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记忆(77)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页
EM6GE08EW9G-10IH Etron Technology, Inc. EM6GE08EW9G-10IH 8.2800
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 ECAD 1530 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 78-TFBGA EM6GE08 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 78-FBGA (7.5x10.6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 平行线 15纳秒
EM6HF16EBXB-12SH Etron Technology, Inc. EM6HF16EBXB-12SH 26.2900
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 ECAD 100 0.00000000 钰创科技股份有限公司 * 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0036 2,000
EM6AA160TSE-4IG Etron Technology, Inc. EM6AA160TSE-4IG 2.1024
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 ECAD 8219 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 66-TSSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） EM6AA160 SDRAM-DDR 2.3V~2.7V 66-TSOP II 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6AA160TSE-4IGTR EAR99 8542.32.0024 1,000 250兆赫 易挥发的 256兆比特 700皮秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 15纳秒
EM68A16CBQC-25IH Etron Technology, Inc. EM68A16CBQC-25IH 3.3000
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 ECAD 2 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 84-TFBGA EM68A16 SDRAM-DDR2 1.7V~1.9V 84-FBGA (8x12.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0024 2,500人 400兆赫 易挥发的 256兆比特 400皮秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 15纳秒
EM6AC160TSA-4IG Etron Technology, Inc. EM6AC160TSA-4IG -
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 ECAD 6677 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 66-TSSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） EM6AC160 SDRAM-DDR 2.3V~2.7V 66-TSOP II - 符合ROHS3标准 3（168小时） 过时的 1,000 250兆赫 易挥发的 1Gbit 700皮秒 动态随机存取存储器 64米×16 SSTL_2 15纳秒
EM68D16CBQC-18H Etron Technology, Inc. EM68D16CBQC-18H 7.1250
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 ECAD 2 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 84-TFBGA EM68D16 SDRAM-DDR2 1.7V~1.9V 84-FBGA (8x12.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM68D16CBQC-18HTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 533兆赫 易挥发的 2Gbit 350马力 动态随机存取存储器 128M×16 SSTL_18 15纳秒
EM6HB16EWKA-12H Etron Technology, Inc. EM6HB16EWKA-12H 2.9779
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 ECAD 1 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-VFBGA EM6HB16 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 96-FBGA (8x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HB16EWKA-12HCT EAR99 8542.32.0028 1,500人 800兆赫 易挥发的 512兆比特 20纳秒 动态随机存取存储器 32米×16 平行线 15纳秒
EM6GC16EWKG-10H Etron Technology, Inc. EM6GC16EWKG-10H 2.2538
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 ECAD 6344 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 96-VFBGA EM6GC16 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 96-FBGA (8x13) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GC16EWKG-10HTR EAR99 8542.32.0032 1,500人 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 64米×16 平行线 15纳秒
EM68B08CWAH-25IH Etron Technology, Inc. EM68B08CWAH-25IH 3.4373
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 ECAD 3070 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 60-TFBGA EM68B08 SDRAM-DDR2 1.7V~1.9V 60-FBGA (8x10) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM68B08CWAH-25IHTR EAR99 8542.32.0028 2,000 400兆赫 易挥发的 512兆比特 400皮秒 动态随机存取存储器 64M×8 平行线 15纳秒
EM639165BM-5IH Etron Technology, Inc. EM639165BM-5IH 2.0680
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 ECAD 1034 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 54-TFBGA EM639165 内存 3V～3.6V 54-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM639165BM-5IHTR EAR99 8542.32.0002 2,500人 200兆赫 易挥发的 128Mbit 4.5纳秒 动态随机存取存储器 8M×16 平行线 10纳秒
EM63A165TS-5IG Etron Technology, Inc. EM63A165TS-5IG 2.1024
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 ECAD 2603 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） EM63A165 内存 3V～3.6V 54-TSOP II 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM63A165TS-5IGTR EAR99 8542.32.0024 1,000 200兆赫 易挥发的 256兆比特 4.5纳秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 10纳秒
EM6HE08EW9G-10IH Etron Technology, Inc. EM6HE08EW9G-10IH 10.5100
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 ECAD 2 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 78-TFBGA EM6HE08 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 78-FBGA (7.5x10.6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HE08EW9G-10IHTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 平行线 15纳秒
EM6GE16EWXD-10IH Etron Technology, Inc. EM6GE16EWXD-10IH 5.8500
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 ECAD 8438 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 95°C（温控） 表面贴装 96-TFBGA EM6GE16 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 96-FBGA (9x13) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GE16EWXD-10IHTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 256M×16 平行线 15纳秒
EM6HE08EW3F-12H Etron Technology, Inc. EM6HE08EW3F-12H 5.2066
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 ECAD 4655 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-TFBGA EM6HE08 SDRAM-DDR3L 1.283V～1.45V 78-FBGA (9x10.6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6HE08EW3F-12HTR EAR99 8542.32.0036 2,500人 800兆赫 易挥发的 4G比特 20纳秒 动态随机存取存储器 512米×8 平行线 15纳秒
EM6GC08EWUG-10H Etron Technology, Inc. EM6GC08EWUG-10H 2.2169
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 ECAD 9369 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～95℃（温控） 表面贴装 78-VFBGA EM6GC08 SDRAM-DDR3 1.425V～1.575V 78-FBGA (8x10.5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM6GC08EWUG-10HTR EAR99 8542.32.0032 2,500人 933兆赫 易挥发的 1Gbit 20纳秒 动态随机存取存储器 128M×8 平行线 15纳秒
EM639165TS-5G Etron Technology, Inc. EM639165TS-5G 1.5184
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 ECAD 9992 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） EM639165 内存 3V～3.6V 54-TSOP II 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM639165TS-5GTR EAR99 8542.32.0002 1,000 200兆赫 易挥发的 128Mbit 4.5纳秒 动态随机存取存储器 8M×16 平行线 10纳秒
EM63A165BM-5H Etron Technology, Inc. EM63A165BM-5H 2.0680
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 ECAD 4706 0.00000000 钰创科技股份有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 54-TFBGA EM63A165 内存 3V～3.6V 54-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 2174-EM63A165BM-5HTR EAR99 8542.32.0024 2,500人 200兆赫 易挥发的 256兆比特 4.5纳秒 动态随机存取存储器 16M×16 平行线 10纳秒
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196-LFBGA 裸露焊盘

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