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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入(最大) 输出类型 温度系数 其中 - 输入:输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源(最大) 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源(最大) 输出配置 当前-输出 导通电阻(典型值) 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源(最小) 电压 - 输出 开关类型 当前-产出(最大) 电压 - 输出(最小/固定) 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出(最大) 调节器数量 电压降幅(最大) 电源抑制比 保护特性
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,HOTIF(M -
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ECAD 4229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L008 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 8V - 1 1.7V@40mA(典型值) 45分贝(120赫兹) 过电流
TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG,EL -
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ECAD 1114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃~115℃(TA) 通用型 表面贴装 30-LSSOP(0.220英寸,5.60毫米宽) TB6631 双CMOS 7V~16.5V 30-SSOP 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TB67H480FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H480FNG,EL 2.1500
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ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 通用型 表面贴装 28-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 DMOS 8.2V~44V 28-高温SSOP 下载 1(无限制) 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 开/关 半桥 (4) 2.5A 8.2V~44V 有刷直流 1
TCR2LF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF32,LM(CT 0.0721
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ECAD 2819 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF32 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.2V - 1 0.3V@150mA - 过电流
TC78S122FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FNG,EL 1.9467
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ECAD 2498 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 48-TFSOP(0.240",6.10mm宽)裸露焊盘 TC78S122 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 2A 8V~38V 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR3DF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF40,LM(CT 0.4900
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF40 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 4V - 1 0.22V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、过温
TB6549HQ(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549HQ(O) -
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ECAD 5747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -20℃~85℃(TA) 通用型 通孔 25-SSIP成型接头 TB6549 双CMOS 10V~27V 25-HZIP - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 500 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行 半桥 (2) 4.5A 10V~27V - 有刷直流 -
TA58L08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S(FJTN,AQ) -
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ECAD 8759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 8V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM135,LF(SE 0.4800
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ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.35V - 1 0.52V@300mA - 过流、过温
TA78DS08BP(T6ND,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP(T6ND,调频 -
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ECAD 8654 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 1.2毫安 - 的积极 30毫安 8V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TC62D723FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D723FNG,C,EL 3.4300
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ECAD 5211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 线性 TC62D723 - 24-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TCR2EF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF125,LM(CT 0.0618
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ECAD 2335 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.25V - 1 0.57V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TCR2EN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25,LF(SE 0.3800
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.21V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TB67H401FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG,EL 4.7800
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ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃~85℃(TA) 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67H401 NMOS、PMOS 4.75V~5.25V 48-VQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 6A 10V~47V 有刷直流 -
TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM065,LF 0.1344
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ECAD 4827 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM065 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.65V - 1 0.2V@500mA 70dB~40dB(1kHz~10Hz) 过流、过温、欠压锁定
TAR5S45UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S45UTE85LF 0.1804
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ECAD 1889年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD(5 英尺),浅浅 塔尔5S45 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 4.5V - 1 0.2V@50mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09,LM(CT 0.3800
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF09 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.9V - 1 1.48V@150mA - 过电流
TC62D776CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG(CEBH -
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ECAD 8331 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ LED照明 表面贴装 24-SSOP(0.154英寸,3.90毫米宽) 线性 TC62D776 - 24-SSOP - 264-TC62D776CFNAG(CEBH 过时的 1 90毫安 1 升降台 5.5V 3V 17V
TA76432S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6MURAF(J -
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ECAD 8998 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19,LF -
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ECAD 5768 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN19 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.9V - 1 0.6V@150mA - 过电流
TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28,LM(CT 0.4000
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ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SOT-553 TCR2LE28 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TCR3UM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM09A,LF(SE 0.4700
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ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制,启用 的积极 300毫安 0.9V - 1 1.157V@300mA - 过流、过温
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G,LF 0.2235
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ECAD 7725 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA 负载预测,转换速率受控 TCK101 非反相 P沟道 1:1 6-BGA 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 过温 高边 50毫欧 1.1V~5.5V 通用型 1A
TB6549FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549FG(O,EL) -
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ECAD 1126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃~85℃(TA) 通用型 表面贴装 20-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 TB6549 双CMOS 10V~27V 20-HSOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行 半桥 (2) 3.5A 10V~27V - 有刷直流 -
TB62206FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62206FG,EL -
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ECAD 3729 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通用型 表面贴装 20-BSOP(0.346英寸,8.80毫米宽)+ 2个笔记本片 TB62206 DMOS 4.5V~5.5V 20-HSOP 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 13V~35V - 1, 1/2
TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B,LF 0.4700
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG50 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 5V - 1 0.195V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、热关断
TAR5S49(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S49(TE85L,F) 0.2076
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ECAD 6157 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5S49 15V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 开/关 的积极 200毫安 4.9V - 1 0.2V@50mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A,LF 0.1261
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ECAD 4531 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 0.68微安 电流限制,启用 的积极 300毫安 1.825V - 1 - 70分贝(1kHz) 过流、过温
TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF28,LM(CT 0.3800
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF28 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TB6586FG,C8,EL,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG,C8,EL,HZ 2.0600
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ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~115℃(TA) 通用型 表面贴装 24-SOP(0.236英寸,6.00毫米宽) TB6586 双CMOS 6.5V~16.5V 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库