SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入 电压 - 输入(最大) 输出类型 SIC 其中 - 输入:输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源(最大) 通道类型 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源(最大) 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻(典型值) 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源(最小) 电压 - 输出 开关类型 当前-产出(最大) 电压 - 输出(最小/固定) 电压 - 输出(最大) 电压-输入(最小) 调节器数量 电压降幅(最大) 电源抑制比 保护特性
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF(T5L1.5,F) -
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ECAD 1113 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SMD,写入 TB7101 5.5V 固定的 PS-8 (2.9x2.4) - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 1A 1.5V - 2.7V
TCK422G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK422G,L3F 0.8500
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK422 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
TB6551FG(O,EL,DRY) Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FG(O、EL、干) -
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ECAD 4894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃~115℃(TA) 风扇控制器 表面贴装 24-SOP(0.236英寸,6.00毫米宽) TB6551 双CMOS 6V~10V 24-SSOP 下载 1(无限制) EAR99 8542.31.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE36,LM(CT -
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ECAD 8242 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE36 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 - 73分贝(1kHz) 过电流
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage TLE4276SV -
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ECAD 2001年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 TLE4276 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 50
TB62D612FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D612FTG,EL 4.6400
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ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 线性 TB62D612 - 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 4,000 40毫安 24 是的 - 5.5V 模拟、I²C、PWM 3V 4V
TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF285,LM(CT 0.0700
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ECAD 4272 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF285 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A,L3F 0.4900
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制,启用 的积极 500毫安 1.2V - 1 0.15V@500mA 98分贝(1kHz) 过流、过温
TCR5BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12,L3F 0.1357
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ECAD 第1343章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制,启用 的积极 500毫安 1.2V - 1 0.15V@500mA 98分贝(1kHz) 过流、过温
TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG45,LF 0.1054
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ECAD 6507 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG45 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 125微安 使用能够 的积极 300毫安 4.5V - 1 0.185V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、过温
TCR2DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG18,LF 0.1411
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ECAD 1510 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG18 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.2V@100mA - 浪涌电流、过流、热关断
TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG285,LF 0.3900
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ECAD 7141 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.235V@300mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11,LF(SE 0.3800
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 0.65V@150mA - 过电流
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A,LF 0.5300
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG09 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 0.9V - 1 - 100dB~59dB(1kHz~1MHz) 过流、过温
TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG30A,LF 0.4700
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ECAD 4472 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG30 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.273V@300mA 70分贝(1kHz) 浪涌电流、过流、热关断
TA58L05S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(FJTN,AQ) -
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ECAD 6255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF115,LM(CT 0.3200
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ECAD 925 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF115 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.15V - 1 0.67V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TAR5S30UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S30UTE85LF 0.5100
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ECAD 第865章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD(5 英尺),浅浅 塔尔5S30 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3V - 1 0.2V@50mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TCB010FNG Toshiba Semiconductor and Storage TCB010FNG -
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ECAD 5007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -40℃~85℃ 转换器,汽车车身系统 表面贴装 36-BSSOP(0.433",11.00mm宽)裸露焊盘 18V 36-高速钢 下载 264-TCB010FNG EAR99 8542.39.0001 1 7 3.3V、3.3V、5V
TA58M05S(YAZK,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(YAZK、AQ) -
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ECAD 7841 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TBD62381AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFNG,EL 1.7100
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ECAD 9992 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 18-LSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) - 待定62381 - N沟道 1:1 18-SSOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 2,000 4.5V~5.5V 开/关 8 - 低侧 1欧姆 0V~50V 通用型 500毫安
TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,C8,EL 2.3900
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62216 功率MOSFET 4.75V~5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2A 10V~38V - 有刷直流 -
TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF115,LM(CT 0.3800
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ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF115 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.15V - 1 1.3V@150mA - 过电流
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09,LF(SE 0.3800
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.9V - 1 1.46V@150mA - 过电流
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,T6F(J -
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ECAD 5551 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L018 40V 固定的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 18V - 1 1.7V@40mA(典型值) 38分贝(120赫兹) 过电流
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG,EL -
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ECAD 1895年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SOP(0.236英寸,6.00毫米宽) 线性 TB62747 - 24-SSOP 下载 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 45毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 26V
TCR3DM11,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11,射频(SE 0.4800
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.1V - 1 0.65V@300mA - 过流、过温
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2DNS,AQ -
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ECAD 4984 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB33(TE85L,F) 0.4600
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ECAD 8980 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5SB33 15V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.2V@50mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TA78DS10BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP,F(J -
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ECAD 3616 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1.4毫安 1.4毫安 - 的积极 30毫安 10V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库