SIC
close

（PMIC）（1138）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 sic可编程 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 功能 电流 -输出 /通道 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 频道类型 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG28，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG28 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 2.8V - 1 0.12V @ 100mA - 电流电流，超过电流的热关机
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S，T6F（j -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62213AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG，8，El 1.8458
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TA78L015AP(TPE6,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP （TPE6，FM -
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L015 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 40dB （120Hz） 在电流上超过温度
TCR2EN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN21 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.29V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCV7100AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100AF （TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 4873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 800kHz 积极的 是的 2.5a 0.8V 5.5V 2.7V
TCR3DF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF125，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF125 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.25V - 1 0.62V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TA78L005AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，HOTIF（m -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TCR2EN36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN36，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN36 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC78B015AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015AFTG，El 3.6300
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TC78B015 CMOS 6v〜30v 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 司机 PWM，系列 3（3） 3a 36V 多相 DC（BLDC） -
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 3V - 1 0.285V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TB67S149HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149HG 6.6200
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67S149 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1〜1/32
TBD62308AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308AFAG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TBD62308 反转 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 4.5V〜5.5V 打开/关 4 - 低侧 370MOHM （50V）） 通用目的 1.5a
TC78B002FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FNG，El 0.6056
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 风扇运动驱动器 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78B002 DMO 3.5V〜16V 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 1.5a 3.5V〜16V - DC（BLDC） -
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN32 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA - 在电流上超过温度
TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 - TBD62064 反转 n通道 1：1 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500 不需要 打开/关 4 - 低侧 430MOHM （50V）） 通用目的 1.25a
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105，L3F 0.4100
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 使能够 积极的 500mA 1.05V - 1 0.14V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG10，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG10 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - 积极的 300mA 1V - 1 0.75V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta76431s，f（j -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TPD7107F,BXH Toshiba Semiconductor and Storage TPD7107F，BXH 1.3254
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TPD7107 不转变 未行业行业经验证 5.75V〜26V 10-wson（3x3） 下载 Ear99 8542.39.0001 4,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.6V，2.4V 5mA -
TC78H610FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H610FNG，El 0.7509
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78H610 DMO 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 800mA 2.5V〜15V - DC -
TB62757FUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62757FUG，EL -
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 SOT-23-6 DC DC调节器 TB62757 1.1MHz SOT-23-6 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
TA78DS08BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP，f（j -
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L12BP -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1
TCR2EE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE285，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE285 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC62D748CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG，C，EB -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TC62D748 - 24 SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCR2EF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF10，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF10 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 0.77V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA48M0345F(6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M0345F （6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M0345 29V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 3.45V - 1 0.65V @ 500mA 70dB（120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb6614fng，c，el -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TB6614 动力mosfet 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜13.5V - DC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