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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F，LF 6.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C（TJ） 通用目的 表面安装 42-SOP （0.330英寸，8.40mm宽），31个铅，裸露的垫子 IGBT 13.5v〜16.5V 31-hssop - rohs3符合条件 3（168）） 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR2EF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF36，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF36 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG，El -
RFQ
 ECAD 1895年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TB62747 - 24 SSOP 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 45mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 26V
TCR2DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG30，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG30 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 3V - 1 0.11V @ 100mA 73db〜50dB（1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG（O） -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6549 Bi-Cmos 10v〜27V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 2（2） 3.5a 10v〜27V - DC -
TCR2EF50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF50，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF50 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR15AG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG18，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG18 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1.8V - 1 0.648V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TB62216FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG，8，El -
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 - 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62216 动力mosfet （40V）） 28-hsop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2.5a - - DC -
TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK322G，LF 0.5973
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK322 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TA48M025F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M025F （T6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M025 29V 固定的 PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 2.5V - 1 0.65V @ 500mA 72dB （120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TCR3UM30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM30A，LF -
RFQ
 ECAD 1903年 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3UM30 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 3V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62783AFNG Toshiba Semiconductor and Storage tbd62783afng -
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR3DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG36，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 3.6V - 1 0.185V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC78B025FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B025FTG，El 4.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 风扇运动驱动器 表面安装 24-VFQFN暴露垫 TC78B025 CMOS 4.5V〜16V 24-VQFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 3（3） 3.5a - 多相 DC（BLDC） -
TA78DS05CP,6NSNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，6NSNF（j -
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR2LN08,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.8V - 1 1.56V @ 150mA - 超过电流
TB9045FNG-120,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-1220，El 11.4387
RFQ
 ECAD 1933年 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 电源，汽车应用 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB9045 - 48-htssop 下载 3（168）） 264-TB9045FNG-1220ELTR Ear99 8542.39.0001 1,000 3 6V
TPD4162F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4162F，LF 2.4947
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C 通用目的 表面安装 62 SOP （0.331英寸，8.40mm宽度）裸露的垫子，31条线索 TPD4162 IGBT 13.5v〜17.5V P-HSSOP31-0918-0.80-002 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 高侧 700mA 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR5RG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG33A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG33 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 3.3V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TCK106G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106G，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga 控制率控制 TCK106 不转变 P通道 1：1 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 49mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG，C8，El 2.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TAR5S30UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage tar5s30ute85lf 0.5100
RFQ
 ECAD 865 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S30 15V 固定的 UFV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCK112G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK112G，LF 0.7300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK112 不转变 n通道 1：1 6-WCSPC（1.5x1.0） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流 高侧 8.3MOHM 1.1V〜5.5V 通用目的 3a
TA58L09S,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S，Q （M -
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 9V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28，LM（ct 0.4000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE28 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TA58L05S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，HY-ATQ （M -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2LE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE27，LM（ct 0.0762
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE27 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TB62215AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG，8，El 1.1500
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TBD62783AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tbd62783afng，el 1.6700
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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