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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA58L09S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S，Q（j。 -
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 9V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR3DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG13，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG13 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.3V - 1 0.55V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2EF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF125，LM（ct 0.0618
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.25V - 1 0.57V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG（O） -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6549 Bi-Cmos 10v〜27V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 2（2） 3.5a 10v〜27V - DC -
TB6551FG(O,EL,DRY) Toshiba Semiconductor and Storage TB6551fg（o，El，干燥） -
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6551 Bi-Cmos 6v〜10V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.31.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TBD62003AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFWG，El 0.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） - TBD62003 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG135，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5613 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG135 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.35V - 1 0.53V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TBD62783AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG，El 1.6600
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR2LN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.6V @ 150mA - 超过电流
TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE145，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE145 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.45V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage TLE4276SV -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TLE4276 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.5，F） -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 1.5V - 2.7V
TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG，C8，El 2.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK322G，LF 0.5973
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK322 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TCR3DF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30，LM（ct 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF30 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A，LF 0.1261
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 0.68 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.825V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB67H401FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG（o，El） 4.7800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67H401 Bicdmos 4.75V〜5.25V 48-VQFN （7x7） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 6a 10v〜47V - DC -
TCR2EE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE10，LM（ct -
RFQ
 ECAD 7544 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE10 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE13，LM（ct -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE13 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TBD62785AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785AFWG，El 1.6000
RFQ
 ECAD 9191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62785 反转 P通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 1.6OHM 4.5V〜50V 通用目的 500mA
TC78S600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FNG，C，El 2.0700
RFQ
 ECAD 1742年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） TC78S600 动力mosfet 2.7V〜5.5V 20ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 800mA 2.5V〜15V 双极 - 1/2、1/4、1/8、1/16
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.4V - 1 0.13V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE11 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.3V @ 150mA - 超过电流
TPD4207F,FQ Toshiba Semiconductor and Storage TPD4207F，FQ 9.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 30 SOP （0.433“，11.00mm宽度） TPD4207 动力mosfet 13.5v〜16.5V 30 SOP 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 5a 50V〜450V - DC（BLDC） -
TB7106F(T2LPP1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7106F t2lpp1，Q） -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TB7106 20V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 380kHz 积极的 是的 3a 0.8V 18V 4.5V
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP，HOTIF （M -
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TA58L12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S，Q（j -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCK106AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK106 不转变 P通道 1：1 4-WCSPD（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 34mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TB67S249FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S249FTG，El 5.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67S249 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-VQFN （7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 4.5a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TB67S145FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S145FTG，El 1.9179
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S145 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 系列 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1，1/2
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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