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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2EF41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF41，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF41 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN125 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.25V - 1 0.55V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN21 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.29V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EN36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN36，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN36 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM105 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 0.75V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM18 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM33 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB6551FAG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FAG，C，8，El 3.2800
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6551 Bi-Cmos 6v〜10V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK206G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK206G，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 3522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 控制率控制 TCK206 不转变 n通道 1：1 4-WCSP（0.90x0.90） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 18.1MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCK207G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207G，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 负载排放，控制率 TCK207 不转变 n通道 1：1 4-WCSP（0.90x0.90） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 18.1MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCR2LN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN28，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN28 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN33 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN36，LF -
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN36 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2EN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN32，LF -
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN32 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN30，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN30 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN32 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCK107AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK107 不转变 P通道 1：1 4-WCSPD（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 34mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK303G，LF 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK303 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10，LM （CT 0.0762
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE10 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TCR2LE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE32，LM（ct 0.0762
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE32 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TCR2LF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF27，LM（ct 0.0721
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF27 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM095 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.95V - 1 0.23V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 1.05V - 1 0.25V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18，LM（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE18 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TB6562ANG,8 Toshiba Semiconductor and Storage tb6562ang，8 3.5735
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB6562 DMO 10v〜34V 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 10v〜34V 双极 DC 1、1/2、1/4
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG，El 0.8900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62004 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TBD62004AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFWG，El 0.3181
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） - TBD62004 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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