SIC
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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TBD62304AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFNG，El 0.7648
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） - TBD62304 反转 n通道 1：1 16ssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 4.5V〜5.5V 打开/关 7 - 低侧 1.5OHM （50V）） 通用目的 400mA
TA78DS05CP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP （MBS1，FM -
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR2EE50,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage tcr2ee50，lm（t -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 （1 （无限） TCR2EE50LM（t Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6551FAG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FAG，C，8，El 3.2800
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6551 Bi-Cmos 6v〜10V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR2EN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en32，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR2EN32LF（SETR Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TCK323G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK323G，LF 1.5000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK323 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TC78S121FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FNG，El 1.8494
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TC78S121 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 2a 8v〜38V 双极 DC -
TBD62183AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tbd62183afng，el 1.2000
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62183 反转 n通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 2.8V〜25V - 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 50mA
TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G，LF 0.6200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP TCK401 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 - 0.4V，1.6V - 0.2ms，1.5µs
TCR3UM30A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um30a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 3V - 1 0.273V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF28，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF28 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.38V @ 150mA - 超过电流
TPD2017FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TPD2017FN，L1F s 4.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TPD2017 不转变 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 （（），高温 低侧 1欧姆 0.8V〜2V 继电器，螺线管驱动器 500mA
TCR8BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM18A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR8BM18AL3FCT Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.8V - 1 0.305V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR3DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG36，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 3.6V - 1 0.185V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE20，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE20 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF285，LM（ct 0.0618
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF285 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE15，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 5651 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE15 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 1.13V @ 150mA - 超过电流
TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF105，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF105 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TCR3UF20A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF20A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF20 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA - 积极的 300mA 2V - 1 0.412V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UF19A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF19A，LM （CT 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF19 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR3UF19ALM（tr Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 1.9V - 1 0.464V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A，LF -
RFQ
 ECAD 5897 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 0.9V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um12a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 580 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.2V - 1 0.857V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR3DM33,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，RF （Se 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2LN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20，LF -
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN20 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.95V - 1 1.48V @ 150mA - 超过电流
TCK2065G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK2065G，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK2065 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （），高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 1.11a
TPD4162F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4162F，LF 2.4947
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C 通用目的 表面安装 62 SOP （0.331英寸，8.40mm宽度）裸露的垫子，31条线索 TPD4162 IGBT 13.5v〜17.5V P-HSSOP31-0918-0.80-002 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 高侧 700mA 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR2EN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en10，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN10 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 0.75V @ 150mA - 超过电流
TB67H480FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H480FNG，El 2.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽） DMO 8.2V〜44V 28-htssop 下载 （1 （无限） 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 打开/关 （4） 2.5a 8.2V〜44V 双极 DC 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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