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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
K6X0808C1D-GF70000 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-GF70000 3.7500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 三星半导体公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 4.5V〜5.5V 28 SOP - 3277-K6X0808C1D-GF70000 Ear99 8542.32.0041 250 易挥发的 256kbit SRAM 32K x 8 平行线 70NS 未行业行业经验证
K4S510432D-UC75 Samsung Semiconductor, Inc. K4S510432D-UC75 12.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 三星半导体公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) K4S510432D Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 3(168)) 供应商不确定 3277-K4S510432D-UC75 Ear99 8542.32.0028 960 133 MHz 易挥发的 512Mbit 65 ns 德拉姆 128m x 4 lvttl -
K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. K4A4G085WE-BCRC 4.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 三星半导体公司 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 供应商不确定 3277-K4A4G085WE-BCRCTR 250
K6R1008V1C-JC12000 Samsung Semiconductor, Inc. K6R1008V1C-JC12000 1.5000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 三星半导体公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 3.3V 32-soj - 3277-K6R1008V1C-JC12000 Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 1Mbit SRAM 128K x 8 平行线 12ns 未行业行业经验证
K6T4008C1C-GL55T Samsung Semiconductor, Inc. K6T4008C1C-GL55T 4.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 5V 32 SOP - 3277-K6T4008C1C-GL55TTR Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit SRAM 512k x 8 平行线 55ns 未行业行业经验证
K6X0808C1D-GF55T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-GF55T00 3.7500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 4.5V〜5.5V 28 SOP - 3277-K6X0808C1D-GF55T00TR Ear99 8542.32.0041 250 易挥发的 256kbit SRAM 32K x 8 平行线 55ns 未行业行业经验证
K6R1008C1D-TC10 Samsung Semiconductor, Inc. K6R1008C1D-TC10 1.6000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 三星半导体公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 5V 32-TSOP II - 3277-K6R1008C1D-TC10 Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 1Mbit SRAM 128K x 8 平行线 10NS 未行业行业经验证
K6X0808C1D-GF70T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-GF70T00 3.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 4.5V〜5.5V 28 SOP - 3277-K6X0808C1D-GF70T00TR Ear99 8542.32.0041 250 易挥发的 256kbit SRAM 32K x 8 平行线 70NS 未行业行业经验证
K6R4004C1D-JC10T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6R4004C1D-JC10T00 3.5000
RFQ
ECAD 239 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 5V - 3277-K6R4004C1D-JC10T00TR Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 4Mbit SRAM 1m x 4 平行线 10NS 未行业行业经验证
K6F4008U2D-FF70 Samsung Semiconductor, Inc. K6F4008U2D-FF70 2.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 2.7V〜3.6V 48-FBGA - 3277-K6F4008U2D-FF70TR Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 4Mbit SRAM 512k x 8 平行线 70NS 未行业行业经验证
KM68V1002CJ-15 Samsung Semiconductor, Inc. KM68V1002CJ-15 2.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 三星半导体公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 3.3V 32-soj - 3277-KM68V1002CJ-15 Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 1Mbit SRAM 128K x 8 平行线 15ns 未行业行业经验证
K6F1616U6A-EF55T Samsung Semiconductor, Inc. K6F1616U6A-EF55T 6.5000
RFQ
ECAD 650 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(7.5x9.5) - 3277-K6F1616U6A-EF55TTR Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 16mbit SRAM 1m x 16 平行线 55ns 未行业行业经验证
K6X0808C1D-BF55 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-BF55 6.0000
RFQ
ECAD 806 0.00000000 三星半导体公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 4.5V〜5.5V 28 SOP - 3277-K6X0808C1D-BF55 Ear99 8542.32.0041 25 易挥发的 256kbit SRAM 32K x 8 平行线 55ns 未行业行业经验证
K6F4016U4E-EF70T Samsung Semiconductor, Inc. K6F4016U4E-EF70T 2.0000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 2.7V〜3.3V 48-tfbga(6x7) - 3277-K6F4016U4E-EF70TTR Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit SRAM 256K x 16 平行线 70NS 未行业行业经验证
K4B1G1646I-BYMA000 Samsung Semiconductor, Inc. K4B1G1646I-BYMA000 4.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 三星半导体公司 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 供应商不确定 3277-K4B1G1646I-BYMA000 224
