SIC
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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA48M033F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M033F （T6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M033 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 3.3V - 1 0.65V @ 500mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM33 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 3.3V - 1 0.14V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG45，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG45 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 125 µA 使能够 积极的 300mA 4.5V - 1 0.185V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF115，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF115 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.15V - 1 1.3V @ 150mA - 超过电流
TCR2EN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en31，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TA76432S(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S （TE6，F，M） -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TBD62786AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786AFNG，El 1.8200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62786 反转 P通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 2v〜50V 打开/关 8 - 高侧 1.6OHM 0v〜50V 通用目的 400mA
TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en30，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM115A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.15V - 1 0.255V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF285，LM（ct 0.0700
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF285 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TCR3UF33A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF33A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.287V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB62208FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG，C，8，El 1.5141
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 28-hsop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TCR3UM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM09A，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3UM09 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 580 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.9V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG，El 2.1300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 24-WFQFN暴露垫 TB67B008 动力mosfet 5.5V〜22V 24-wqfn （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 3a 5.5V〜22V - DC（BLDC） -
TCR3DM11,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11，RF （Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB9120FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120FTG（EL） -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 汽车 表面安装，可润湿的侧面 28-vqfn暴露垫 TB9120 Bi-Cmos 4.75V〜5.25V 28-VQFN （6x6） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） - 4.5V〜18V 双极 - 1〜1/256
TB62785NG Toshiba Semiconductor and Storage TB62785NG 7.3500
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） 线性 TB62785 - 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB62785NG（O） Ear99 8542.39.0001 20 50mA 8 是的 换档 5.5V - 4.5V 17V
TB67S145FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S145FTG，El 1.9179
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S145 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 系列 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1，1/2
TBD62785AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785AFWG，El 1.6000
RFQ
 ECAD 9191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62785 反转 P通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 1.6OHM 4.5V〜50V 通用目的 500mA
TB6674FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FG，8，El 1.1201
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB6674 动力mosfet 4.5V〜5.5V 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 350mA 2.7V〜22V 双极 - -
TCR2EN35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en35，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.5V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TB6586FG,C8,EL,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG，C8，El，Hz 2.0600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TB7101AF(T5L1.8,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.8，F） -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 1.8V - 2.8V
TA58L05S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（fjtn，aq） -
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3UG32A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG32A，LF 0.1229
RFQ
 ECAD 3637 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG32 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.2V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TB67H401FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG（o，El） 4.7800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67H401 Bicdmos 4.75V〜5.25V 48-VQFN （7x7） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 6a 10v〜47V - DC -
TBD62783APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783APG 1.6600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR2DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG35，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.5V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en11，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150mA - 超过电流
TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G，LF 0.6200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP TCK401 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 - 0.4V，1.6V - 0.2ms，1.5µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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