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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6552FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FNG，C，8，El 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TB6552 动力mosfet 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 （4） 800mA 2.5V〜13.5V - DC -
TCR5AM09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM09，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM09 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.9V - 1 0.23V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCK22974G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22974G，LF 0.5500
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22974 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TB67B000FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000FG，El 4.3106
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 表面安装 42-sop （0.330英寸，8.40mm宽），34个铅，裸露的垫子 TB67B000 IGBT 13.5v〜16.5V 34-hssop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a - 多相 DC（BLDC） -
TCR2LN08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08，LF -
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN08 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.8V - 1 1.56V @ 150mA - 超过电流
TC62D723FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D723FNG，C，El 3.4300
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-tssop （0.173英寸，4.40mm（4.40mm） 线性 TC62D723 - 24-HTSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCR2LN18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18，LF -
RFQ
 ECAD 9762 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN18 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.6V @ 150mA - 超过电流
TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM18 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 使能够 积极的 500mA 1.8V - 1 0.43V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2DG29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG29，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
TC78S600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FNG，C，El 2.0700
RFQ
 ECAD 1742年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） TC78S600 动力mosfet 2.7V〜5.5V 20ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 800mA 2.5V〜15V 双极 - 1/2、1/4、1/8、1/16
TA78L008AP,6MBSF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP，6MBSF （M -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TA58L05S,COMTQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，COMTQ （M -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S（t6muratfm -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） TA76432ST6MURATFM Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en33，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TCR2EN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN31 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE25，LM（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE25 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG，8，El -
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TA58L05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，Q（j -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB67B001FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B001FTG，El 3.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TB67B001 双极 4V〜22V 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 3a - 多相 DC（BLDC） -
TCR3UG31A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG31A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG31 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.1V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA58LT00F （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA58L 26V 可调节的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 0.8 mA 15 ma 使能够 积极的 150mA 2.5V 13.4V 1 0.6V @ 100mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG，8，El -
RFQ
 ECAD 1553 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 - 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62216 动力mosfet （40V）） 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2.5a - - DC -
TCR5AM085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM085，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM085 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.85V - 1 0.22V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG，El 2.1300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 24-WFQFN暴露垫 TB67B008 动力mosfet 5.5V〜22V 24-wqfn （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 3a 5.5V〜22V - DC（BLDC） -
TCR2LN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11，LF -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2EN35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en35，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.5V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TB6634FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6634FNG，C，8，El 1.6439
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 表面安装 30-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6634 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 30 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR3UG32A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG32A，LF 0.1229
RFQ
 ECAD 3637 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG32 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.2V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TB62269FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269FTAG，El 2.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TB62269 双极 2v〜5.5V 32-VQFN （5x5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.8a 10v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK302G，LF 0.4658
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK302 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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