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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 SIC 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 通道类型 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A，LF 0.5300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG09 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 0.9V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG45，LF 0.1054
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 ECAD 6507 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG45 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 125微安 使用能够 的积极 300毫安 4.5V - 1 0.185V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF285,LM(CT 0.0700
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 ECAD 4272 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF285 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG285，LF 0.3900
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 ECAD 7141 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.235V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR5BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12，L3F 0.1357
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 ECAD 第1343章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1.2V - 1 0.15V@500mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TB62D612FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D612FTG，EL 4.6400
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 ECAD 23 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 36-WFQFN 裸露焊盘 线性 TB62D612 - 36-WQFN (6x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 40毫安 24 是的 - 5.5V 模拟、I²C、PWM 3V 4V
TCK422G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK422G,L3F 0.8500
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK422 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
TCR2DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG18，LF 0.1411
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 ECAD 1510 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG18 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.2V@100mA - 浪涌电流、过流、热关断
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE36,LM(CT -
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 ECAD 8242 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE36 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 - 73分贝（1kHz） 过电流
TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A,L3F 0.4900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 500毫安 1.2V - 1 0.15V@500mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TB6551FG(O,EL,DRY) Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FG(O、EL、干) -
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 ECAD 4894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～115℃（TA） 风扇控制器 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） TB6551 双CMOS 6V～10V 24-SSOP 下载 1（无限制） EAR99 8542.31.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCR2DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG285，LF 0.1394
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 ECAD 7114 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 2.85V - 1 0.12V@100mA - 过流、过温
TPD1052F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage TPD1052F,LXHF 0.4175
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 ECAD 7032 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，写入 - TPD1052 非反相 P沟道 - PS-8 (2.9x2.4) 下载 EAR99 8542.39.0001 3,000 5V~18V 逻辑 1 电流限制（固定）、过热、短路 高边 500毫欧 - 继电器、电磁阀驱动器 -
TCR3DM18,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，射频（SE 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.38V@300mA - 过流、过温
TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09，LF -
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 ECAD 3502 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN09 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.9V - 1 1.46V@150mA - 过电流
TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF105,LM(CT 0.3800
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 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF105 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 1.4V@150mA - 过电流
TCR3DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG13，LF 0.1054
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 ECAD 1604 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG13 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 1.3V - 1 0.55V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR2LN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33，LF（SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.28V@150mA - 过电流
TA78DS10BP(6MB1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP(6MB1,FM -
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 ECAD 6633 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1.4毫安 1.4毫安 - 的积极 30毫安 10V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TCR2EN28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN28，LF（SE） 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.8V - 1 0.21V@150mA - 过电流
TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG135，LF 0.1054
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 ECAD 5613 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG135 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 使用能够 的积极 300毫安 1.35V - 1 0.53V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TCR8BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10，L3F 0.4600
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 ECAD 3470 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM10 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1V - 1 0.23V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.85V - 1 1.56V@150mA - 过电流
TCR2LN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN36,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.28V@150mA - 过电流
TA48M033F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M033F(T6L1,SNQ -
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 ECAD 5574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA48M033 29V 固定的 PW-模具 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.4毫安 25毫安 - 的积极 500毫安 3.3V - 1 0.65V@500mA 70分贝（120赫兹） 过流、过温、过压、逆流
TCK22974G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22974G，LF 0.5500
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 ECAD 5271 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 转换速率受控 TCK22974 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TB67H401FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG(O,EL) 4.7800
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃ 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB67H401 双CDMOS 4.75V～5.25V 48-VQFN (7x7) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (4) 6A 10V~47V - 有刷直流 -
TBD62502APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502APG 1.3600
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 ECAD 第523章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 25 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF21,LM(CT 0.0700
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 ECAD 1084 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF21 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.1V - 1 0.56V@150mA - 过电流
TA58L08S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S,SUMISQ(M -
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 ECAD 5777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 8V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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