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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2EN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.21V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB67H401FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG，EL 4.7800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67H401 NMOS、PMOS 4.75V～5.25V 48-VQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 6A 10V~47V 双 有刷直流 -
TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM065，LF 0.1344
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 ECAD 4827 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM065 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.65V - 1 0.2V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TAR5S45UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S45UTE85LF 0.1804
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 ECAD 1889年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S45 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 4.5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09,LM(CT 0.3800
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF09 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.9V - 1 1.48V@150mA - 过电流
TC62D776CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG(CEBH -
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 ECAD 8331 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ LED照明 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TC62D776 - 24-SSOP - 264-TC62D776CFNAG(CEBH 过时的 1 90毫安 1 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TA76432S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6MURAF(J -
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 ECAD 8998 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19，LF -
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 ECAD 5768 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN19 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.9V - 1 0.6V@150mA - 过电流
TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28,LM(CT 0.4000
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 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE28 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TCR3UM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM09A,LF(SE 0.4700
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制，启用 的积极 300毫安 0.9V - 1 1.157V@300mA - 过流、过温
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G,LF 0.2235
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 ECAD 7725 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA 负载预测，转换速率受控 TCK101 非反相 P沟道 1:1 6-BGA 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 过温 高边 50毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TB6549FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549FG(O,EL) -
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 ECAD 1126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 20-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB6549 双CMOS 10V~27V 20-HSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行 半桥 (2) 3.5A 10V~27V - 有刷直流 -
TB62206FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62206FG,EL -
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 ECAD 3729 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 20-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62206 DMOS 4.5V~5.5V 20-HSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 13V~35V 双 - 1, 1/2
TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B，LF 0.4700
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG50 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 5V - 1 0.195V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TAR5S49(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S49(TE85L,F) 0.2076
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 ECAD 6157 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5S49 15V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 开/关 的积极 200毫安 4.9V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A，LF 0.1261
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 ECAD 4531 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 0.68微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.825V - 1 - 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF28,LM(CT 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF28 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TB6586FG,C8,EL,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG,C8,EL,HZ 2.0600
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 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～115℃（TA） 通用型 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） TB6586 双CMOS 6.5V～16.5V 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TB6674FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FG,8,EL 1.1201
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 ECAD 8652 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -30°C ~ 75°C (TA) 通用型 表面贴装 16-BSOP（0.252英寸，6.40毫米宽）+ 2个笔记本片 TB6674 功率MOSFET 4.5V~5.5V 16-HSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,500人 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 350毫安 2.7V～22V 双 - -
TCR15AG09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG09,LF 0.2294
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 ECAD 7309 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG09 6V 固定的 6-WCSP (1.2x0.80) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 0.9V - 1 0.216V@1.5A 95dB～60dB（1kHz） 电流限制、热关断、UVLO
TCR4S15WBG,LF(S Toshiba Semiconductor and Storage TCR4S15WBG,LF(S -
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 ECAD 2048 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4S 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR4S15 6V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 75微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 0.35V@50mA 80分贝（1kHz） 过电流
TB9045FNG-120,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-120,EL 11.4387
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 ECAD 1933年 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 电源、汽车应用 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB9045 - 48-高温SSOP 下载 3（168小时） 264-TB9045FNG-120ELTR EAR99 8542.39.0001 1,000 3 6V
TCR2LN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11，LF -
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 ECAD 2442 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN11 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 1.28V@150mA - 过电流
TCR2DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG125，LF 0.1394
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 ECAD 5324 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 1.25V - 1 0.75V@100mA - 过流、过温
TCR15AG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG18，LF 0.6400
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 ECAD 2510 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG18 6V 固定的 6-WCSP (1.2x0.80) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 1.8V - 1 0.648V@1.5A 95dB～60dB（1kHz） 电流限制、热关断、UVLO
TA78DS12BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS12BP,F(J -
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 ECAD 9727 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.5毫安 1.5毫安 - 的积极 30毫安 12V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR2DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG35，LF 0.1394
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 ECAD 6151 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 3.5V - 1 0.11V@100mA - 过流、过温
TCR2EE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE20,LM(CT 0.3700
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 ECAD 800 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE20 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2V - 1 0.31V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 2099 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF30 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.287V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA48S015AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S015AF(T6L1,Q) 1.1100
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～150℃ 表面贴装 TO-252-6，DPak（5引脚+片） TA48S015 16V 固定的 5-HSIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 使用能够 的积极 1A 1.5V - 1 1.9V@1A（典型值） 67分贝（120赫兹） 过流、过温
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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