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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TA78L012AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,HOTIF(M -
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 ECAD 9964 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L012 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 12V - 1 1.7V@40mA（典型值） 41分贝（120赫兹） 过电流
TCK2065G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK2065G,LF 0.4800
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载率 TCK2065 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定）、过温、逆向 高边 31毫欧 1.4V～5.5V 通用型 1.11A
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG 6.3062
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 ECAD 8444 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40℃～125℃ 汽车 表面贴装 64-LQFP TB9080 双 7V~18V 64-LQFP (10x10) 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 800 控制器 - 速度 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TA58L05S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,HY-ATQ(M -
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 ECAD 9220 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TBD62785APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785APG 1.9800
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 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～85℃ 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62785 反相 P沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 2V～50V 开/关 8 - 高边 1.6欧姆 0V～50V 通用型 400毫安
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF36 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3.6V - 1 0.245V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM45,LF(SE 0.4800
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 ECAD 3185 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 125微安 使用能够 的积极 300毫安 4.5V - 1 0.2V@300mA - 过流、过温
TBD62783AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG,EL 1.6600
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 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.276英寸，7.00毫米宽） - 待定62783 非反相 P沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 高边 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCR2EF50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF50,LM(CT 0.3300
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 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF50 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA58L09S,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S,Q(M -
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 ECAD 4147 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 9V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2EF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF36,LM(CT 0.3300
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 ECAD 6914 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF36 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCK105G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK105G,LF -
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 ECAD 1267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 负载预测，转换速率受控 TCK105 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPB (0.80x1.2) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 电流限制（固定），过温 高边 50毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1.2A
TBD62783AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFWG，EL 1.1000
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62783 非反相 P沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 高边 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TC62D722CFNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG，C，EL 4.2100
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘 线性 TC62D722 - 24-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TB62D787FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D787FTG，EL 1.4124
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 ECAD 5174 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 表面贴装 40-VFQFN 裸露焊盘 线性 TB62D787 - 40-VQFN (6x6) - 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 40毫安 24 是的 - 28V 脉宽调节 7V 0.5V～4V
TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF11,LM(CT 0.3800
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF11 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 1.3V@150mA - 过电流
TB6615PG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6615PG,8 2.3400
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 ECAD 3621 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TB6615 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 TB6615PG8 EAR99 8542.39.0001 25
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62763FMG,8,EL 0.5047
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 ECAD 8580 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 负债 表面贴装 8-SMD，写入裸露焊盘 直流稳压电源 TB62763 200kHz～2MHz 8-SON (2.9x2.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 80毫安 1 是的 升压（升压） 5.5V - 2.8V -
TA78DS05BP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6STF(M -
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 ECAD 1267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、传输
TB67S145FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S145FTG，EL 1.9179
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 ECAD 9795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S145 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 串行 半桥 (2) 3A 10V～40V 单极 - 1, 1/2
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA58LT00F(T6L1,Q) -
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 ECAD 5745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 TO-252-6，DPak（5引脚+片） TA58L 26V 可调节的 5-HSIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 0.8毫安 15毫安 使用能够 的积极 150毫安 2.5V 13.4V 1 0.6V@100mA - 过流、过温、反
TCR3UM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM12A,LF(SE 0.4700
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.2V - 1 0.857V@300mA - 过流、过温
TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A，LF（SE） 0.4700
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 ECAD 166 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第680章 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.457V@300mA - 过流、过温
TCR2EE50,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50，LM -
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 ECAD 7396 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3DM33,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，射频（SE 0.4800
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.23V@300mA - 过流、过温
TCR3DM105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105,LF(SE 0.4800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.05V - 1 0.75V@300mA - 过流、过温
TB67S109AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109AFTG，EL 3.1400
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 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S109 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 3A 10V~47V 双 - 1 ~ 1/32
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.1V - 1 0.65V@150mA - 过电流
TCR5RG09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A，LF 0.5300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG09 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 0.9V - 1 - 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG45，LF 0.1054
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 ECAD 6507 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、CSPBGA TCR3DG45 5.5V 固定的 4-WCSPE (0.65x0.65) - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 125微安 使用能够 的积极 300毫安 4.5V - 1 0.185V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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