SIC
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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCK107G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107G，LF -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga 负载排放，控制率 TCK107 不转变 P通道 1：1 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 49mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TC78S121FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TC78S121 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 2a 8v〜38V 双极 DC -
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF28 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.342V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA48S09AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S09AF （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA48S09 16V 固定的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma 使能够 积极的 1a 9V - 1 0.69V @ 1a （典型） 55dB （120Hz） 在电流上超过温度
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103AF （TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.6V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 6a 0.8V 5.6V 2.7V
TCK106AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK106AF，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 控制率控制 TCK106 不转变 P通道 1：1 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 63mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR2EE185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE185，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE185 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.85V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA78L008AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP，f（j -
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP （6TOJ，AF -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L012 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 41dB（120Hz） 超过电流
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTG，El 1.1819
RFQ
 ECAD 1525年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.4a 10v〜38V 双极 DC 1、1/2、1/4
TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084APG 1.4900
RFQ
 ECAD 517 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62084 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TB62218AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFNG，C8，El 1.4487
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TA58M06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S，Q（j。 -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 6V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05 YNS，AQ） -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500µA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF20 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2EF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF30，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF30 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um33a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 3.3V - 1 0.273V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB67S101ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S101ANG 4.5000
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 24-SDIP （0.300英寸，7.62mm） TB67S101 动力mosfet 4.75V〜5.25V 24-SDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB67S101ANG（O） Ear99 8542.39.0001 20 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 4a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage tar5s33ute85lf 0.5000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S33 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK421 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 同步 高侧和低侧 2 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
TBD62381APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381APG 1.9400
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62381 - n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1欧姆 0v〜50V 通用目的 500mA
TCK128BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 负载排放，控制率 TCK128 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM11，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 1.1V - 1 0.25V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2EF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF15，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 0.39V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31，LM 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE31 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TA48033BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48033BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48033 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 3.3V - 1 0.69V @ 1a （典型） 62dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M10 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.2 ma 80 ma - 积极的 500mA 10V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCR3DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG12，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG12 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - 积极的 300mA 1.2V - 1 0.6V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62083AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 40 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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