SIC
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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3DF295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF295，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF295 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.95V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCK106G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106G，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga 控制率控制 TCK106 不转变 P通道 1：1 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 49mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TA76432S(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S （TE6，F，M） -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG09 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 0.9V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF19，LM（ct 0.0700
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF19 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FTG，El 0.6963
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TC78S600 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000
TCR3UF33A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF33A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.287V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR4S15WBG,LF(S Toshiba Semiconductor and Storage TCR4S15WBG，lf（s -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4S 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR4S15 6V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 0.35V @ 50mA 80dB （1KHz） 超过电流
TB6600FG Toshiba Semiconductor and Storage TB6600FG 5.7300
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 64-TQFP暴露垫 TB6600 动力mosfet 8v〜42v 64-HQFP（10x10） 下载 rohs3符合条件 3（168）） TB6600FG（O） Ear99 8542.39.0001 160 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 4a 8v〜42v 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TA78L009AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP，6fncf（j -
RFQ
 ECAD 6536 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L009 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 9V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 44dB （120Hz） 超过电流
TCR3DM18,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，RF （Se 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR3UG31A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG31A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG31 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.1V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TB62215AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG，8，El 1.1500
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN10 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 0.75V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6674FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FG，8，El 1.1201
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB6674 动力mosfet 4.5V〜5.5V 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 350mA 2.7V〜22V 双极 - -
TCK22923G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22923G，LF 0.1675
RFQ
 ECAD 4602 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK22923 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TB67H420FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H420FTG，El 6.0000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67H420 CMOS 2v〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 9a 10v〜47V 双极 DC -
TBD62004APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004APG 1.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62004 反转 n通道 1：1 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62004APG（Z，Hz） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TA4808BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4808BF （T6L1，NQ） 0.8200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA4808 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 8V - 1 0.69V @ 1a （典型） 56dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，6KEHF （M -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TA58L05S,ASHIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，Ashiq（m -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA58LT00F （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA58L 26V 可调节的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 0.8 mA 15 ma 使能够 积极的 150mA 2.5V 13.4V 1 0.6V @ 100mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCK2065G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK2065G，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK2065 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （），高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 1.11a
TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF105，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF105 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TA58M05S(BEF,LB180 Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S （BEF，LB180 -
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500µA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB62216FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG，8，El -
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 - 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62216 动力mosfet （40V）） 28-hsop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2.5a - - DC -
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG，8，El -
RFQ
 ECAD 1553 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 - 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62216 动力mosfet （40V）） 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2.5a - - DC -
TB9120FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120FTG（EL） -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 汽车 表面安装，可润湿的侧面 28-vqfn暴露垫 TB9120 Bi-Cmos 4.75V〜5.25V 28-VQFN （6x6） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） - 4.5V〜18V 双极 - 1〜1/256
TA48M025F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M025F （T6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M025 29V 固定的 PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 2.5V - 1 0.65V @ 500mA 72dB （120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G，LF 0.6200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP TCK401 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 - 0.4V，1.6V - 0.2ms，1.5µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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