电源管理 (PMIC)(1138)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	类型	特征	基本产品编号	输入类型	频率	技术	电压 - 输入（最大）	输出类型	其中 - 输入：输出	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	功能	电流 - 输出/通道	电压 - 电源 (Vcc/Vdd)	界面	产出数量	电流 - 静态 (Iq)	电流 - 电源（最大）	内部开关	拓扑结构	频率切换	故障保护	控制特性	电压 - 电源（最大）	输出配置	同步调整器	当前-输出	导通电阻（典型值）	电压-负载	电机类型 - 步进	电机类型 - 交流、直流	步骤解析	调光	电压-电源（最小）	电压 - 输出	开关类型	当前-产出（最大）	电压 - 输出（最小/固定）	电压 - 输出（最大）	电压-输入（最小）	调节器数量	电压降幅（最大）	电源抑制比	保护特性
TA58L05S,COMTQ(M	-	询价	2376	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	-40℃～105℃		通孔	TO-220-3全包			TA58L05				29V	固定的			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1						1毫安	50毫安					-		的积极		250毫安											5V	-		1	0.4V@200mA	-	过流、过温
TB6617FNG(O,EL)	-	询价	7426	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-20℃～85℃（TA）	通用型	表面贴装	16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）			TB6617			功率MOSFET				2.7V～5.5V	16-SSOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	2,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线										半桥 (2)		1A		4.5V～45V	-	有刷直流	-
TPD4207F,FQ	9.7100	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	通用型	表面贴装	30-SOP（0.433英寸，11.00毫米宽）			TPD4207			功率MOSFET				13.5V～16.5V	30-SOP	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	1,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线										半桥 (3)		5A		50V～450V	-	无刷直流 (BLDC)	-
TA78L012AP,T6F(J	-	询价	4521	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	-30℃～85℃		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体			TA78L012				35V	固定的			长短期记忆网络	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1						6.5毫安						-		的积极		150毫安											12V	-		1	1.7V@40mA（典型值）	41分贝（120赫兹）	过电流
TB6600FG	5.7300	询价	3604	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	-30°C ~ 85°C (TA)	通用型	表面贴装	64-TQFP 裸露焊盘			TB6600			功率MOSFET				8V～42V	64-HQFP (10x10)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	TB6600FG(O)	EAR99	8542.39.0001	160	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线										半桥 (4)		4A		8V～42V	双	-	1、1/2、1/4、1/8、1/16
TB67S141FTG，EL	3.1800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-20℃～85℃（TA）	通用型	表面贴装	48-WFQFN 裸露焊盘			TB67S141			功率MOSFET				4.75V～5.25V	48-WQFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线										半桥 (2)		3A		10V～40V	单极	-	1、1/2、1/4
TCK112G、LF	0.7300	询价	16	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-UFBGA、WLCSP		负载预测，转换速率受控	TCK112	非反相				N沟道	1:1		6-WCSPC (1.5x1.0)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000			不需要	开/关	1						过温、逆流			高边			8.3毫欧	1.1V～5.5V							通用型	3A
TBD62084AFWG，EL	1.1900	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		-	待定62084	反相				N沟道	1:1		18-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1,000			不需要	开/关	8						-			低侧			-	50V（最大）							通用型	500毫安
TCR5AM18，LF	0.1357	询价	8241	东芝半导体和存储	TCR5AM	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XDFN 裸露焊盘			TCR5AM18				5.5V	固定的			5-DFNB (1.2x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	5,000						55微安						使用能够		的积极		500毫安											1.8V	-		1	0.43V@500mA	70dB～40dB（1kHz～10Hz）	过流、过温、欠压锁定
TA58M05S,SUMISQ(M	-	询价	1316	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	-40℃～105℃		通孔	TO-220-3全包			TA58M05				29V	固定的			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1						1毫安	80毫安					-		的积极		500μA											5V	-		1	0.65V@500mA	-	过流、过温、反
TB62216FG,8,EL	-	询价	5096	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的	-	通用型	表面贴装	28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片			TB62216			功率MOSFET				40V（最大）	28-HSOP	下载		3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	1,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			脉宽调节										半桥 (4)		2.5A		-	-	有刷直流	-
TB67S580FNG，EL	2.1500	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	通用型	表面贴装	28-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘						DMOS				8.2V～44V	28-高温SSOP	下载		1（无限制）				4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			开/关										半桥 (4)		1.6A		8.2V～44V	双	-	1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCR2EE115,LM(CT	0.0618	询价	7361	东芝半导体和存储	TCR2EE	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SOT-553			TCR2EE115				5.5V	固定的			ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000						60微安						使用能够		的积极		200毫安											1.15V	-		1	0.67V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TA78L008AP(DNSO,FM	-	询价	7130	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	-30℃～85℃		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体			TA78L008				35V	固定的			长短期记忆网络	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1						6.5毫安						-		的积极		150毫安											8V	-		1	1.7V@40mA（典型值）	45分贝（120赫兹）	过电流
