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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.9V - 1 1.46V@150mA - 过电流
TCR3UM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM09A，LF 0.4500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3UM09 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制，启用 的积极 300毫安 0.9V - 1 0.273V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB7101F(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101F(T5L3.3,F) -
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 ECAD 2441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SMD，写入 TB7101 5.5V 固定的 PS-8 (2.9x2.4) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 1A 3.3V - 4.3V
TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18，LF 0.1357
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 ECAD 8241 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM18 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 使用能够 的积极 500毫安 1.8V - 1 0.43V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TB62269FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269FTAG，EL 2.4900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 TB62269 双 2V～5.5V 32-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 有刷直流 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TBD62785APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785APG 1.9800
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 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～85℃ 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62785 反相 P沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 2V～50V 开/关 8 - 高边 1.6欧姆 0V～50V 通用型 400毫安
TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN115，LF -
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 ECAD 4547 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN115 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.15V - 1 1.28V@150mA - 过电流
TBD62785AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785AFWG，EL 1.6000
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 ECAD 9191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62785 反相 P沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 低侧 1.6欧姆 4.5V～50V 通用型 500毫安
TCR2LN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11，LF -
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 ECAD 2442 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN11 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 1.28V@150mA - 过电流
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6605FTG,EL 2.8700
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 ECAD 7876 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB6605 双CMOS 9V~28V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCK105G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK105G,LF -
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 ECAD 1267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK105 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPB (0.80x1.2) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定），过温 高边 50毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1.2A
TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF19,LM(CT 0.0906
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 ECAD 9523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF19 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.9V - 1 0.4V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCK112G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK112G、LF 0.7300
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 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK112 非反相 N沟道 1:1 6-WCSPC (1.5x1.0) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 过温、逆流 高边 8.3毫欧 1.1V～5.5V 通用型 3A
TBD62502APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502APG 1.3600
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 ECAD 第523章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2DNS,AQ -
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 ECAD 4984 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2LN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 1.28V@150mA - 过电流
TA78DS10BP(6MB1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP(6MB1,FM -
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 ECAD 6633 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.4毫安 1.4毫安 - 的积极 30毫安 10V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TPD4162F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4162F,LF 2.4947
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 ECAD 1495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～135℃ 通用型 表面贴装 62-SOP（0.331英寸，8.40毫米宽）裸露焊盘，31引脚 TPD4162 IGBT 13.5V～17.5V P-HSSOP31-0918-0.80-002 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 高边 700毫安 50V～450V 多相 无刷直流 (BLDC) -
TA78DS05BP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6F(J -
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 ECAD 3893 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A，LF 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG19 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 1.9V - 1 0.457V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3UF19A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF19A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF19 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TCR3UF19ALM（TR） EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 1.9V - 1 0.464V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30，LF 0.0926
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 ECAD 2827 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM30 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.25V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30,LM(CT 0.4200
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF30 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,8,EL -
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 ECAD 第1553章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 - 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62216 功率MOSFET 40V（最大） 48-QFN (7x7) 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2.5A - - 有刷直流 -
TBD62783AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFNG，EL 1.6700
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 ECAD 3320 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62783 非反相 P沟道 1:1 18-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 8 - 高边 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TB6643KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6643KQ,8 4.5000
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 ECAD 171 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 通孔 7-SIP裸露标签 TB6643 双CMOS 10V～45V 7-HSIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 1.5A 10V～45V - 有刷直流 -
TB67S249FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S249FTG，EL 5.4600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67S249 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-VQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 4.5A 10V~47V 双 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCR2EF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF285,LM(CT 0.0618
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 ECAD 3299 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF285 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.23V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCK22925G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22925G，LF 0.1675
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 ECAD 2028年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK22925 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TB62777FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG,C8,EL 1.5200
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 ECAD 38 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） 线性 TB62777 - 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 8 是的 升降台 5.5V - 3V 25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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