MCM6729DWJ-10R Samsung Semiconductor, Inc. MCM6729DWJ-10R 15.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 5V 32-soj - 3277-MCM6729DWJ-10RTR Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 1Mbit SRAM 256K x 4 平行线 10NS 未行业行业经验证
K9F8008WOM-TCB Samsung Semiconductor, Inc. K9F8008WOM-TCB 0.7500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 三星半导体公司 - 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 Flash -nand(slc) 2.7V〜5.5V 48-TSOP - 3277-K9F8008WOM-TCB Ear99 8542.32.0071 480 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 平行线 未行业行业经验证
K6T1008V2E-TF70 Samsung Semiconductor, Inc. K6T1008V2E-TF70 2.0000
RFQ
ECAD 720 0.00000000 三星半导体公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 3.3V 32-tsop - 3277-K6T1008V2E-TF70 Ear99 8542.32.0041 720 易挥发的 1Mbit SRAM 128K x 8 平行线 70NS 未行业行业经验证
K6X4008C1F-MF55T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6X4008C1F-MF55T00 4.8000
RFQ
ECAD 52 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-tsop反向 - 3277-K6X4008C1F-MF55T00TR Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit SRAM 512k x 8 平行线 55ns 未行业行业经验证
K6R1016C1D-TI10T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6R1016C1D-TI10T00 6.5000
RFQ
ECAD 69 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 5V 44-TSOP II - 3277-K6R1016C1D-TI10T00TR Ear99 8542.32.0041 50 易挥发的 1Mbit SRAM 64k x 16 平行线 10NS 未行业行业经验证
K6E0808C1E-JC12T Samsung Semiconductor, Inc. K6E0808C1E-JC12T 1.1000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 5V 28-soj - 3277-K6E0808C1E-JC12TTR Ear99 8542.32.0041 2,000 易挥发的 256kbit SRAM 32K x 8 平行线 12ns 未行业行业经验证
K6X1008C2D-TF55 Samsung Semiconductor, Inc. K6X1008C2D-TF55 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 三星半导体公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-tsop反向 - 3277-K6X1008C2D-TF55 Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 1Mbit SRAM 128K x 8 平行线 55ns 未行业行业经验证
K6F2016U4D-FF70T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6F2016U4D-FF70T00 1.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 2.7V〜3.6V 48-fbga(6x7) - 3277-K6F2016U4D-FF70T00TR Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 2Mbit SRAM 128K x 16 平行线 70NS 未行业行业经验证
MT58L64L32FT-10 Samsung Semiconductor, Inc. MT58L64L32FT-10 4.5000
RFQ
ECAD 360 0.00000000 三星半导体公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-同步 3.3V 100-TQFP - 3277-MT58L64L32FT-10 Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 2Mbit SRAM 64k x 32 平行线 10NS 未行业行业经验证
K6F2016U4E-EF70T Samsung Semiconductor, Inc. K6F2016U4E-EF70T 1.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 2.7V〜3.6V 48-tfbga(6x7) - 3277-K6F2016U4E-EF70TTR Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 2Mbit SRAM 128K x 16 平行线 70NS 未行业行业经验证
K6X0808C1D-BF70 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-BF70 5.0000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 三星半导体公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 4.5V〜5.5V 28 SOP - 3277-K6X0808C1D-BF70 Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 256kbit SRAM 32K x 8 平行线 70NS 未行业行业经验证
K4F8E304HB-MGCJ Samsung Semiconductor, Inc. K4F8E304HB-MGCJ 6.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 三星半导体公司 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 3277-K4F8E304HB-MGCJ 128
K6T1008V2E-TF70T Samsung Semiconductor, Inc. K6T1008V2E-TF70T 1.8000
RFQ
ECAD 46 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 sram-异步 3.3V 32-tsop - 3277-K6T1008V2E-TF70TTR Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1Mbit SRAM 128K x 8 平行线 70NS 未行业行业经验证
K6T4008C1C-GL55T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6T4008C1C-GL55T00 4.5000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 三星半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 5V 32 SOP - 3277-K6T4008C1C-GL55T00TR Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 4Mbit SRAM 512k x 8 平行线 55ns 未行业行业经验证
M5M5V108DFP-70H Samsung Semiconductor, Inc. M5M5V108DFP-70H 2.0000
RFQ
ECAD 175 0.00000000 三星半导体公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 sram-异步 3V 32 SOP - 3277-M5M5V108DFP-70H Ear99 8542.32.0041 100 易挥发的 1Mbit SRAM 128K x 8 平行线 70NS 未行业行业经验证
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库