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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 - 输入（最大） 输出类型 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TA48M04F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M04F(T6L1,SNQ) -
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 ECAD 第1577章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA48M04 29V 固定的 PW-模具 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.4毫安 25毫安 - 的积极 500毫安 4V - 1 0.65V@500mA 68分贝（120赫兹） 过流、过温、过压、反
TCR15AG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG33，LF 0.6400
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 ECAD 3004 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG33 6V 固定的 6-WCSP (1.2x0.80) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 3.3V - 1 0.648V@1.5A 95dB～60dB（1kHz） 电流限制、热关断、UVLO
TCR2LN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33，LF 0.3500
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 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN33 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.3V - 1 0.28V@150mA - 过电流
TB62216FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FNG,C8,EL 2.8000
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-TFSOP（0.240"，6.10mm宽）裸露焊盘 TB62216 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 2A 10V～38V - 有刷直流 -
TAR5S40(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S40(TE85L,F) 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5S40 15V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 开/关 的积极 200毫安 4V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA48M03F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M03F(T6L1,SNQ) -
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 ECAD 8715 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 TA48M03 29V 固定的 PW-模具 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 1.4毫安 25毫安 - 的积极 500毫安 3V - 1 0.65V@500mA 70分贝（120赫兹） 过流、过温、过压、反
TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18，LSF（SE） 0.3800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TCR2LN18LSF(SETR) EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.6V@150mA - 过电流
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2PEV,AQ -
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 ECAD 6732 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085,LF(SE 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.85V - 1 1.56V@150mA - 过电流
TCR8BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10，L3F 0.4600
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 ECAD 3470 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM10 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1V - 1 0.23V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF105,LM(CT 0.3800
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 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF105 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.05V - 1 1.4V@150mA - 过电流
TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09，LF -
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 ECAD 3502 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN09 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 0.9V - 1 1.46V@150mA - 过电流
TB6615PG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6615PG,8 2.3400
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 ECAD 3621 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TB6615 16-DIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 TB6615PG8 EAR99 8542.39.0001 25
TC62D722CFNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG，C，EL 4.2100
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) - 表面贴装 24-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘 线性 TC62D722 - 24-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 90毫安 16 是的 升降台 5.5V - 3V 17V
TA58L05S,ASHIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,ASHIQ(M -
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 ECAD 5236 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 5V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TB67S145FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S145FTG，EL 1.9179
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 ECAD 9795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67S145 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 串行 半桥 (2) 3A 10V～40V 单极 - 1, 1/2
TCR3DM33,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，射频（SE 0.4800
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.23V@300mA - 过流、过温
TA78DS05BP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6STF(M -
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 ECAD 1267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78DS 33V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 1毫安 - 的积极 30毫安 5V - 1 0.3V@10mA - 过流、过温、过压、瞬态电压
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62763FMG,8,EL 0.5047
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 ECAD 8580 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 负债 表面贴装 8-SMD，写入裸露焊盘 直流稳压电源 TB62763 200kHz～2MHz 8-SON (2.9x2.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 80毫安 1 是的 升压（升压） 5.5V - 2.8V -
TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A，LF（SE） 0.4700
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 ECAD 166 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第680章 电流限制，启用 的积极 300毫安 1.8V - 1 0.457V@300mA - 过流、过温
TCR2EE50,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50，LM -
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 ECAD 7396 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 5V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2EN35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN35，LF -
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 ECAD 1876年 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN35 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.5V - 1 0.18V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR2EE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE13,LM(CT -
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 ECAD 4375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE13 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.3V - 1 - 73分贝（1kHz） 过电流
TBD62381AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFWG，EL 1.6600
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62381 - N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 1,000 4.5V~5.5V 开/关 8 - 低侧 1欧姆 0V～50V 通用型 500毫安
TB7102F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102F(TE85L,F) -
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 ECAD 7840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SMD，写入 TB7102 5.5V 可调节的 PS-8 (2.9x2.4) - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1兆赫兹 的积极 是的 1A 0.8V 4.5V 2.7V
TB67S539FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539FTG(O,EL) 1.8200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 TB67S539 NMOS 6V 32-VQFN (5x5) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (4) 2A 4.5V~34V 双 有刷直流 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A,LM(CT 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3UF36 5.5V 固定的 SMV - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 第680章 使用能够 的积极 300毫安 3.6V - 1 0.245V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TBD62785APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785APG 1.9800
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 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～85℃ 通孔 18-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 待定62785 反相 P沟道 1:1 18-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 20 2V～50V 开/关 8 - 高边 1.6欧姆 0V～50V 通用型 400毫安
TA58L09S,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S,Q(M -
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 ECAD 4147 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 9V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TBD62783AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG,EL 1.6600
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 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.276英寸，7.00毫米宽） - 待定62783 非反相 P沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 高边 - 50V（最大） 通用型 500毫安
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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