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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2EE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE20，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE20 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6562AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG，8，El 3.2200
RFQ
 ECAD 1755年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 30-bsop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） TB6562 DMO 10v〜34V 30 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 10v〜34V 双极 - 1、1/2、1/4
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F，LF 6.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C（TJ） 通用目的 表面安装 42-SOP （0.330英寸，8.40mm宽），31个铅，裸露的垫子 IGBT 13.5v〜16.5V 31-hssop - rohs3符合条件 3（168）） 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR2EF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF36，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF36 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE34,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE34，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE34 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.4V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6552FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FNG，C，8，El 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TB6552 动力mosfet 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 （4） 800mA 2.5V〜13.5V - DC -
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF36 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.6V - 1 0.245V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG285，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
TC78H611FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H611FNG，El 1.5800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） TC78H611 DMO 2.7V〜5.5V 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） 1.1a 2.5V〜15V 双极 DC -
TPD4207F,FQ Toshiba Semiconductor and Storage TPD4207F，FQ 9.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 30 SOP （0.433“，11.00mm宽度） TPD4207 动力mosfet 13.5v〜16.5V 30 SOP 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 5a 50V〜450V - DC（BLDC） -
TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM33 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 3.3V - 1 0.14V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB6586AFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage tb6586afg，el，干燥 -
RFQ
 ECAD 1607年 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.31.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR2EN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN12 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 0.55V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF32，LM（ct 0.0721
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF32 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TCR2EN29,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en29，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.21V @ 150mA - 超过电流
TA76431AS,T6MURF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS，T6Murf（j -
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCK2065G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK2065G，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK2065 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （），高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 1.11a
TA8428K(O,S) Toshiba Semiconductor and Storage TA8428K（o，S） -
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 7-sip裸露的选项卡 TA8428 双极 7v〜27V 7-hsip 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1.5a 7v〜27V - DC -
TC62D748AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748AFG，El 0.4326
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TC62D748 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000
TA58L05S,COMTQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，COMTQ （M -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN10 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 0.75V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.95V - 1 1.48V @ 150mA - 超过电流
TB7101F(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101F（t5l3.3，f） -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 3.3V - 4.3V
TA48M033F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M033F （T6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M033 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 3.3V - 1 0.65V @ 500mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TB62208FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG，C8，El 2.9200
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TA58L12S,LS1TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S，LS1TOKQ（j -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB7101AF(T5L1.8,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.8，F） -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 1.8V - 2.8V
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，T6F（j -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62763FMG，8，El 0.5047
RFQ
 ECAD 8580 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 8-SMD，平坦的铅裸垫 DC DC调节器 TB62763 200KHz〜2MHz 8-son（2.9x2.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 80mA 1 是的 （（（） 5.5V - 2.8V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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