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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 故障保护 控制功能 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL，RF 1.6700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE712 4.4v〜13.2V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - -
TA78DS05CP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，6KeHF （M -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TA7291SG(O,J) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291SG（o，J） -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 通过洞 9-sip TA7291 双极 4.5V〜20V 9-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 400mA 0v〜20V - DC -
TCR2EN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en32，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR2EN32LF（SETR Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF185 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.85V - 1 0.4V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE32 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK106AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AF，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 控制率控制 TCK106 不转变 P通道 1：1 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 63mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，El 2.8700
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S521 DMO 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜34V 双极 DC 1、1/2、1/4
TA58L05S,APNQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，apnq（m -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB67S141FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141FTG，El 3.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S141 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1、1/2、1/4
TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE275 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.75V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG19 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 1.9V - 1 0.457V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE12 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.4V - 1 0.13V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR5AM08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM08，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM08 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.8V - 1 0.22V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TBD62387APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62387APG 1.8600
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） - TBD62387 反转 n通道 1：1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 20 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1.5OHM 0v〜50V 通用目的 500mA
TCR3RM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM18 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 1.8V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 1.23V @ 150mA - 超过电流
TCR2EE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE28，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE28 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6560AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG，C8，El 2.0549
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6560 下载 rohs3符合条件 TB6560AFTGC8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TB67H401FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG，El 4.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67H401 NMO，PMOS 4.75V〜5.25V 48-VQFN （7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 6a 10v〜47V 双极 DC -
TB62215AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A，LF 0.1261
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 0.68 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.825V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE145，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE145 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.45V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.85V - 1 1.56V @ 150mA - 超过电流
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE11 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.3V @ 150mA - 超过电流
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage TLE4276SV -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TLE4276 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TPD1052F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage TPD1052F，LXHF 0.4175
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 - TPD1052 不转变 P通道 - PS-8（2.9x2.4） 下载 Ear99 8542.39.0001 3,000 5v〜18V 逻辑 1 （），温度，短路 高侧 500mohm - 继电器，螺线管驱动器 -
TBD62783AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG，El 1.6600
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR3DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG13，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG13 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.3V - 1 0.55V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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