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（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM18A，RF 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 2.2 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.8V - 1 0.445V @ 200mA - 在电流上超过温度
TC78B006FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FNG，El 0.6922
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78B006 动力mosfet 3.5V〜16V 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） - - - DC（BLDC） -
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF185 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.85V - 1 0.4V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TBD62089APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62089APG 1.6600
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） - TBD62089 不转变 n通道 1：1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 800 3v〜5.5V - 8 - 低侧 1.6OHM （50V）） 通用目的 500mA
TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084APG 1.4900
RFQ
 ECAD 517 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62084 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK402G，LF 0.6200
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP TCK402 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 低侧 1 - 0.4V，1.6V - 0.2ms，1.5µs
TCV7103F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103F te12l，Q） -
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 5a 0.8V 5.5V 2.7V
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S，T6F（j -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TA4809BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4809BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA4809 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 9V - 1 0.69V @ 1a （典型） 55dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA76431S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，T6WNLF（j。 -
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S（t6soy，水溶液 -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28，LM（ct 0.0927
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF28 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG35，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG35 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 3.5V - 1 0.215V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TB6641FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb6641ftg，8，el 1.1263
RFQ
 ECAD 3247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TB6641 动力mosfet 10V〜45V 32-VQFN （5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 1.5a 10V〜45V - DC -
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TB67S508 DMO 2v〜5.5V 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） 3a 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 1.2V - 1 0.8V @ 100mA 85DB〜50DB （1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TA76431S,MEIDENF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，Meidenf （m -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22912G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP - TCK22912 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流，uvlo 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage tar5s33ute85lf 0.5000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S33 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18，LF 0.3700
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM18 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCK22971G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22971G，LF 0.5500
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22971 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR3DF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF45，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF45 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 125 µA 使能够 积极的 300mA 4.5V - 1 0.22V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62003 反转 n通道 1：1 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TBD62003APG（Z，Hz） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TCR5SB30A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB30A （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR5SB30 6V 固定的 SMV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 使能够 积极的 150mA 3V - 1 0.19V @ 50mA 80dB （1KHz） 超过电流
TCR3RM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM28 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 2.8V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF10 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1V - 1 0.77V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB62779FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62779FNG，El -
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） 线性 TB62779 - 20ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 9 是的 - 5.5V PWM 3V 4V
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TA58L12S,ASHIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S，Ashiq（j -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN25，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN25 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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