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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB62D786FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D786FTG，El 0.9553
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-VFQFN暴露垫 线性 TB62D786 - 24-VQFN （4x4） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 40mA 9 是的 - 28V PWM 7V 28V
TB6560AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG，C8，El 2.0549
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6560 下载 rohs3符合条件 TB6560AFTGC8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR2EE45,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45，LM -
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE45 5.5V 固定的 ESV 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67H401FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG，El 4.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67H401 NMO，PMOS 4.75V〜5.25V 48-VQFN （7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 6a 10v〜47V 双极 DC -
TCR2EN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en15，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 0.37V @ 150mA - 超过电流
TB62777FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG，C8，El 1.5200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） 线性 TB62777 - 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 8 是的 换档 5.5V - 3V 25V
TB62215AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TCR2EE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE28，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE28 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA58M08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S（fjtn，QM） -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 8V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM135，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.35V - 1 0.52V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR5BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12，L3F 0.1357
RFQ
 ECAD 1343 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1.2V - 1 0.15V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TLE4274V50 Toshiba Semiconductor and Storage TLE4274V50 -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TLE4274 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLE4274V50T Ear99 8542.39.0001 50
TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG285，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.235V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB9056FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage tb9056fng（o，El） 4.0170
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB9056 Bi-Cmos 7v〜18V 24 SSOP 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 2（2） 2a - - DC -
TB9045FNG-125,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-125，El 11.4387
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 电源，汽车应用 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB9045 - 48-htssop 下载 3（168）） 264-TB9045FNG-125ELTR Ear99 8542.39.0001 1,000 3 6V
TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um18a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300mA - 在电流上超过温度
TBD62783AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tbd62783afng，el 1.6700
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TC62D748CFNAG(CBHJ Toshiba Semiconductor and Storage tc62d748cfnag（cbhj -
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C（TA） LED照明 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TC62D748 - 24 SSOP - 264-TC62D748CFNAG （CBHJ 过时的 1 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF285，LM（ct 0.0700
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF285 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TCR3DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG36，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 3.6V - 1 0.185V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TPD4207F,FQ Toshiba Semiconductor and Storage TPD4207F，FQ 9.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 30 SOP （0.433“，11.00mm宽度） TPD4207 动力mosfet 13.5v〜16.5V 30 SOP 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 5a 50V〜450V - DC（BLDC） -
TCR2EN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN12 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 0.55V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6586AFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage tb6586afg，el，干燥 -
RFQ
 ECAD 1607年 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.31.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR2LF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF32，LM（ct 0.0721
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF32 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TC62D748AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748AFG，El 0.4326
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TC62D748 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000
TCR2EN29,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en29，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.21V @ 150mA - 超过电流
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.95V - 1 1.48V @ 150mA - 超过电流
TB7101F(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101F（t5l3.3，f） -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 3.3V - 4.3V
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN10，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN10 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 0.75V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG（O） -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6549 Bi-Cmos 10v〜27V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 2（2） 3.5a 10v〜27V - DC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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