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（78）

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EM6GE16EWAKG-10H	5.2066	RFQ	1292	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6GE16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GE16EWAKG-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
EM68C16CWQG-25IH	4.8100	RFQ	10	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	EM68C16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
EM6GE08EW9G-10H	5.2066	RFQ	2839	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	EM6GE08	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（7.5x10.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GE08EW9G-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
EM6GE16EWXD-10H	5.2066	RFQ	5609	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6GE16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GE16EWXD-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
EM6HE08EW9G-10H	7.1250	RFQ	6136	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	EM6HE08	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
EM6AA160BKE-4IH	2.7826	RFQ	4162	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	EM6AA160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6AA160BKE-4IHTR	Ear99	8542.32.0024	2,500	250 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
EM6HD16EWBH-10IH	9.0200	RFQ	2	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	EM6HD16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
EM6GD08EWAHH-10IH	3.5028	RFQ	5807	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6GD08	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（7.5x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
EM6HB16EWKA-12IH	3.2261	RFQ	1	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	EM6HB16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	667 MHz	易挥发的	512Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
EM6HC16EWXC-12H	3.6828	RFQ	2	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6HC16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
EM6HC16EWXC-12IH	4.0102	RFQ	2	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6HC16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
EM6HC08EWUG-10H	3.6828	RFQ	4928	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6HC08	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6HC08EWUG-10HTR	Ear99	8542.32.0032	2,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
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EM6HD08EWAHH-12H	5.8500	RFQ	1008	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6HD08	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6HD08EWAHH-12HTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
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EM6GD08EWAHH-10H	2.9953	RFQ	6440	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6GD08	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（7.5x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GD08EWAHH-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
EM6GA16LCAEA-12	2.1700	RFQ	319	Etron Technology，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	50-UFBGA，WLCSP	EM6GA16	DRAM-RPC	1.425V〜1.575V	50-wlcsp（（1.96x4.63）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GA16LCAEA-12H	Ear99	8542.32.0032	66	800 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
EM6HE16EWXD-10H	5.2066	RFQ	3438	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6HE16	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6HE16EWXD-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
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EM6GE08EW8D-10H	5.2066	RFQ	4319	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6GE08	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GE08EW8D-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
EM6HC16EWKG-10H	2.2538	RFQ	3693	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	EM6HC16	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6HC16EWKG-10HTR	Ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
EM6GE16EWAKG-10IH	5.8500	RFQ	7168	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6GE16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GE16EWAKG-10IHTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
EM6AA160TSE-4G	1.6819	RFQ	3264	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	EM6AA160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6AA160TSE-4GTR	Ear99	8542.32.0024	1,000	250 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
EM68B08CWAH-25H	3.1099	RFQ	2679	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	EM68B08	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM68B08CWAH-25HTR	Ear99	8542.32.0028	2,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
EM6HD16EWBH-10H	5.9374	RFQ	9536	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	EM6HD16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
EM6HE16EWAKG-10IH	10.5100	RFQ	7	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6HE16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
EM6HE08EW8D-10H	5.2066	RFQ	6676	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6HE08	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6HE08EW8D-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
EM6AC160TSA-4G	-	RFQ	1597年	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	EM6AC160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的		1,000	250 MHz	易挥发的	1Gbit	700 ps	德拉姆	64m x 16	sstl_2	15ns
EM6GC16EWKG-10IH	2.5809	RFQ	1763年	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	EM6GC16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GC16EWKG-10IHTR	Ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（78）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²