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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE27 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UM2925A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM2925A，LF （SE 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.925V - 1 0.327V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11，L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.1V - 1 0.245V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM13，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.3V - 1 0.55V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2DG295,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG295，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.95V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR5AM06,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM06，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM06 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.6V - 1 0.2V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TBD62084AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFNG，El 1.4000
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62084 反转 n通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG18A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG18 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 1.8V - 1 0.29V @ 500mA 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AF，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 负载排放，控制率 TCK108 反转 P通道 1：1 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 63mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG，El -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D722 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） - rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.85V - 1 0.19V @ 500mA - 在电流上超过温度
TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，LSF （Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG11 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR3RM29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM29 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 2.9V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en285，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.21V @ 150mA - 超过电流
TB9120AFTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120AFTG（EL） 4.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装，可润湿的侧面 28-vqfn暴露垫 TB9120 NMO，PMOS 4.5V〜7V，7V〜18V 28-VQFN （6x6） - 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 前驾驶员 -半桥（ -4） 2.5a - 双极 DC 1、1/2、1/8、1/16、1/32
TA78DS05BP(FJTN,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP（fjtn，AF -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TC78H620FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG，El 1.6300
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78H620 DMO 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜15V 单极 DC 1，1/2
TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFNG，El 1.0600
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） - TBD62503 反转 n通道 1：1 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TCR3DF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF45，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF45 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 125 µA 使能够 积极的 300mA 4.5V - 1 0.22V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 控制率控制 TCK126 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR3UM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um10a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 580 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1V - 1 1.057V @ 300mA - 在电流上超过温度
TBD62503AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFG，El 1.4900
RFQ
 ECAD 1663年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62503 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TCR2EF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF27，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF27 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TBD62064AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFAG，El 1.2300
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TBD62064 反转 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 4 - 低侧 430MOHM （50V）） 通用目的 1.25a
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62003 反转 n通道 1：1 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62003APG（Z，Hz） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA - 在电流上超过温度
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F，LF 7.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C（TJ） 通用目的 表面安装 42-SOP （0.330英寸，8.40mm宽），31个铅，裸露的垫子 IGBT 13.5V 31-hssop - rohs3符合条件 3（168）） 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 3a 13.5V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF09A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF09 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 0.9V - 1 1.157V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF28 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.342V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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