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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR5RG29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG29A，LF 0.5300
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 ECAD 6582 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG29 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 2.9V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG18A，LF 0.5300
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 ECAD 第480章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG18 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 1.8V - 1 0.29V@500mA 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TCK208G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK208G,LF 0.1916
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 ECAD 4136 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK208 非反相 N沟道 1:1 4-WLCSP (0.90x0.90) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 18.1毫欧 0.75V～3.6V 通用型 2A
TCR4DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG12，LF 0.5100
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG12 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 420毫安 1.2V - 1 0.781V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TC62D748CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG，C，EB -
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 ECAD 8057 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TCR2LN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31，LF -
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 ECAD 4678 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN31 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.1V - 1 0.28V@150mA - 过电流
TC78S121FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FNG，EL 1.8494
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 ECAD 3199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TC78S121 功率MOSFET 4.5V～5.5V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 2A 8V~38V 双 有刷直流 -
TCR2EE42,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE42,LM(CT 0.3700
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE42 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4.2V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103AF(TE12L,Q) -
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 ECAD 5726 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TCV71 5.6V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 6A 0.8V 5.6V 2.7V
TA58L15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L15S,Q(J -
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 ECAD 6463 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L15 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.4毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 15V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TBD62308APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308APG,HZ 1.3900
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 ECAD 3839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62308 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8542.39.0001 25 4.5V～5.5V 开/关 4 - 低侧 370毫欧 50V（最大） 通用型 1.5A
TCR2EE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE285,LM(CT 0.0680
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 ECAD 第1344章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE285 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.23V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,L2SUMIQ(M -
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 ECAD 5073 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR5SB30A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB30A(T5L,F,T) -
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 ECAD 3406 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR5SB30 6V 固定的 SMV - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 75微安 使用能够 的积极 150毫安 3V - 1 0.19V@50mA 80分贝（1kHz） 过电流
TB62208FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG,8,EL -
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 ECAD 7218 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62208 DMOS 4.5V～5.5V 28-HSOP 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1, 1/2
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，C8，EL 1.1958
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 ECAD 9899 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62214 DMOS 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCK206G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK206G,LF 0.5400
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 ECAD 3522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 转换速率受控 TCK206 非反相 N沟道 1:1 4-WCSP (0.90x0.90) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 18.1毫欧 0.75V～3.6V 通用型 2A
TA78DS05BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,F(J -
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 ECAD 3395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、瞬态电压
TA48015BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48015BF(T6L1,NQ) -
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 ECAD 3522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA48015 16V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 - 的积极 1A 1.5V - 1 1.9V@1A（典型值） 65分贝（120赫兹） 过流、过温
TA58M06S,MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S,MTDQ(J -
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 ECAD 5672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 6V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TBD62502AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFWG，EL 0.3966
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 ECAD 5474 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22912G,LF 0.5100
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 ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP - TCK22912 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、逆向电流、UVLO 高边 31毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TA76432AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432AS,T6F(J -
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 ECAD 3225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78L005AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6WNF(J -
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 ECAD 9553 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF28 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 2.8V - 1 0.342V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF335,LM(CT 0.4900
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 ECAD 2885 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF335 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 3.35V - 1 0.25V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TA78L008AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,F(J -
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 ECAD 2729 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L008 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 8V - 1 1.7V@40mA（典型值） 45分贝（120赫兹） 过电流
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20,LM(CT 0.3300
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 ECAD 8680 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF20 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2V - 1 0.31V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB9120AFTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120AFTG(EL) 4.0100
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 汽车 表面贴装，可湿侧面 28-VQFN 裸露焊盘 TB9120 NMOS、PMOS 4.5V～7V、7V～18V 28-VQFN (6x6) - 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 预驱动器 - 半桥 (4) 2.5A - 双 有刷直流 1、1/2、1/8、1/16、1/32
TB62213AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG,C8,EL 1.7398
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 ECAD 3295 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62213 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2.4A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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