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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR5BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12，L3F 0.1357
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 ECAD 第1343章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1.2V - 1 0.15V@500mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG45，LF 0.1054
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 ECAD 6507 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG45 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 125微安 使用能够 的积极 300毫安 4.5V - 1 0.185V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR2DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG18，LF 0.1411
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 ECAD 1510 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG18 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.2V@100mA - 浪涌电流、过流、热关断
TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG285，LF 0.3900
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 ECAD 7141 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.235V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 0.65V@150mA - 过电流
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A，LF 0.5300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG09 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 0.9V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG30A，LF 0.4700
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 ECAD 4472 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR3UG30 5.5V 固定的 4-WCSP-F (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.273V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TA58L05S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(FJTN,AQ) -
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 ECAD 6255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF115,LM(CT 0.3200
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 ECAD 925 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF115 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.15V - 1 0.67V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TAR5S30UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S30UTE85LF 0.5100
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 ECAD 第865章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 塔尔5S30 15V 固定的 超短波病毒 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCB010FNG Toshiba Semiconductor and Storage TCB010FNG -
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 ECAD 5007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -40℃～85℃ 转换器，汽车车身系统 表面贴装 36-BSSOP（0.433"，11.00mm宽）裸露焊盘 18V 36-高速钢 下载 264-TCB010FNG EAR99 8542.39.0001 1 7 3.3V、3.3V、5V
TA58M05S(YAZK,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(YAZK、AQ) -
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 ECAD 7841 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,C8,EL 2.3900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62216 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2A 10V～38V - 有刷直流 -
TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF115,LM(CT 0.3800
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF115 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.15V - 1 1.3V@150mA - 过电流
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,T6F(J -
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 ECAD 5551 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L018 40V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 18V - 1 1.7V@40mA（典型值） 38分贝（120赫兹） 过电流
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG,EL -
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 ECAD 1895年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TB62747 - 24-SSOP 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 45毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 26V
TCR3DM11,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11，射频（SE 0.4800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.1V - 1 0.65V@300mA - 过流、过温
TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB33(TE85L,F) 0.4600
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 ECAD 8980 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5SB33 15V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA78DS10BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP,F(J -
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 ECAD 3616 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.4毫安 1.4毫安 - 的积极 30毫安 10V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095,LM(CT 0.0742
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 ECAD 7130 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.95V - 1 1.48V@150mA - 过电流
TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A，LF -
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 ECAD 5897 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 - 的积极 300毫安 0.9V - 1 0.13V@300mA 100分贝（1kHz） 过流、过温
TA58L05S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,SUMISQ(M -
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 ECAD 6938 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG30，LF 0.4400
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG30 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 3V - 1 0.11V@100mA 73dB～50dB（1kHz～100kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22951G，LF 0.5100
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 ECAD 8256 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载率 TCK22951 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定）、过温、逆向 高边 31毫欧 1.1V～5.5V 通用型 第740章
TB62215AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG，C8，EL 1.6274
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 ECAD 4759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62215 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TB62215AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG,8,EL 1.1500
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 ECAD 8532 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62215 功率MOSFET 4.75V～5.25V 28-HSOP 下载 符合RoHS标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TBD62783AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFNG -
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 ECAD 3817 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62783 非反相 P沟道 1:1 18-SSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 8 - 高边 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCR4DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG35，LF 0.4500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR4DG35 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 68微安 使用能够 的积极 420毫安 3.5V - 1 0.26V@420mA 70分贝（1kHz） 过流、过温、短路
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24，LF 0.1394
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 ECAD 3967 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.4V - 1 0.13V@100mA - 过流、过温
TB62747AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG,C8,EL 1.2600
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) LED照明 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TB62747 - 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 2,000 45毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 26V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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