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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG08 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 0.8V - 1 1.257V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0.1804
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S28 15V 固定的 UFV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EE50,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage tcr2ee50，lm（t -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 （1 （无限） TCR2EE50LM（t Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18，LM（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE18 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TC62D749CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG，C，El，b -
RFQ
 ECAD 2473 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D749 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF27 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.7V - 1 0.31V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TB67S111PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage TB67S111PG，HJ 4.5900
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB67S111 动力mosfet 4.75V〜5.25V 16二滴 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 1,000 司机 平行线 2（2） 1.5a 0v〜80V 单极 - -
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE32 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK22972G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22972G，LF 0.1807
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22972 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S，Q（j -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 6V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB67S128FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG，El 7.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 64-VFQFN暴露垫 TB67S128 动力mosfet 4.75V〜5.25V 64-VQFN（9x9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 半桥 5a 6.5V〜44V 双极 DC（BLDC） 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/128
TCR2EE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE285，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE285 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UG27A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG27A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG27 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.7V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCK22922G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22922G，LF 0.1675
RFQ
 ECAD 9167 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK22922 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S（t6psetemf -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） TA76431ST6PSETEMF Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B，LM（ct 0.4800
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 3,000
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TB62757FUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62757FUG，EL -
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 SOT-23-6 DC DC调节器 TB62757 1.1MHz SOT-23-6 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
TA76431S,MEIDENF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，Meidenf （m -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22912G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP - TCK22912 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage tar5s33ute85lf 0.5000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S33 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM18 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCK22971G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22971G，LF 0.5500
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22971 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR3DF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF45，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF45 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 125 µA 使能够 积极的 300mA 4.5V - 1 0.22V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62003 反转 n通道 1：1 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62003APG（Z，Hz） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR5SB30A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB30A （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR5SB30 6V 固定的 SMV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 使能够 积极的 150mA 3V - 1 0.19V @ 50mA 80dB （1KHz） 超过电流
TCR3RM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM28 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 2.8V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF10 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1V - 1 0.77V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB62779FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62779FNG，El -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） 线性 TB62779 - 20ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 9 是的 - 5.5V PWM 3V 4V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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