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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 频率切换 故障保护 控制特性 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 模式 当前-启动 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A，LF 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG19 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 1.9V - 1 0.457V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB6562AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG,8,EL 3.2200
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 ECAD 1755 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 30-BSOP（0.295英寸，7.50毫米宽） TB6562 DMOS 10V~34V 30-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 10V~34V 双 - 1、1/2、1/4
TB67S269FTG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S269FTG -
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 ECAD 1924年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S269 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V~47V 双 - 1 ~ 1/32
TA58L05S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(FJTN,AQ) -
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 ECAD 6255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF40,LM(CT 0.3300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF40 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12,LM(CT 0.4100
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 ECAD 第1177章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE12 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.2V - 1 1.25V@150mA - 过电流
TCR2LN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11，LF -
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 ECAD 2442 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN11 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 1.28V@150mA - 过电流
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6605FTG,EL 2.8700
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 ECAD 7876 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB6605 双CMOS 9V~28V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCK105G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK105G,LF -
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 ECAD 1267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK105 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPB (0.80x1.2) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定），过温 高边 50毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1.2A
TCR3UF19A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF19A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF19 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TCR3UF19ALM（TR） EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 1.9V - 1 0.464V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB62208FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG,C8,EL 2.9200
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 ECAD 6044 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62208 DMOS 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1, 1/2
TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30，LF 0.0926
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 ECAD 2827 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM30 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.25V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30,LM(CT 0.4200
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF30 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,8,EL -
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 ECAD 第1553章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 - 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62216 功率MOSFET 40V（最大） 48-QFN (7x7) 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2.5A - - 有刷直流 -
TCR3DM32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM32,LF(SE 0.4800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 3.2V - 1 0.23V@300mA - 过流、过温
TCR2LE08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE08,LM(CT 0.0742
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 ECAD 7520 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE08 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.8V - 1 1.58V@150mA - 过电流
TCR2EN34,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN34，LF（SE） 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.4V - 1 0.18V@150mA - 过电流
TCR2LN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.3V - 1 1.11V@150mA - 过电流
TCR3DF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF15,LM(CT 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF15 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 1.5V - 1 0.47V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125，LF（SE） 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.25V - 1 0.55V@150mA - 过电流
TC78B015FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015FTG，EL 1.6758
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 ECAD 1800 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TC78B015 互补金属O化物半导体 6V～22V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 5,000 司机 脉宽调节 半桥 (3) 3A - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG(O,EL) 7.8400
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 ECAD 8129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 64-VFQFN 裸露焊盘 TB67S128 功率MOSFET 0V～5.5V 64-VQFN (9x9) 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 5A 6.5V～44V 双 - 1/8、1/16、1/32
TCR1HF50B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF50B,LM(CT 0.4800
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 ECAD 6529 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 - 3,000
TCR2LN095,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.95V - 1 1.46V@150mA - 过电流
TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9101FNG,EL 5.1900
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 ECAD 7188 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 汽车 表面贴装 24-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TB9101 双CMOS 7V~18V 24-SSOP 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 开/关 预驱动器 - 半桥 (4) 1.5A 0.3V～40V - 有刷直流 -
TCR3UG185A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG185A，LF 0.1237
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 ECAD 2215 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP 4-WCSPF (0.65x0.65) - 符合ROHS3标准 264-TCR3UG185A，LFTR 5,000
TA78L09F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L09F(TE12L,F) -
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 ECAD 6344 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA78L09 35V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 6毫安 6.5毫安 - 的积极 150毫安 9V - 1 - 44分贝（120赫兹） 过流、过温
TCR2DG22,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG22，LF 0.1394
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 ECAD 4566 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.2V - 1 0.14V@100mA - 过流、过温
TA76431AS,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS,T6WNLF(J -
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 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB6819AFG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6819AFG,C,EL 0.5768
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 ECAD 2379 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽） TB6819 10V～25V 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 20kHz～150kHz 临界疗法 (CRM) 72.5微安
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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