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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TBD62004AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFNG，EL 0.4687
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 ECAD 1404 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62004 反相 N沟道 1:1 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TBD62502AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFNG，EL 1.0600
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62502 反相 N沟道 1:1 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TB62213AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG,C8,EL 1.7398
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 ECAD 3295 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62213 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2.4A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22912G,LF 0.5100
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 ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP - TCK22912 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、逆向电流、UVLO 高边 31毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 - 的积极 200毫安 1.2V - 1 0.8V@100mA 85dB～50dB（1kHz～100kHz） 浪涌电流、过流、热关断
TB62214AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG，C8，EL 1.1958
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 ECAD 9899 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TB62214 DMOS 4.75V～5.25V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (4) 2A 10V～38V 双 - 1、1/2、1/4
TCK22972G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22972G，LF 0.1807
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 ECAD 7624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 6-UFBGA、WLCSP 转换速率受控 TCK22972 非反相 P沟道 1:1 6-WCSPE (0.80x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 25毫欧 1.1V～5.5V 通用型 2A
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14,LM(CT 0.3300
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF14 5.5V 固定的 SMV 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.4V - 1 0.42V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TAR5S25U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S25U(TE85L,F) 0.5000
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 15V 固定的 超短波病毒 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 使用能够 的积极 200毫安 2.5V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG，EL 1.1900
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 ECAD 5405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62083 反相 N沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 500毫安
TCR2EN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN36,LF(SE 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.18V@150mA - 过电流
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S,Q(J -
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 ECAD 9072 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76L431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TC78H610FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H610FNG，EL 0.7509
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 ECAD 6522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） TC78H610 DMOS 2.7V～5.5V 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (2) 800毫安 2.5V～15V - 有刷直流 -
TCR8BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105A,L3F 0.4600
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 ECAD 6505 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM105 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 使用能够 的积极 800毫安 1.05V - 1 0.24V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定
TA78L005AP,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6NSF(J -
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 ECAD 3616 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TCR5AM105A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105A，LF 0.1344
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 ECAD 5403 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5AM 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR5AM105 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 55微安 使用能够 的积极 500毫安 1.05V - 1 0.25V@500mA 70dB～40dB（1kHz～10Hz） 过流、过温、欠压锁定
TB6551FAG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FAG,C,8,EL 3.2800
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 ECAD 9582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～115℃（TA） 风扇控制器 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） TB6551 双CMOS 6V～10V 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TA76431S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S,T6MURAF(J -
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 ECAD 3381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR2EE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE19,LM(CT 0.0680
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 ECAD 4290 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.9V - 1 0.31V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TB6575FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6575FNG,C,8,EL 2.9800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～105℃（TA） 通用型 表面贴装 24-LSSOP（0.220英寸，5.60毫米宽） TB6575 互补金属O化物半导体 4.5V~5.5V 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.31.0001 2,000 控制器 - 换向、方向管理 平行线 预驱动器 - 半桥 (3) - - - 无刷直流 (BLDC) -
TCA62724FMG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TCA62724FMG,EL -
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 ECAD 7458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 负债 表面贴装 10-SMD，写入 线性 TCA62724 - 10-SON (3x3) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 150毫安 3 是的 - 5.5V 脉宽调节 2.8V -
TBD62304AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFWG，EL 1.1500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） - 待定62304 反相 N沟道 1:1 16-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 4.5V~5.5V 开/关 7 - 低侧 1.5欧姆 50V（最大） 通用型 400毫安
TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG，EL 1.5300
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 通用型 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 TB67H451 双CDMOS - 8-HSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TB67H451AFNGELCT EAR99 8542.39.0001 3,500人 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 3.5A 4.5V~44V 双 有刷直流 -
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6F(J -
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 ECAD 9170 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L005 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6毫安 - 的积极 150毫安 5V - 1 1.7V@40mA（典型值） 49分贝（120赫兹） -
TCR8BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10A,L3F 0.4900
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 ECAD 9139 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM10 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1V - 1 0.23V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定
TCR2LF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF27,LM(CT 0.0721
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 ECAD 4075 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF27 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.7V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A,L3F 0.4900
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 ECAD 2328 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.2V - 1 0.26V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG，EL 3.1400
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 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB67S508 DMOS 2V～5.5V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 司机 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) 3A 10V～35V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR3RM285A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A，LF（SE） 0.4600
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM285 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.15V@300mA - 过流、过温
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ,LF 0.7000
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 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15 5.5V 可调节的 6-WCSPF (0.80x1.2) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 0.6V 3.6V 1 0.216V@1.5A 95分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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