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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB6586FG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG，El，干燥 -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.31.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TBD62084AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFNG，El 1.4000
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62084 反转 n通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR15AG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG10，LF 0.2531
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG10 5.5V 固定的 6-WCSPF（0.80x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1V - 1 0.228V @ 1.5A 95dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TC78B002FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FNG，El 0.6056
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 风扇运动驱动器 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78B002 DMO 3.5V〜16V 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 1.5a 3.5V〜16V - DC（BLDC） -
TB67S209FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S209FTG（o，El） 3.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S209 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TB6551FAG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FAG，C，8，El 3.2800
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6551 Bi-Cmos 6v〜10V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TA58M06S,MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S，MTDQ（j -
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 6V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.05V - 1 0.24V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TBD62308AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308AFAG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TBD62308 反转 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 4.5V〜5.5V 打开/关 4 - 低侧 370MOHM （50V）） 通用目的 1.5a
TCR2LN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13，LF -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN13 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.11V @ 150mA - 超过电流
TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM33A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 3.3V - 1 0.285V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCK206G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK206G，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 3522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 控制率控制 TCK206 不转变 n通道 1：1 4-WCSP（0.90x0.90） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 18.1MOHM 0.75V〜3.6V 通用目的 2a
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN125 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.25V - 1 0.55V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB62216FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FNG，C8，El 2.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L24F te12l，f） -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 TO-243AA TA78L24 40V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 24V - 1 - 35DB （120Hz） 在电流上超过温度
TCR2EN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN25 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28，LM（ct 0.0927
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF28 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA58M06S,MTDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S，MTDQ （M -
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 6V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCR5AM105A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105A，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 5403 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 使能够 积极的 500mA 1.05V - 1 0.25V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TB62779FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62779FNG，El -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） 线性 TB62779 - 20ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 9 是的 - 5.5V PWM 3V 4V
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR4DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG18，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 3896 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG18 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 1.8V - 1 0.473V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM11，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM11 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 1.1V - 1 0.25V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TBD62381APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381APG 1.9400
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62381 - n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1欧姆 0v〜50V 通用目的 500mA
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M10 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.2 ma 80 ma - 积极的 500mA 10V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK421 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 同步 高侧和低侧 2 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
TCR2EF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF15，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 0.39V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR3DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG12，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG12 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - 积极的 300mA 1.2V - 1 0.6V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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