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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 电压 - 输入 | 电压 - 输入(最大) | 输出类型 | SIC | 其中 - 输入:输出 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 输出/通道 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 界面 | 产出数量 | 电流 - 静态 (Iq) | 电流 - 电源(最大) | 通道类型 | 内部开关 | 拓扑结构 | 频率切换 | 故障保护 | 控制特性 | 电压 - 电源(最大) | 输出配置 | 同步调整器 | 当前-输出 | 导通电阻(典型值) | 电压-负载 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 电机类型 - 步进 | 电机类型 - 交流、直流 | 步骤解析 | 调光 | 电压-电源(最小) | 电压 - 输出 | 开关类型 | 当前-产出(最大) | 电压 - 输出(最小/固定) | 电压 - 输出(最大) | 电压-输入(最小) | 调节器数量 | 电压降幅(最大) | 电源抑制比 | 保护特性 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TB7101AF(T5L1.5,F) | - | ![]() | 1113 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SMD,写入 | TB7101 | 5.5V | 固定的 | PS-8 (2.9x2.4) | - | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 降压 | 1 | 巴克 | 1兆赫兹 | 的积极 | 是的 | 1A | 1.5V | - | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK422G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 6-XFBGA、WLCSP | TCK422 | 非反相 | 未验证 | 2.7V~28V | 6-WCSPG (0.8x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.4V、1.2V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6551FG(O、EL、干) | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -30℃~115℃(TA) | 风扇控制器 | 表面贴装 | 24-SOP(0.236英寸,6.00毫米宽) | TB6551 | 双CMOS | 6V~10V | 24-SSOP | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,000 | 控制器 - 换向、方向管理 | 平行线 | 预驱动器 - 半桥 (3) | - | - | - | 无刷直流 (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE36,LM(CT | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 切带 (CT) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SOT-553 | TCR2EE36 | 5.5V | 固定的 | ESV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 3.6V | - | 1 | - | 73分贝(1kHz) | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLE4276SV | - | ![]() | 2001年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 的积极 | TLE4276 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62D612FTG,EL | 4.6400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | - | 表面贴装 | 36-WFQFN 裸露焊盘 | 线性 | TB62D612 | - | 36-WQFN (6x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 40毫安 | 24 | 是的 | - | 5.5V | 模拟、I²C、PWM | 3V | 4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF285,LM(CT | 0.0700 | ![]() | 4272 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2LF285 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 2.85V | - | 1 | 0.38V@150mA | - | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5BM12A,L3F | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5BM | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR5BM12 | 5.5V | 固定的 | 5-DFNB (1.2x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36微安 | 电流限制,启用 | 的积极 | 500毫安 | 1.2V | - | 1 | 0.15V@500mA | 98分贝(1kHz) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5BM12,L3F | 0.1357 | ![]() | 第1343章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5BM | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XDFN 裸露焊盘 | TCR5BM12 | 5.5V | 固定的 | 5-DFNB (1.2x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36微安 | 电流限制,启用 | 的积极 | 500毫安 | 1.2V | - | 1 | 0.15V@500mA | 98分贝(1kHz) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG45,LF | 0.1054 | ![]() | 6507 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DG | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFBGA、CSPBGA | TCR3DG45 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSPE (0.65x0.65) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 125微安 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 4.5V | - | 1 | 0.185V@300mA | 70分贝(1kHz) | 浪涌电流、过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG18,LF | 0.1411 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2DG | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-UFBGA、WLCSP | TCR2DG18 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSP (0.79x0.79) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 70微安 | - | 的积极 | 200毫安 | 1.8V | - | 1 | 0.2V@100mA | - | 浪涌电流、过流、热关断 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG285,LF | 0.3900 | ![]() | 7141 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3DG | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFBGA、CSPBGA | 5.5V | 固定的 | 4-WCSPE (0.65x0.65) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 2.85V | - | 1 | 0.235V@300mA | 70分贝(1kHz) | 过流、过温 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN11,LF(SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.1V | - | 1 | 0.65V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5RG09A,LF | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR5RG | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-XFBGA、WLCSP | TCR5RG09 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSPF (0.65x0.65) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 13微安 | - | 的积极 | 500毫安 | 0.9V | - | 1 | - | 100dB~59dB(1kHz~1MHz) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UG30A,LF | 0.4700 | ![]() | 4472 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR3UG | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XFBGA、WLCSP | TCR3UG30 | 5.5V | 固定的 | 4-WCSP-F (0.65x0.65) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 第680章 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 3V | - | 1 | 0.273V@300mA | 70分贝(1kHz) | 浪涌电流、过流、热关断 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S(FJTN,AQ) | - | ![]() | 6255 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58L05 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1毫安 | 50毫安 | - | 的积极 | 250毫安 | 5V | - | 1 | 0.4V@200mA | - | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EF115,LM(CT | 0.3200 | ![]() | 925 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2EF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2EF115 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 60微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.15V | - | 1 | 0.67V@150mA | 73分贝(1kHz) | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TAR5S30UTE85LF | 0.5100 | ![]() | 第865章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 6-SMD(5 英尺),浅浅 | 塔尔5S30 | 15V | 固定的 | 超短波病毒 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 850微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 3V | - | 1 | 0.2V@50mA | 70分贝(1kHz) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCB010FNG | - | ![]() | 5007 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 转换器,汽车车身系统 | 表面贴装 | 36-BSSOP(0.433",11.00mm宽)裸露焊盘 | 18V | 36-高速钢 | 下载 | 264-TCB010FNG | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 7 | 3.3V、3.3V、5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58M05S(YAZK、AQ) | - | ![]() | 7841 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58M05 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1毫安 | 80毫安 | - | 的积极 | 500μA | 5V | - | 1 | 0.65V@500mA | - | 过流、过温、反 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62381AFNG,EL | 1.7100 | ![]() | 9992 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 18-LSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | - | 待定62381 | - | N沟道 | 1:1 | 18-SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4.5V~5.5V | 开/关 | 8 | - | 低侧 | 1欧姆 | 0V~50V | 通用型 | 500毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62216FTG,C8,EL | 2.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 通用型 | 表面贴装 | 48-VFQFN 裸露焊盘 | TB62216 | 功率MOSFET | 4.75V~5.25V | 48-QFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 脉宽调节 | 半桥 (4) | 2A | 10V~38V | - | 有刷直流 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF115,LM(CT | 0.3800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | TCR2LF115 | 5.5V | 固定的 | SMV | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 1.15V | - | 1 | 1.3V@150mA | - | 过电流 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN09,LF(SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | TCR2LN | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C(太焦) | 表面贴装 | 4-XFDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-SDFN (0.8x0.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 0.9V | - | 1 | 1.46V@150mA | - | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L018AP,T6F(J | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -30℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA78L018 | 40V | 固定的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5毫安 | - | 的积极 | 150毫安 | 18V | - | 1 | 1.7V@40mA(典型值) | 38分贝(120赫兹) | 过电流 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62747AFG,EL | - | ![]() | 1895年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | - | 表面贴装 | 24-SOP(0.236英寸,6.00毫米宽) | 线性 | TB62747 | - | 24-SSOP | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 45毫安 | 16 | 是的 | 升降台 | 5.5V | - | 3V | 26V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM11,射频(SE | 0.4800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 4-UDFN 裸露焊盘 | 5.5V | 固定的 | 4-DFN (1x1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 使用能够 | 的积极 | 300毫安 | 1.1V | - | 1 | 0.65V@300mA | - | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S(LS2DNS,AQ | - | ![]() | 4984 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | TA58L05 | 29V | 固定的 | TO-220NIS | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1毫安 | 50毫安 | - | 的积极 | 250毫安 | 5V | - | 1 | 0.4V@200mA | - | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TAR5SB33(TE85L,F) | 0.4600 | ![]() | 8980 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | 塔尔5SB33 | 15V | 固定的 | SMV | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 850微安 | 使用能够 | 的积极 | 200毫安 | 3.3V | - | 1 | 0.2V@50mA | 70分贝(1kHz) | 过流、过温 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78DS10BP,F(J | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | TA78DS | 33V | 固定的 | 长短期记忆网络 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.4毫安 | 1.4毫安 | - | 的积极 | 30毫安 | 10V | - | 1 | 0.3V@10mA | - | 过流、过温、过压、传输 |

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