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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TB62213AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG,8,EL -
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 ECAD 7252 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62213 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2.4A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FTG，EL 0.6963
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 ECAD 8401 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 TC78S600 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000
TC62D749CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG，EL 0.4038
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 ECAD 1973年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) LED照明 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TC62D749 - 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TCR1HF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF18B,LM(CT 0.4800
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 ECAD 6805 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 - 3,000
TCK22925G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22925G，LF 0.1675
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 ECAD 2028年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK22925 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TB6560AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG,C8,EL 2.0549
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 ECAD 4373 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB6560 下载 符合ROHS3标准 TB6560AFTGC8EL EAR99 8542.39.0001 2,000
TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG，EL 1.5300
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 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 TB67H450 功率MOSFET 4.5V~44V 8-HSOP - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,500人 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 - 半桥 3A 4.5V~44V 双 有刷直流 -
TCR5AM085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM085，LF 0.1344
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 ECAD 5661 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM085 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.85V - 1 0.22V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TPD2017FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TPD2017FN,L1F(S 4.4500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） - TPD2017 非反相 N沟道 1:1 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 8 电流限制（可调），过温 低侧 1欧姆 0.8V～2V 继电器、电磁阀驱动器 500毫安
TB6634FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6634FNG,C,8,EL 1.6439
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 ECAD 4919 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～115℃（TA） 通用型 表面贴装 30-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TB6634 双CMOS 6.5V～16.5V 30-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TB67S102AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFTG，EL 3.1400
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S102 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V 双 - 1、1/2、1/4
TCR3DF295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF295,LM(CT 0.4900
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF295 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 2.95V - 1 0.27V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR2LN08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08，LF -
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 ECAD 7168 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN08 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.8V - 1 1.56V@150mA - 过电流
TCR2EN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31,LF(SE 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.1V - 1 0.18V@150mA - 过电流
TCR2LN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18,LF(SE 0.3800
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 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.6V@150mA - 过电流
TA58M05S(BEF,LB180 Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(BEF,LB180 -
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 ECAD 2225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6FNCF(J -
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 ECAD 4631 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L015 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 15V - 1 1.7V@40mA（典型值） 40分贝（120赫兹） 过流、过温
TCR2LE25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE25,LM(CT 0.4400
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE25 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG,8,EL -
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 ECAD 4503 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62214 DMOS 4.75V～5.25V 28-HSOP 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCR5AM07,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM07,LF 0.1344
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 ECAD 第1363章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM07 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 68微安 使用能够 的积极 500毫安 0.7V - 1 0.21V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TB6643KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6643KQ,8 4.5000
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 ECAD 171 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 通孔 7-SIP裸露标签 TB6643 双CMOS 10V～45V 7-HSIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 1.5A 10V～45V - 有刷直流 -
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6605FTG,EL 2.8700
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 ECAD 7876 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB6605 双CMOS 9V~28V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCR5RG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG33A，LF 0.5300
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 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG33 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 3.3V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TB67S179FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S179FTG，EL 3.1400
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67S179 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-VQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.5A 10V～60V 单极 - 1 ~ 1/32
TCR3DF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF36,LM(CT 0.0906
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 ECAD 5767 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 3.6V - 1 0.22V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2EE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE10,LM(CT -
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 ECAD 7544 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE10 5.5V 固定的 ESV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1V - 1 - 73分贝（1kHz） 过电流
TB67B000FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000FG,EL 4.3106
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 ECAD 9973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～115℃（TA） 通用型 表面贴装 42-SOP（0.330英寸，8.40毫米宽），34引脚，裸露P TB67B000 IGBT 13.5V～16.5V 34-高速钢 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (3) 2A - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TLE4274V50 Toshiba Semiconductor and Storage TLE4274V50 -
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 ECAD 4781 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 TLE4274 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLE4274V50TS EAR99 8542.39.0001 50
TB6552FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FNG,C,8,EL 1.5800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TB6552 功率MOSFET 2.7V～5.5V 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调制、串行 半桥 (4) 800毫安 2.5V～13.5V - 有刷直流 -
TCR2EN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN15,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 0.37V@150mA - 过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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