SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 - 输入(最大) 输出类型 SIC 其中 - 输入:输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源(最大) 通道类型 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻(典型值) 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 开关类型 当前-产出(最大) 电压 - 输出(最小/固定) 电压 - 输出(最大) 电压-输入(最小) 调节器数量 电压降幅(最大) 电源抑制比 保护特性
TCR2EE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE10,LM(CT -
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ECAD 7544 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE10 5.5V 固定的 ESV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1V - 1 - 73分贝(1kHz) 过电流
TCR3DF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF36,LM(CT 0.0906
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ECAD 5767 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 3.6V - 1 0.22V@300mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TB67B000FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000FG,EL 4.3106
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ECAD 9973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~115℃(TA) 通用型 表面贴装 42-SOP(0.330英寸,8.40毫米宽),34引脚,裸露P TB67B000 IGBT 13.5V~16.5V 34-高速钢 下载 符合RoHS标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (3) 2A - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6605FTG,EL 2.8700
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ECAD 7876 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB6605 双CMOS 9V~28V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCR2LN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21,LF(SE 0.3800
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ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.1V - 1 0.54V@150mA - 过电流
TA58L05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,Q(J -
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ECAD 3398 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM33A,射频 0.3700
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 2.2微安 电流限制,启用 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.251V@200mA - 过流、过温
TB62208FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG,C,8,EL 1.5141
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ECAD 8251 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 28-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 TB62208 DMOS 4.5V~5.5V 28-HSOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V~38V - 1, 1/2
TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE15,LM(CT 0.0742
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ECAD 5651 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SOT-553 TCR2LE15 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 1.13V@150mA - 过电流
TC78B025FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B025FTG,EL 4.2300
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃(TA) 风扇电机驱动器 表面贴装 24-VFQFN 裸露焊盘 TC78B025 互补金属O化物半导体 4.5V~16V 24-VQFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 司机 脉宽调节 半桥 (3) 3.5A - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TCR4DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG28,LF 0.4500
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ECAD 3174 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG28 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 68微安 使用能够 的积极 420毫安 2.8V - 1 0.22V@420mA 70分贝(1kHz) 过流、过温、短路
TB62212FTAG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212FTAG,C8,EL 2.9200
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ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62212 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 2A 10V~38V 有刷直流 -
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG(O) -
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ECAD 5857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -20℃~85℃(TA) 通用型 通孔 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TB6549 双CMOS 10V~27V 16-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 25 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行 半桥 (2) 3.5A 10V~27V - 有刷直流 -
TCR3UG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33A,LF 0.4700
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ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG33 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.273V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、热关断
TB6562AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG,8,EL 3.2200
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ECAD 1755 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃~85℃(TA) 通用型 表面贴装 30-BSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) TB6562 DMOS 10V~34V 30-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 10V~34V - 1、1/2、1/4
TB7101AF(T5L1.8,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF(T5L1.8,F) -
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ECAD 2944 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SMD,写入 TB7101 5.5V 固定的 PS-8 (2.9x2.4) - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 1A 1.8V - 2.8V
TB67B001FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B001FTG,EL 3.0600
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃(TA) 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB67B001 4V~22V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (3) 3A - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TCR3UG31A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG31A,LF 0.4700
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ECAD 630 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG31 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3.1V - 1 0.273V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、热关断
TCK425G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK425G,L3F 0.8500
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK425 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
TB67B000HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000HG -
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ECAD 4240 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -30℃~115℃(TA) 通用型 通孔 30-PowerDIP模块 TB67B000 IGBT 13.5V~16.5V 30-HDIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) TB67B000HG(O) EAR99 8542.39.0001 15 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (3) 2A 50V~450V - 无刷直流 (BLDC) -
TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG,EL 3.8200
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃~85℃(TA) 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67S279 功率MOSFET 4.75V~5.25V 48-VQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V~47V - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TA58L05S(LS2YAZ,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2YAZ,AQ -
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ECAD 7052 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR3DM12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM12,LF(SE 0.4800
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ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.2V - 1 0.6V@300mA - 过流、过温
TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM065,LF 0.1344
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ECAD 4827 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM065 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.65V - 1 0.2V@500mA 70dB~40dB(1kHz~10Hz) 过流、过温、欠压锁定
TAR5S45UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S45UTE85LF 0.1804
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ECAD 1889年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD(5 英尺),浅浅 塔尔5S45 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 4.5V - 1 0.2V@50mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TAR5SB50(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB50(TE85L,F) 0.4600
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5SB50 15V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@50mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG,EL -
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ECAD 1114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃~115℃(TA) 通用型 表面贴装 30-LSSOP(0.220英寸,5.60毫米宽) TB6631 双CMOS 7V~16.5V 30-SSOP 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TB9120FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120FTG(EL) -
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ECAD 7333 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~125℃ 汽车 表面贴装,可湿侧面 28-VQFN 裸露焊盘 TB9120 双CMOS 4.75V~5.25V 28-VQFN (6x6) 下载 符合RoHS标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 司机 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) - 4.5V~18V - 1 ~ 1/256
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G,LF 0.2235
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ECAD 7725 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA 负载预测,转换速率受控 TCK101 非反相 P沟道 1:1 6-BGA 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 过温 高边 50毫欧 1.1V~5.5V 通用型 1A
TB6549FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549FG(O,EL) -
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ECAD 1126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃~85℃(TA) 通用型 表面贴装 20-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 TB6549 双CMOS 10V~27V 20-HSOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行 半桥 (2) 3.5A 10V~27V - 有刷直流 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库