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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 参考类型 界面 输出数量 重置 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 拓扑 频率 -切换 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 电压 -输出 监视电压数量 电压 -阈值 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6612FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6612FNG，C，8，El 2.0100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6612 动力mosfet 2.7V〜5.5V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜13.5V - DC -
TA8428K(O,S) Toshiba Semiconductor and Storage TA8428K（o，S） -
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 7-sip裸露的选项卡 TA8428 双极 7v〜27V 7-hsip 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1.5a 7v〜27V - DC -
TC62D748AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748AFG，El 0.4326
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TC62D748 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR2EN29,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en29，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.21V @ 150mA - 超过电流
TA58L12S,LS1TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S，LS1TOKQ（j -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB62208FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG，C8，El 2.9200
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TA58L05S,COMTQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，COMTQ （M -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA76431AS,T6MURF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS，T6Murf（j -
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.95V - 1 1.48V @ 150mA - 超过电流
TB7101F(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101F（t5l3.3，f） -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 3.3V - 4.3V
TA48M033F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M033F （T6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M033 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 3.3V - 1 0.65V @ 500mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN10 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 0.75V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB7101AF(T5L1.8,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.8，F） -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 1.8V - 2.8V
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，T6F（j -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TCR2LF31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF31，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF31 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF275，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF275 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.75V - 1 0.31V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2EE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE12，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE12 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 0.57V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR8BM085A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM085A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 0.85V - 1 0.215V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TC78B015FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015FTG，El 1.6758
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TC78B015 CMOS 6v〜22v 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 5,000 司机 PWM 3（3） 3a - 多相 DC（BLDC） -
TCR5RG17A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG17A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG17 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 1.7V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TB6559FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6559FG，8，El 1.9800
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB6559 NMO，PMOS 10v〜30v 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 10v〜30v - DC -
TCTH021AE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage tcth021ae，lf（ct 0.5000
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 东芝半导体和存储 tcth0xxxe 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 热的 推扣，图腾柱 - rohs3符合条件 （1 （无限） 4,000 - 1 0.5V
TB67B000AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb67b000afg，el 7.3500
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C 通用目的 表面安装 42-sop （0.330英寸，8.40mm宽），34个铅，裸露的垫子 TB67B000 IGBT 13.5v〜16.5V 34-hssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 9468 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1.8V - 1 0.21V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LN085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085，LF -
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN085 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.85V - 1 1.56V @ 150mA - 超过电流
TCR3DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG31，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG31 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 3.1V - 1 0.235V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TB9044AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9044AFNG，El 11.2332
RFQ
 ECAD 6472 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 电源，汽车应用 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB9044 - 48-htssop 下载 3（168）） 264-TB9044AFNGELTR Ear99 8542.39.0001 1,000 2 6V
TCR3DM285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.25V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2DG22,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG22，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.2V - 1 0.14V @ 100mA - 在电流上超过温度
TC78B004AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B004AFTG，EL 2.7700
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C 〜85°C 通用目的 表面安装 40-WFQFN暴露垫 TC78B004 NMOS 10v〜28V 40-wqfn（6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -速度 PWM 前驾驶员 -3） 100mA - 多相 DC（BLDC） -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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