 1 | 0.23V@150mA | 73分贝(1kHz) | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5BM11A,L3F | 0.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5BM | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR5BM11 | 5.5V | 固定的 | 5-DFNB (1.2x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36微安 | 电流限制,启用 | 的积极 | 500毫安 | 1.1V | - | 1 | 0.14V@500mA | 98分贝(1kHz) | 过流、过温 |

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