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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG135，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5613 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG135 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.35V - 1 0.53V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE145，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE145 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.45V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage TLE4276SV -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TLE4276 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A，LF 0.1261
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 0.68 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.825V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.4V - 1 0.13V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE11 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.3V @ 150mA - 超过电流
TCK106AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK106 不转变 P通道 1：1 4-WCSPD（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 34mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.85V - 1 1.56V @ 150mA - 超过电流
TB67S141FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141FTG，El 3.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S141 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1、1/2、1/4
TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 1.23V @ 150mA - 超过电流
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE12 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150mA - 超过电流
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG19 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 1.9V - 1 0.457V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE275 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.75V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3RM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM18 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 1.8V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TBD62387APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62387APG 1.8600
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） - TBD62387 反转 n通道 1：1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 20 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1.5OHM 0v〜50V 通用目的 500mA
TCR5AM08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM08，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM08 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.8V - 1 0.22V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TAR5S15U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S15U（TE85L，F） 0.1676
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S15 15V 固定的 UFV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.9V - 1 1.46V @ 150mA - 超过电流
TB67S102AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S102 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67H301FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H301FTG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-WFQFN暴露垫 TB67H301 Bicdmos 3v〜5.5V 24-wqfn （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 4.5V〜38V - DC -
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF30 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.287V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL15PI -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TCR3DM12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM12，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.2V - 1 0.6V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR1HF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF18B，LM（ct 0.4800
RFQ
 ECAD 6805 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 3,000
TB67H410NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410NG 3.8200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB67H410 Bicdmos 4.75V〜5.25V 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 不适用 TB67H410NG（O） Ear99 8542.39.0001 20 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 5a 10v〜47V - DC -
TB6674FAG Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FAG -
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 表面安装 16 台（0.181英寸，4.60mm宽度） TB6674 动力mosfet 4.5V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 100mA 2.7V〜22V 双极 - -
TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG，El -
RFQ
 ECAD 1114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 表面安装 30-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6631 Bi-Cmos 7v〜16.5V 30 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR2EF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF11，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF11 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.67V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um09a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 580 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.9V - 1 1.157V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB62215AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG，C8，El 1.6274
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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