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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 故障保护 控制特性 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG，EL 1.1900
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 ECAD 5405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62083 反相 N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TBD62004AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFNG，EL 0.4687
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 ECAD 1404 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62004 反相 N沟道 1:1 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22912G,LF 0.5100
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 ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP - TCK22912 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、逆向电流、UVLO 高边 31毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 1.2V - 1 0.8V@100mA 85dB～50dB（1kHz～100kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TB62213AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG,C8,EL 1.7398
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 ECAD 3295 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62213 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2.4A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6F(J -
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 ECAD 9170 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TCR8BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10A,L3F 0.4900
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 ECAD 9139 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM10 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1V - 1 0.23V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14,LM(CT 0.3300
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF14 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.4V - 1 0.42V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A，LF 0.5300
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFBGA、WLCSP TCR5RG28 5.5V 固定的 4-WCSPF (0.65x0.65) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 13微安 - 的积极 500毫安 2.8V - 1 0.21V@500mA 100dB～59dB（1kHz～1MHz） 过流、过温
TB62208FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG,8,EL -
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 ECAD 7218 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 28-BSOP（0.346英寸，8.80毫米宽）+ 2个笔记本片 TB62208 DMOS 4.5V~5.5V 28-HSOP 下载 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 1,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 1.8A 10V～38V 双 - 1, 1/2
TCR2EN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN36,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.18V@150mA - 过电流
TBD62502AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFNG，EL 1.0600
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，C8，EL 1.1958
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 ECAD 9899 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62214 DMOS 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK303G,LF 1.3200
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 9-UFBGA、WLCSP 转换速率控制，状态标志 TCK303 - N沟道 1:1 9-WCSP (1.5x1.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、过压、逆流、U 高边 73毫欧 2.3V~28V 通用型 3A
TCR15AG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG33，LF 0.6400
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 ECAD 3004 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15AG33 6V 固定的 6-WCSP (1.2x0.80) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 3.3V - 1 0.648V@1.5A 95dB～60dB（1kHz） 电流限制、热关断、UVLO
TA58M05S,KDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S,KDQ(M -
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 ECAD 2978 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500μA 5V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TA78L018AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,WNLF(J -
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 ECAD 7079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L018 40V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 18V - 1 1.7V@40mA（典型值） 38分贝（120赫兹） 过电流
TCR3UM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM10A,LF(SE 0.4700
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 第580章 电流限制，启用 的积极 300毫安 1V - 1 1.057V@300mA - 过流、过温
TCR2LN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.36V@150mA - 过电流
TB67H400AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFTG，EL 3.4100
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 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB67H400 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 毛量、脉宽调制 半桥 (4) 6A 10V~47V - 有刷直流 -
TCR2EN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21，LF 0.0896
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 ECAD 5019 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EN 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2EN21 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 2.1V - 1 0.29V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TC78S122FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FTG，EL 1.5754
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 ECAD 6970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TC78S122 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 2A 8V~38V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR3DF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF125,LM(CT 0.0906
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 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR3DF125 5.5V 固定的 SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 使用能够 的积极 300毫安 1.25V - 1 0.62V@300mA 70分贝（1kHz） 浪涌电流、过流、过温
TBD62083AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG -
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 ECAD 3773 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.276英寸，7.00毫米宽） - 待定62083 反相 N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 40 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083FTG(EL) 8.2600
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 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～150℃（TA） 通用型 表面贴装，可湿侧面 48-VFQFN 裸露焊盘 功率MOSFET 3V～5.5V、4.5V～28V 48-VQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 当前管理 SPI 预驱动器 - 半桥 (3) - - 多相 无刷直流 (BLDC) -
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AF、LF 0.4800
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 ECAD 85 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 负载预测，转换速率受控 TCK108 反相 P沟道 1:1 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 - 高边 63毫欧 1.1V～5.5V 通用型 1A
TA76432S(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S(女,男) -
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 ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76432 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41,LM(CT 0.3500
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 ECAD 233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE41 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 4.1V - 1 0.2V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TA58M06S,MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S,MTDQ(J -
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 ECAD 5672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58M06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 80毫安 - 的积极 500毫安 6V - 1 0.65V@500mA - 过流、过温、反
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291P(O) -
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 ECAD 3971 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C ~ 75°C (TA) 通用型 通孔 10-SIP裸露标签 TA7291 双 4.5V～20V 10-HSIP - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 22 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 1A 0V～20V - 有刷直流 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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