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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB6617FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6617FNG（o，El） -
RFQ
 ECAD 7426 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TB6617 动力mosfet 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 4.5V〜45V - DC -
TB7102AF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102AF（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7102 5.5V 可调节的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 0.8V 4.5V 2.7V
TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，6KEHF （M -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TB7106F(T2LPP1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7106F t2lpp1，Q） -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TB7106 20V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 380kHz 积极的 是的 3a 0.8V 18V 4.5V
TC62D749CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG，El 0.4038
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） LED照明 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D749 - 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TA58L05S,LS2MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，LS2MTDQ（j -
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA78DS08BP(T6ND,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP（t6nd，FM -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TA78L005AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，f（j -
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TBD62084AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFG，El 1.3600
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62084 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR2EN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN13 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.45V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 203 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3UM18 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA4805BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4805BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA4805 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 5V - 1 0.69V @ 1a （典型） 60dB（120Hz） 在电流上超过温度
TPD4207F,FQ Toshiba Semiconductor and Storage TPD4207F，FQ 9.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 30 SOP （0.433“，11.00mm宽度） TPD4207 动力mosfet 13.5v〜16.5V 30 SOP 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 5a 50V〜450V - DC（BLDC） -
TA58L06S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S，SUMISQ （M -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 6V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（ls2dns，aq -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1.2V - 1 0.15V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TA58M08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S（fjtn，QM） -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 8V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S（t6muratfm -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） TA76432ST6MURATFM Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE36，LM（ct -
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE36 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA58LT00F （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA58L 26V 可调节的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 0.8 mA 15 ma 使能够 积极的 150mA 2.5V 13.4V 1 0.6V @ 100mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB67B000HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000HG -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 通过洞 30-PowerDip模块 TB67B000 IGBT 13.5v〜16.5V 30-HDIP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TB67B000HG（O） Ear99 8542.39.0001 15 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V - DC（BLDC） -
TCR4DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG35，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG35 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µA 使能够 积极的 420mA 3.5V - 1 0.26V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TPD2017FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TPD2017FN，L1F s 4.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TPD2017 不转变 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 （（），高温 低侧 1ohm 0.8V〜2V 继电器，螺线管驱动器 500mA
TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF21，LM（ct 0.0700
RFQ
 ECAD 1084 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF21 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.56V @ 150mA - 超过电流
TB6562AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG，8，El 3.2200
RFQ
 ECAD 1755年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 30-bsop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） TB6562 DMO 10v〜34V 30 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 10v〜34V 双极 - 1、1/2、1/4
TB62D786FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D786FTG，El 0.9553
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-VFQFN暴露垫 线性 TB62D786 - 24-VQFN （4x4） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 40mA 9 是的 - 28V PWM 7V 28V
TA76431AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS，T6F j -
RFQ
 ECAD 9634 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR15AG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG105，LF 0.2294
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG105 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1.05V - 1 0.228V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TB62208FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG，C8，El 2.9200
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TA78L005AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP（tori，FM -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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