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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A，LF （Se 0.4700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.75V - 1 0.573V @ 300mA - 在电流上超过温度
TA78L015AP(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP（f，m） -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L015 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 - 41dB（120Hz） 在电流上超过温度
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF39 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 3.9V - 1 0.22V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TBD62781APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781APG 1.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62781 不转变 P通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 800 不需要 打开/关 8 - 高侧 1.6OHM （50V）） 通用目的 400mA
TA78DS05CP,T6HYF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，T6HYF （M -
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG125 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 1.25V - 1 0.781V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TCR2EN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN27，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN27 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB7107FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7107FN（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7107 20V 可调节的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 380kHz 积极的 是的 2a 0.8V 18V 4.5V
TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM075，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM075 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.75V - 1 0.21V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCK22913G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22913G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22913 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A，LF （SE 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM12 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.2V - 1 - - 在电流上超过温度
TB67H450FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450FNG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H450 - - 8-hsop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
TB62208FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FNG，C8，El 1.4997
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TCR2LF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF12，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF12 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150mA - 超过电流
TA58M08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M08 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 8V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA76L431S,T6Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S，T6Q（j -
RFQ
 ECAD 7237 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE30，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE30 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB62755FPG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62755FPG，El -
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 6-UFDFN暴露垫 DC DC调节器 TB62755 1MHz 6（1.8x2） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
TCR2DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG36，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM18 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 使能够 积极的 500mA 1.8V - 1 0.43V @ 500mA 90dB（1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TA78L012AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP，f（j -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L012 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 41dB（120Hz） 超过电流
TCR3UG50A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50A，LF 0.1261
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG50 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 5V - 1 0.195V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCR2LN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN15，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 1.11V @ 150mA - 超过电流
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en105，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN105 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 0.75V @ 150mA - 超过电流
TCR8BM085A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM085A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 0.85V - 1 0.215V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TC78B015FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015FTG，El 1.6758
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TC78B015 CMOS 6v〜22v 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 5,000 司机 PWM 3（3） 3a - 多相 DC（BLDC） -
TCR5AM055,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM055，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM055 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.55V - 1 0.2V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2EE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE12，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE12 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 0.57V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF105，LM（ct 0.0618
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 0.77V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF15，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.5V - 1 0.47V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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