记忆(54)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
M5M5V108DFP-70H	2.0000	询价	175	三星半导体公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	3V	32-SOP	-				3277-M5M5V108DFP-70H	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	70纳秒	未验证
K6X1008C2D-TF55	2.7500	询价	1	三星半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V~5.5V	32-TSOP 反向	-				3277-K6X1008C2D-TF55	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	55纳秒	未验证
K4B4G1646E-BYK000	5.0000	询价	1	三星半导体公司	*	托盘	的积极								-	符合ROHS3标准		供应商未定义	3277-K4B4G1646E-BYK000			224
K6E0808C1E-JC15T00	1.1000	询价	6	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	15纳秒	未验证
K6X0808C1D-GF55000	3.7500	询价	10	三星半导体公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V~5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-GF55000	EAR99	8542.32.0041	250		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	55纳秒	未验证
K6X0808C1D-BF70	5.0000	询价	17号	三星半导体公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V~5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-BF70	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	70纳秒	未验证
K6R1008C1D-TC10T00	1.5000	询价	1	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	32-TSOP II	-				3277-K6R1008C1D-TC10T00TR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	10纳秒	未验证
K6R1008C1C-JC10T	1.5000	询价	6	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	32-SOJ	-				3277-K6R1008C1C-JC10TTR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	10纳秒	未验证
K6X0808C1D-BF70T	3.5000	询价	6	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V~5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-BF70TTR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	70纳秒	未验证
KM616BV4002J-12	15.0000	询价	925	三星半导体公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	36-SOJ	-				3277-KM616BV4002J-12	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	256K×16	平行线	12纳秒	未验证
KM68V1002CJ-15T	2.0000	询价	2	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	3.3V	32-SOJ	-				3277-KM68V1002CJ-15TTR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	15纳秒	未验证
K6X4008C1F-MF55	5.0000	询价	3	三星半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V~5.5V	32-TSOP 反向	-				3277-K6X4008C1F-MF55	EAR99	8542.32.0041	250		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	512K×8	平行线	55纳秒	未验证
K9F8008W0M-TCB0	0.7500	询价	21	三星半导体公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃	表面贴装			附件 - NAND (SLC)	2.7V～5.5V	48-TSOP	-				3277-K9F8008W0M-TCB0	EAR99	8542.32.0071	第480章		非活跃性	8兆比特		闪光	1M×8	平行线		未验证
K4S510432D-UC75T00	10.0000	询价	18	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	K4S510432D	内存	3V～3.6V	54-TSOP II	下载		3（168小时）	供应商未定义	3277-K4S510432D-UC75T00TR	EAR99	8542.32.0028	100	133兆赫	易挥发的	512兆比特	65纳秒	动态随机存取存储器	128M×4	左心室TTL	-
K6X0808C1D-GF55T	3.7500	询价	1	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	4.5V~5.5V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-GF55TTR	EAR99	8542.32.0041	250		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	55纳秒	未验证
K6E0808C1E-JC15T00。	1.1000	询价	124	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00.TR	EAR99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	15纳秒	未验证
K6E0804C1E-JC15T00	1.2500	询价	109	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0804C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	64K×4	平行线	15纳秒	未验证
MT58L64L32PT7.5	5.0000	询价	500	三星半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 同步	3.3V	100-TQFP	-				3277-MT58L64L32PT7.5	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	2兆比特		静态随机存储器	64K×32	平行线	7.5纳秒	未验证
K6F3216U6M-EF70T	7.5000	询价	800	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	2.7V~3.6V	55-TFBGA (7.5x12)	-				3277-K6F3216U6M-EF70TTR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	32兆比特		静态随机存储器	2M×16	平行线	70纳秒	未验证
K6E0808C1E-JC15000	1.0000	询价	3	三星半导体公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15000	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	15纳秒	未验证
K6E0808C1E-JC12	1.0000	询价	4	三星半导体公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC12	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256Kbit		静态随机存储器	32K×8	平行线	12纳秒	未验证
K4F6E3S4HM-MGCJ	11.0000	询价	1	三星半导体公司	-	托盘	的积极								-	符合ROHS3标准			3277-K4F6E3S4HM-MGCJ			1,280人
KM681002BJ-10T	2.5000	询价	5	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装			SRAM - 异步	5V	32-SOJ	-				3277-KM681002BJ-10TTR	EAR99	8542.32.0041	100		易挥发的	1兆比特		静态随机存储器	128K×8	平行线	10纳秒	未验证
K6F4016R4E-EF85T00	2.5000	询价	4	三星半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装			SRAM - 异步	1.65V～2.2V	48-TFBGA (6x7)	-				3277-K6F4016R4E-EF85T00TR	EAR99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4兆比特		静态随机存储器	256K×16	平行线	85纳秒	未验证

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

记忆(54)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²