TCR2EE28,LM(CT	0.3700	询价	5527	东芝半导体和存储	TCR2EE	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SOT-553			TCR2EE28				5.5V	固定的			ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000						60微安						使用能够		的积极		200毫安											2.8V	-		1	0.23V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TCR2LN10，LF	0.3600	询价	70	东芝半导体和存储	TCR2LN	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘			TCR2LN10				5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						2微安						使用能够		的积极		200毫安											1V	-		1	1.38V@150mA	-	过电流
TCR2EE275,LM(CT	0.3700	询价	10	东芝半导体和存储	TCR2EE	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SOT-553			TCR2EE275				5.5V	固定的			ESV	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000						60微安						使用能够		的积极		200毫安											2.75V	-		1	0.23V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TCR2EE34,LM(CT	0.3700	询价	7	东芝半导体和存储	TCR2EE	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SOT-553			TCR2EE34				5.5V	固定的			ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000						60微安						使用能够		的积极		200毫安											3.4V	-		1	0.2V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TA58L12S,Q(J	-	询价	8687	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	-40℃～105℃		通孔	TO-220-3全包			TA58L12				29V	固定的			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	1						1.2毫安	50毫安					-		的积极		250毫安											12V	-		1	0.4V@200mA	-	过流、过温
TCR2LN12,LF(SE	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	TCR2LN	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（太焦）		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						2微安						使用能够		的积极		200毫安											1.2V	-		1	1.23V@150mA	-	过电流
TB62215AFTG，C8，EL	1.6274	询价	4759	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 150°C（太焦）	通用型	表面贴装	48-VFQFN 裸露焊盘			TB62215			功率MOSFET				4.75V～5.25V	48-QFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	2,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线										半桥 (4)		3A		10V～38V	双	-	1、1/2、1/4
TB62215AFG,8,EL	1.1500	询价	8532	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-20°C ~ 150°C（太焦）	通用型	表面贴装	28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片			TB62215			功率MOSFET				4.75V～5.25V	28-HSOP	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	1,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线										半桥 (4)		3A		10V～38V	双	-	1、1/2、1/4
TB62785NG	7.3500	询价	4891	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	-	通孔	24-SDIP（0.300英寸，7.62毫米）	线性		TB62785		-						24-SDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TB62785NG(O)	EAR99	8542.39.0001	20		50毫安			8			是的	升降台				5.5V									-	4.5V	17V
TCR3UF20A,LM(CT	0.4100	询价	301	东芝半导体和存储	TCR3UF	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SC-74A、SOT-753			TCR3UF20				5.5V	固定的			SMV	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000						第680章						-		的积极		300毫安											2V	-		1	0.412V@300mA	70分贝（1kHz）	过流、过温
TB62216FTG,8,EL	-	询价	第1553章	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的	-	通用型	表面贴装	48-VFQFN 裸露焊盘			TB62216			功率MOSFET				40V（最大）	48-QFN (7x7)	下载		3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	2,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			脉宽调节										半桥 (4)		2.5A		-	-	有刷直流	-
TB62777FNG,C8,EL	1.5200	询价	38	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	-	表面贴装	16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	线性		TB62777		-						16-SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	2,000		40毫安			8			是的	升降台				5.5V									-	3V	25V
TCR2EE33,LM(CT	0.3700	询价	5	东芝半导体和存储	TCR2EE	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	SOT-553			TCR2EE33				5.5V	固定的			ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	4,000						60微安						使用能够		的积极		200毫安											3.3V	-		1	0.2V@150mA	73分贝（1kHz）	过电流
TCR2EN29，LF（SE	0.3800	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃		表面贴装	4-XFDFN 裸露焊盘							5.5V	固定的			4-SDFN (0.8x0.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	10,000						60微安						使用能够		的积极		200毫安											2.9V	-		1	0.21V@150mA	-	过电流
TB7102AF(TE85L,F)	-	询价	9263	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	8-SMD，写入			TB7102				5.5V	可调节的			PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）		EAR99	8542.39.0001	3,000	降压				1				巴克	1兆赫兹				的积极	是的	1A											0.8V	4.5V	2.7V
TB67S289FTG，EL	4.3700	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-20℃～85℃（TA）	通用型	表面贴装	48-VFQFN 裸露焊盘			TB67S289			功率MOSFET				4.75V～5.25V	48-VQFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8542.39.0001	4,000	驱动器 - 完全集成、控制和功率级			平行线										半桥 (8)		3A		10V~47V	双	-	1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

电源管理 (PMIC)(1138)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²