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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TA58M05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S,Q(J -
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 ECAD 3007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TCR2LF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF18,LM(CT 0.3900
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF18 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.62V@150mA - 过电流
TCR3DM285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285，LF（SE） 0.4800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.25V@300mA - 过流、过温
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25,LM(CT 0.3800
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 ECAD 8549 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF25 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 2.5V - 1 0.31V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCK102G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK102G、LF 0.2235
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 ECAD 6251 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA 转换速率受控 TCK102 非反相 P沟道 1:1 6-BGA 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 过温 高边 50毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TAR5S33TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S33TE85LF 0.1496
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 ECAD 第1444章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5S33 15V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 开/关 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB67S522FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S522FTAG，EL 1.4384
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 ECAD 8048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 TB67S522 - 2V～5.5V 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (2) 2.8A 10V～35V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR2LF095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF095,LM(CT 0.0700
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 ECAD 6291 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF095 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.95V - 1 1.48V@150mA - 过电流
TA78L005AP,SDENF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,SDENF(J -
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 ECAD 1118 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S,HOTIKIQ(M -
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 ECAD 5233 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TB6561FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6561FG,8,EL 3.5800
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 ECAD 2288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 30-BSOP（0.295英寸，7.50毫米宽） TB6561 双CMOS 10V～36V 30-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 1.5A 10V～36V - 有刷直流 -
TCR2EE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE30,LM(CT 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE30 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,ALPSAQ(M -
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 ECAD 4393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39,LM(CT 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE39 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.9V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TBD62083AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG,EL 1.3600
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 ECAD 8193 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.276英寸，7.00毫米宽） - 待定62083 反相 N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TC62D749CFNAG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFNAG -
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 ECAD 3866 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TC62D749 - 24-SSOP - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TBD62502AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG,EL 0.6316
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 ECAD 1298 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7110F(TE12L,Q) -
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 ECAD 2524 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TB7110 27V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 2 巴克 500kHz 的积极 不 1.5A、800mA 1.215V 24V 4.5V
TCR2LN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN15,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 1.11V@150mA - 过电流
TCR2LE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE13,LM(CT 0.4000
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE13 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.3V - 1 1.13V@150mA - 过电流
TCR2DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG13，LF 0.1394
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 ECAD 3275 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG13 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 1.3V - 1 0.7V@100mA - 过流、过温
TCK22893G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22893G，LF 0.1643
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 ECAD 7539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载率 TCK22893 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定），过温 高边 31毫欧 1.4V～5.5V 通用型 1.11A
TCR2LF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF36,LM(CT 0.3900
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 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF36 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TCR2EE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE18,LM(CT 0.3700
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 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE18 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.31V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
KIA78L05BP Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78L05BP -
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 ECAD 3403 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.2V - 1 0.55V@150mA - 过电流
TB67S101AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101AFTG，EL 3.1400
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 ECAD 1948年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S101 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V 双 - 1、1/2、1/4
TB6560AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG,8,EL -
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 ECAD 3195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB6560 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 4.5V~34V 双 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125，LF 0.5100
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG125 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 1.25V - 1 0.781V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TCR2LN15,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN15，LF -
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 ECAD 7538 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN15 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 1.11V@150mA - 过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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