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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TB62208FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG,C,8,EL 1.5141
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 ECAD 8251 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62208 DMOS 4.5V~5.5V 28-HSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1, 1/2
TCR4DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG28，LF 0.4500
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 ECAD 3174 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG28 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 68微安 使用能够 的积极 420毫安 2.8V - 1 0.22V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TA76432S(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S(TE6,F,M) -
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 ECAD 7880 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21，LF 0.3500
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 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN21 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.1V - 1 0.54V@150mA - 过电流
TA58L05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,Q(J -
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 ECAD 3398 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM33A，射频 0.3700
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 2.2微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.251V@200mA - 过流、过温
TC78B025FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B025FTG，EL 4.2300
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 风扇电机驱动器 表面贴装 24-VFQFN 裸露焊盘 TC78B025 互补金属O化物半导体 4.5V~16V 24-VQFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 司机 脉宽调节 半桥 (3) 3.5A - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TBD62304APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304APG,HZ 1.5600
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 ECAD 第547章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～85℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62304 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 4.5V~5.5V 开/关 7 - 低侧 1.5欧姆 50V（最大） 通用型 400毫安
TA58L05S,LS2MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,LS2MTDQ(J -
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 ECAD 2696 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EF29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF29,LM(CT 0.3200
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 ECAD 117 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF29 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.9V - 1 0.23V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB6865AFG Toshiba Semiconductor and Storage TB6865AFG -
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 ECAD 7114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -40℃～85℃ 无线电源发射器 表面贴装 100-LQFP TB6865 - 4.5V~14V 100-LQFP (14x14) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 900
TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S(T6穆拉特FM -
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 ECAD 4941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） TA76432ST6穆拉特FM EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TBD62004APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004APG 1.1500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62004 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TBD62004APG(Z,HZ) EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCV7113F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7113F(TE12L,Q) -
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 ECAD 4470 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TCV71 5.6V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 6A 0.8V 5.6V 2.7V
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG(O) -
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 ECAD 5857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TB6549 双CMOS 10V~27V 16-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行 半桥 (2) 3.5A 10V~27V - 有刷直流 -
TCR3UG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33A，LF 0.4700
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 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG33 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.273V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TA58L05S(LS2YAZ,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2YAZ,AQ -
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 ECAD 7052 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TA58M05S(AFT,LB180 Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(后,LB180 -
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 ECAD 7253 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TCR3DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG36，LF 0.3900
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 ECAD 8412 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 3.6V - 1 0.185V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR5BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10A，L3F 0.4900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM10 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1V - 1 0.14V@500mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2LN08,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.8V - 1 1.56V@150mA - 过电流
TCR3UG31A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG31A，LF 0.4700
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 ECAD 630 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG31 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3.1V - 1 0.273V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TB67B001FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B001FTG，EL 3.0600
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB67B001 双 4V~22V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (3) 3A - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TB6612FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6612FNG,C,8,EL 2.0100
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 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 24-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TB6612 功率MOSFET 2.7V～5.5V 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1A 2.5V～13.5V - 有刷直流 -
TCR2EN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12，LF 0.0896
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 ECAD 4283 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN12 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.2V - 1 0.55V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TPD1052F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage TPD1052F,LXHF 0.4175
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 ECAD 7032 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，写入 - TPD1052 非反相 P沟道 - PS-8 (2.9x2.4) 下载 EAR99 8542.39.0001 3,000 5V～18V 逻辑 1 电流限制（固定）、过热、短路 高边 500毫欧 - 继电器、电磁阀驱动器 -
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10，LF 0.0798
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 ECAD 5878 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN10 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1V - 1 0.75V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB9045FNG-125,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-125,EL 11.4387
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 ECAD 1424 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 电源、汽车应用 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB9045 - 48-高温SSOP 下载 3（168小时） 264-TB9045FNG-125ELTR EAR99 8542.39.0001 1,000 3 6V
TCR2EE305,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE305,LM(CT 0.3500
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 ECAD 第363章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE305 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.05V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM115A,L3F 0.4600
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.15V - 1 0.255V@800mA - 过流、过温、欠压锁定
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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