SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入(最大) 输出类型 温度系数 SIC 其中 - 输入:输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源(最大) 通道类型 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源(最大) 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻(典型值) 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源(最小) 电压 - 输出 开关类型 当前-产出(最大) 电压 - 输出(最小/固定) 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出(最大) 电压-输入(最小) 调节器数量 电压降幅(最大) 电源抑制比 保护特性
TCR2EN29,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN29,LF(SE 0.3800
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.9V - 1 0.21V@150mA - 过电流
TB67H301FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H301FTG,EL 1.6700
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通用型 表面贴装 24-WFQFN 裸露焊盘 TB67H301 双CDMOS 3V~5.5V 24-WQFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 1A 4.5V~38V - 有刷直流 -
TBD62003AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFWG,EL 0.8200
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) - 待定62003 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V(最大) 通用型 500毫安
TB7102AF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102AF(TE85L,F) -
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ECAD 9263 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SMD,写入 TB7102 5.5V 可调节的 PS-8 (2.9x2.4) 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 1A 0.8V 4.5V 2.7V
TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20,LF -
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ECAD 9504 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN20 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2V - 1 0.54V@150mA - 过电流
TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF21,LM(CT 0.0700
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ECAD 1084 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF21 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.1V - 1 0.56V@150mA - 过电流
TB67H401FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG(O,EL) 4.7800
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ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃~85℃ 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67H401 双CDMOS 4.75V~5.25V 48-VQFN (7x7) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (4) 6A 10V~47V - 有刷直流 -
TA48M033F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M033F(T6L1,SNQ -
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ECAD 5574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TA48M033 29V 固定的 PW-模具 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.4毫安 25毫安 - 的积极 500毫安 3.3V - 1 0.65V@500mA 70分贝(120赫兹) 过流、过温、过压、逆流
TCK22974G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22974G,LF 0.5500
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ECAD 5271 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 转换速率受控 TCK22974 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V~5.5V 通用型 2A
TBD62502APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502APG 1.3600
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ECAD 第523章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V(最大) 通用型 300毫安
TCR15AG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG105,LF 0.2294
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ECAD 6398 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C(太焦) 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG105 6V 固定的 6-WCSP (1.2x0.80) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 1.05V - 1 0.228V@1.5A 95dB~60dB(1kHz) 电流限制、热关断、UVLO
TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE145,LM(CT 0.0680
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ECAD 5542 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE145 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.45V - 1 - 73分贝(1kHz) 过电流
TB62781FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG,C8,EL 1.9800
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ECAD 7672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 20-LSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) 线性 TB62781 - 20-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 9 是的 - 5.5V - 3V 28V
TCR2EN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31,LF 0.3500
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN31 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.1V - 1 0.18V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK322G,LF 0.5973
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ECAD 6905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-UFBGA、CSPBGA 转换速率控制,状态标志 TCK322 - N沟道 2:1 16-WCSPC (1.9x1.9) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、过压、逆流、U 高边 98毫欧 2.3V~36V 通用型 2A
TA4808BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4808BF(T6L1,NQ) 0.8200
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ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TA4808 16V 固定的 PW-模具 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7毫安 20毫安 - 的积极 1A 8V - 1 0.69V@1A(典型值) 56分贝(120赫兹) 过流、过温
TB67H410FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410FTG,EL 1.2515
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ECAD 8734 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67H410 双CDMOS 4.75V~5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (4) 5A 10V~47V - 有刷直流 -
TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30,LF 0.0926
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ECAD 2827 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM30 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 3V - 1 0.25V@300mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TA76431AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS,T6F(J -
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ECAD 9634 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78DS08BP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP(MBS1,FM -
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ECAD 6826 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 1.2毫安 - 的积极 30毫安 8V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,8,EL -
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ECAD 第1553章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 - 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62216 功率MOSFET 40V(最大) 48-QFN (7x7) 下载 3(168小时) EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2.5A - - 有刷直流 -
TCR3UF20A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF20A,LM(CT 0.4100
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ECAD 301 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF20 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 - 的积极 300毫安 2V - 1 0.412V@300mA 70分贝(1kHz) 过流、过温
TA58L12S,LS1TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S,LS1TOKQ(J -
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ECAD 2779 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 1.2毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 12V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TB62777FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG,C8,EL 1.5200
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ECAD 38 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 16-LSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) 线性 TB62777 - 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,000 40毫安 8 是的 升降台 5.5V - 3V 25V
TCR2EE33,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE33,LM -
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ECAD 7137 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE33 5.5V 固定的 ESV 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.2V@150mA 73分贝(1kHz) 过电流
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF(T5L1.5,F) -
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ECAD 1113 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SMD,写入 TB7101 5.5V 固定的 PS-8 (2.9x2.4) - 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 1A 1.5V - 2.7V
TCK422G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK422G,L3F 0.8500
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK422 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
TB6551FG(O,EL,DRY) Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FG(O、EL、干) -
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ECAD 4894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃~115℃(TA) 风扇控制器 表面贴装 24-SOP(0.236英寸,6.00毫米宽) TB6551 双CMOS 6V~10V 24-SSOP 下载 1(无限制) EAR99 8542.31.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE36,LM(CT -
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ECAD 8242 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE36 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 - 73分贝(1kHz) 过电流
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage TLE4276SV -
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ECAD 2001年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 的积极 TLE4276 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库