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电源管理 (PMIC)(1138)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 当前-供应 电压 - 输入 电压 - 输入（最大） 输出类型 温度系数 其中 - 输入：输出 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 输出/通道 参考类型 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 电流 - 电源（最大） 内部开关 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 电压 - 电源（最大） 输出配置 同步调整器 当前-输出 导通电阻（典型值） 电压-负载 电机类型 - 步进 电机类型 - 交流、直流 步骤解析 调光 电压-电源（最小） 电压 - 输出 开关类型 当前-产出（最大） 电压 - 输出（最小/固定） 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 噪声 - 10Hz 至 10kHz 电压 - 输出（最大） 电压-输入（最小） 调节器数量 电压降幅（最大） 电源抑制比 保护特性
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18，LM（CT 0.4400
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 ECAD 7508 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SOT-553 TCR2LE18 5.5V 固定的 ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 1.8V - 1 0.62V@150mA - 过电流
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33,LF 0.3600
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 ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 TCR3DM33 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 65微安 78微安 使用能够 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.23V@300mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TCR2EF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF15,LM(CT 0.3300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2EF15 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.5V - 1 0.39V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33,LF(SE 0.4800
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 3.3V - 1 0.23V@300mA - 过流、过温
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A,L3F 0.4900
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 ECAD 2328 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 36微安 电流限制，启用 的积极 800毫安 1.2V - 1 0.26V@800mA 98分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TA78L009AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP,F(J -
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 ECAD 6702 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA78L009 35V 固定的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 6.5毫安 - 的积极 150毫安 9V - 1 1.7V@40mA（典型值） 44分贝（120赫兹） 过电流
TCR3RM285A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A，LF（SE） 0.4600
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-XDFN 裸露焊盘 TCR3RM285 5.5V 固定的 4-DFNC (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 12微安 电流限制，启用 的积极 300毫安 2.85V - 1 0.15V@300mA - 过流、过温
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage 起亚78L12BP -
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 ECAD 3569 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 的积极 起亚78 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ,LF 0.7000
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 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCR15 5.5V 可调节的 6-WCSPF (0.80x1.2) 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 40微安 使用能够 的积极 1.5A 0.6V 3.6V 1 0.216V@1.5A 95分贝（1kHz） 过流、过温、欠压锁定 (UVLO)
TA76431S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S,WNLF(J -
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 ECAD 3533 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TA76431S(T6NEPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(T6NEPP,AF -
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 ECAD 6843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG，EL 3.1400
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 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～85℃（TA） 通用型 表面贴装 36-VFQFN 裸露焊盘 TB67S508 DMOS 2V～5.5V 36-VQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 司机 脉宽调节 预驱动器 - 半桥 (2) 3A 10V～35V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR2LF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF27,LM(CT 0.0721
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 ECAD 4075 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TCR2LF27 5.5V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 2.7V - 1 0.38V@150mA - 过电流
TC78S121FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S121FTG，EL 3.1400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 48-VFQFN 裸露焊盘 TC78S121 功率MOSFET 4.5V~5.5V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 平行线 半桥 (8) 2A 8V~38V 双 有刷直流 -
TA58L09S,LS2PAIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S,LS2PAIQ(J -
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 ECAD 第1483章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～105℃ 通孔 TO-220-3全包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 1毫安 50毫安 - 的积极 250毫安 9V - 1 0.4V@200mA - 过流、过温
TBD62503AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFNG，EL 1.0600
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 ECAD 5309 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） - 待定62503 反相 N沟道 1:1 16-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,000 不需要 开/关 7 - 低侧 - 50V（最大） 通用型 300毫安
TA76431AS(T6SOY,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS(T6SOY,FM -
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 ECAD 4208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - - - - 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TAR5S40(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S40(TE85L,F) 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SC-74A、SOT-753 塔尔5S40 15V 固定的 SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 850微安 开/关 的积极 200毫安 4V - 1 0.2V@50mA 70分贝（1kHz） 过流、过温
TA76431S(6FJTN3,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(6FJTN3,调频 -
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 ECAD 9855 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 TA76431 - 可调节的 长短期记忆网络 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 - 的积极 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185，LF 0.1394
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 ECAD 7925 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UFBGA、WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP (0.79x0.79) - 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 3,000 70微安 使用能够 的积极 200毫安 1.85V - 1 0.19V@500mA - 过流、过温
TCK301G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK301G,LF 1.1500
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 ECAD 7356 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 9-UFBGA、WLCSP 转换速率控制，状态标志 TCK301 - N沟道 1:1 9-WCSP (1.5x1.5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 5,000 不需要 开/关 1 过温、过压、逆向电流、UVLO 高边 73毫欧 2.3V~28V 通用型 3A
TC62D748CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG,EL 1.5800
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 ECAD 5947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) LED照明 表面贴装 24-SOP（0.236英寸，6.00毫米宽） 线性 TC62D748 - 24-SSOP 下载 符合ROHS3标准 2,000 90毫安 16 不 升降台 5.5V 不 3V 17V
TCV7100AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100AF(TE12L,Q) -
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 ECAD 4873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 800kHz 的积极 是的 2.5A 0.8V 5.5V 2.7V
TCR2LN36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN36，LF -
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 ECAD 5789 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C（太焦） 表面贴装 4-XFDFN 裸露焊盘 TCR2LN36 5.5V 固定的 4-SDFN (0.8x0.8) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 2微安 使用能够 的积极 200毫安 3.6V - 1 0.28V@150mA - 过电流
TA78L10F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L10F(TE12L,F) -
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 ECAD 2002年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～85℃ 表面贴装 TO-243AA TA78L10 35V 固定的 PW-MINI (SOT-89) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 6毫安 6.5毫安 - 的积极 150毫安 10V - 1 - 43分贝（120赫兹） 过流、过温
TBD62781AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781AFWG，EL 1.5600
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 ECAD 第468章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） - 待定62781 非反相 P沟道 1:1 18-SOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 1,000 不需要 开/关 8 - 高边 1.6欧姆 50V（最大） 通用型 400毫安
TCR3DM13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM13,LF(SE 0.4800
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 ECAD 19号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-UDFN 裸露焊盘 5.5V 固定的 4-DFN (1x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 10,000 使用能够 的积极 300毫安 1.3V - 1 0.55V@300mA - 过流、过温
TB62D901FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D901FNG，EL 0.6777
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 ECAD 7626 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 TB62D901 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TB62D901FNGEL EAR99 8542.39.0001 2,000
TB62262FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTG，EL 1.1819
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 ECAD 1525 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 150°C（太焦） 器具 表面贴装 48-WFQFN 裸露焊盘 TB62262 功率MOSFET 4.75V～5.25V 48-WQFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8542.39.0001 4,000 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 脉宽调节 半桥 (4) 1.4A 10V～38V 双 有刷直流 1、1/2、1/4
TCR2EE125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE125,LM(CT 0.3500
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 ECAD 159 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 SOT-553 TCR2EE125 5.5V 固定的 ESV 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 4,000 60微安 使用能够 的积极 200毫安 1.25V - 1 0.57V@150mA 73分贝（1kHz） 过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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