SIC
close

（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 拓扑 频率 -切换 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA78L005AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，f（j -
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TB67S102AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S102 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TCR3UG33B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33B，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG33 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TA78DS10BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta78ds10bp，f（j -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.4 MA 1.4 MA - 积极的 30mA 10V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TA78L008AP,6MBSF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP，6MBSF （M -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TCR2EN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN31 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC62D748AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748AFG，El 0.4326
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TC62D748 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000
TB67H410FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410FTG，El 1.2515
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67H410 Bicdmos 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 5a 10v〜47V - DC -
TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09，LF -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN09 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.9V - 1 1.46V @ 150mA - 超过电流
TCR2EE305,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE305，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE305 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.05V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF11，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF11 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.3V @ 150mA - 超过电流
TA58L08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08（fjtn，AQ） -
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 8V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3RM285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A，LF -
RFQ
 ECAD 9125 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM285 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 2.85V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1.2V - 1 0.15V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF09 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.9V - 1 1.48V @ 150mA - 超过电流
TA78DS08BP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP （MBS1，FM -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR2LN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11，LF -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.28V @ 150mA - 超过电流
TB6549FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549FG（o，El） -
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 20-bsop （0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB6549 Bi-Cmos 10v〜27V 20-hsop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 2（2） 3.5a 10v〜27V - DC -
TB7101AF(T5L1.2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.2，F） -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 1.2V - 2.7V
TA58L05S,LS4NSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，LS4NSAQ（j -
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3UM11A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um11a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 580 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.1V - 1 0.957V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB67H301FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H301FTG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-WFQFN暴露垫 TB67H301 Bicdmos 3v〜5.5V 24-wqfn （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 4.5V〜38V - DC -
TA78L005AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP（tori，FM -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM065，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 4827 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM065 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.65V - 1 0.2V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR4DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG28，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG28 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µA 使能够 积极的 420mA 2.8V - 1 0.22V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF30 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.287V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF40，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF40 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM33A，RF 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 2.2 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 3.3V - 1 0.251V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR5BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM10 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 500mA 1V - 1 0.14V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