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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TA78L008AP,6MBSF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,6MBSF(M -
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 ECAD 7399 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L008 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 8V - 1 1.7V@40mA（典型值） 45分贝（120赫兹） 过电流
TC62D748CFNAG(CBHJ Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG(CBHJ) -
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 ECAD 5936 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) LED照明 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP - 264-TC62D748CFNAG(CBHJ) 过时的 1 90毫安 16 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TCR2LN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33，LF（SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.28V@150mA - 过电流
TB6674FAG Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FAG -
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 ECAD 3570 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 75°C (TA) 通用型 表面贴装 16-SOP（0.181英寸，4.60毫米宽） TB6674 功率MOSFET 4.5V~5.5V 16-SSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 100毫安 2.7V～22V 双 - -
TBD62786AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786AFNG，EL 1.8200
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 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 18-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62786 反相 P沟道 1:1 18-SSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 2V～50V 开/关 8 - 高边 1.6欧姆 0V～50V 通用型 400毫安
TA58L05S,LS4NSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,LS4NSAQ(J -
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 ECAD 5801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCK425G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK425G,L3F 0.8500
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK425 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
TB67B000HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000HG -
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 ECAD 4240 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -30℃～115℃（TA） 通用型 通孔 30-PowerDIP模块 TB67B000 IGBT 13.5V～16.5V 30-HDIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TB67B000HG(O) EAR99 8542.39.0001 15 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (3) 2A 50V～450V - 无刷直流 (BLDC) -
TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18，LF 0.1357
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 ECAD 8241 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM18 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 使用能够 的积极 500毫安 1.8V - 1 0.43V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TBD62785AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785AFWG，EL 1.6000
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 ECAD 9191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62785 反相 P沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 低侧 1.6欧姆 4.5V～50V 通用型 500毫安
TBD62381AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFNG，EL 1.7100
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 ECAD 9992 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 18-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62381 - N沟道 1:1 18-SSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 4.5V~5.5V 开/关 8 - 低侧 1欧姆 0V～50V 通用型 500毫安
TBD62785APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785APG 1.9800
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 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～85℃ 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62785 反相 P沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 2V～50V 开/关 8 - 高边 1.6欧姆 0V～50V 通用型 400毫安
TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN115，LF -
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 ECAD 4547 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN115 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.15V - 1 1.28V@150mA - 过电流
TB62269FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269FTAG，EL 2.4900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 TB62269 双 2V～5.5V 32-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 有刷直流 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCK112G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK112G、LF 0.7300
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 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK112 非反相 N沟道 1:1 6-WCSPC (1.5x1.0) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 过温、逆流 高边 8.3毫欧 1.1V～5.5V 通用型 3A
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2DNS,AQ -
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 ECAD 4984 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF19,LM(CT 0.0906
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 ECAD 9523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF19 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.9V - 1 0.4V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TBD62502APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502APG 1.3600
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 ECAD 第523章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TB67S158FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S158FTG，EL 1.7809
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 ECAD 4486 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S158 DMOS 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 1.5A 10V～60V 单极 - -
TB67S158NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S158NG 5.0500
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 ECAD 5471 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 通孔 24-SDIP（0.300英寸，7.62毫米） TB67S158 DMOS 10V～60V 24-SDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TB67S158NG(O) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 1.5A 10V～60V 单极 - -
TA78DS10BP(6MB1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP(6MB1,FM -
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 ECAD 6633 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.4毫安 1.4毫安 - 的积极 30毫安 10V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR2LN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 1.28V@150mA - 过电流
TPD4162F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4162F,LF 2.4947
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 ECAD 1495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～135℃ 通用型 表面贴装 62-SOP（0.331英寸，8.40毫米宽）裸露焊盘，31引脚 TPD4162 IGBT 13.5V～17.5V P-HSSOP31-0918-0.80-002 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 高边 700毫安 50V～450V 多相 无刷直流 (BLDC) -
TA78L018AP,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,T6F(M -
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 ECAD 1498 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L018 40V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 18V - 1 1.7V@40mA（典型值） 38分贝（120赫兹） 过电流
TB62754AFNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB62754AFNG(O,EL) -
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 ECAD 6503 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 95°C (TA) 负债 表面贴装 20-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） 直流控制器 TB62754 1.6兆赫 20-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 48毫安 6 是的 升压（升压） 5.5V 脉宽调节 4.5V -
TCK106AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AG,LF 0.4800
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 ECAD 86 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 转换速率受控 TCK106 非反相 P沟道 1:1 4-WCSPD (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 - 高边 34毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11,LM(CT 0.0742
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 ECAD 8537 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE11 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 1.3V@150mA - 过电流
TA78DS05BP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6F(J -
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 ECAD 3893 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A，LF 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG19 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 1.9V - 1 0.457V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2EF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF40,LM(CT 0.3300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF40 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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